公开(公告)号：CN101320181B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200810098644.3

申请日：2008-06-03

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 境武志 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  三宅秀和

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。

公开(公告)号：CN101726899B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910208124.8

申请日：2009-10-28

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 野田刚史 ,  宫沢敏夫 ,  海东拓生 ,  阿部裕行

IPC: G02F1/133 ,  H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78645 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 提供一种显示装置，在串联设置了多个在光源侧具有栅电极膜的TFT时，能够抑制光泄漏电流的产生，且还能抑制电容增加。为此，通过针对有多个的TFT的至少一部分，使半导体膜与栅电极膜相对置的面积相对于沟道区的相对面积不同，提供抑制光泄漏电流的产生，且抑制电容增加的结构的平面显示器。

公开(公告)号：CN101644862B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200910164457.5

申请日：2009-08-05

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 海东拓生 ,  宫泽敏夫 ,  境武志

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。

公开(公告)号：CN101644865B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200910165701.X

申请日：2009-08-06

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 野田刚史 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  紫垣匠

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G02F2202/104

Abstract: 本发明提供一种可以减小降低了截止电流的薄膜晶体管的尺寸的显示装置。本发明提供一种在基板中形成有薄膜晶体管的显示装置，其中，薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置有栅电极、并由以其半导体层的被划分开的各区域作为各自的半导体层的至少第一和第二薄膜晶体管构成，在半导体层中，具备兼作第一薄膜晶体管的漏区和源区的一方以及第二薄膜晶体管的漏区和源区的另一方的公共区，在第一和第二薄膜晶体管各自的半导体层中，在沟道区与漏区之间、及沟道区与源区之间，分别具备掺杂浓度比漏区和源区低的LDD区，栅电极被形成为跨越半导体层的公共区、并至少与第一薄膜晶体管的沟道区和各LDD区、及第二薄膜晶体管的沟道区和各LDD区对置。

公开(公告)号：CN101540332B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910126586.5

申请日：2009-03-16

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 野田刚史 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  贺茂尚广

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置具有薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板是在绝缘基板的表面配置了具有非晶半导体的有源层的多个第一薄膜晶体管元件和具有多晶半导体有源层的多个第二薄膜晶体管元件，其中，上述第一薄膜晶体管元件和上述第二薄膜晶体管元件分别是在上述绝缘基板的表面上依次层叠了栅电极、栅极绝缘膜和上述有源层而成的反交错结构，而且，上述有源层之上具有经由接触层而与上述有源层连接的源电极和漏电极，上述第二薄膜晶体管元件的上述有源层的层叠了上述接触层的位置处的膜厚小于60nm。

公开(公告)号：CN101521210B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910005799.2

申请日：2009-02-12

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 三宅秀和 ,  大植荣司 ,  海东拓生 ,  宫泽敏夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种显示装置，其在基板上具有p型薄膜晶体管，p型薄膜晶体管在栅电极的上表面隔着绝缘膜形成有半导体层，在半导体层的上表面形成有具有间隔部而彼此相对配置的漏电极和源电极，在漏电极与半导体层的界面、和源电极与半导体层的界面形成有p型杂质的扩散层。

公开(公告)号：CN101644862A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910164457.5

申请日：2009-08-05

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 海东拓生 ,  宫泽敏夫 ,  境武志

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。

公开(公告)号：CN101387805A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215183.3

申请日：2008-09-10

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 大植荣司 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  宫泽敏夫 ,  高品雄一郎

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。

公开(公告)号：CN101320181A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810098644.3

申请日：2008-06-03

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 境武志 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  三宅秀和

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。

公开(公告)号：CN100422798C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410004414.8

申请日：2004-02-19

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 贺茂尚广 ,  糸贺敏彦 ,  海东拓生 ,  大仓理

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。