公开(公告)号：CN102809814A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210179861.1

申请日：2012-06-01

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 栗谷川武

IPC: G02B26/02 ,  G09G3/34

CPC classification number: G02B26/023

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法，能够提高TFT基板的可靠性。本发明的显示装置的特征在于，包括：与配置在基板上的多根数据线和多根栅极线的交点分别对应地配置的多个像素；配置在上述基板上的第一绝缘膜；在上述第一绝缘膜的上层与上述第一绝缘膜的至少一部分接触配置的、材质与上述第一绝缘膜不同的第二绝缘膜；在上述第二绝缘膜上与上述多个像素分别对应地配置的、在侧部配置有第三绝缘膜的多个MEMS快门；和对上述多根栅极线和上述多根数据线供给电位的多个端子，上述多个端子从配置在上述多个端子的上部的上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜的开口部接受上述电位的供给。

公开(公告)号：CN102778751A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210074751.9

申请日：2012-03-20

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 高桥恒平 ,  栗谷川武 ,  园田大介 ,  海东拓生 ,  松本克巳

IPC: G02B26/02 ,  G09G3/34

CPC classification number: G02B26/02 ,  G02B26/0841 ,  G09G3/3433 ,  G09G2300/08

Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，其特征在于，在具有高透光性的基板上形成金属层，在该金属层上设置形成有开口图案的抗蚀剂掩膜，在该状态下，蚀刻金属层的露出部分而形成开口部，然后除去抗蚀剂掩膜，将金属层的表面和开口部的内壁面氧化而形成金属氧化物层，由此使开口板正背的反射率不同。氧化物层在灰化抗蚀剂掩膜时在抗蚀剂被除去的同时形成。

公开(公告)号：CN102841444A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210211366.4

申请日：2012-06-21

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  皮克斯特罗尼克斯公司

Inventor： 海东拓生 ,  栗谷川武 ,  坂田亮 ,  刈迂修 ,  T·J·布罗斯尼汉

IPC: G02B26/02 ,  G09G3/34

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/045 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/016

Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，其不需要专用装置、不会使制造吞吐量降低而除去端子上的钝化膜。本发明的显示装置，包括在基板上以矩阵状配置的具有开关元件和用开关元件驱动的MEMS快门的多个像素，和在基板上配置的与外部端子连接的多个端子。MEMS快门包括：具有开口部的快门、与快门连接的第一弹簧、与第一弹簧连接的第一锚定部、第二弹簧、和与第二弹簧连接的第二锚定部，在快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的与基板的表面垂直的方向上的面具有绝缘膜，在多个端子的表面、以及快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的相对于基板的表面为平行方向且与基板相对的一侧的相反侧的面，不存在该绝缘膜。

公开(公告)号：CN101414638B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810149909.8

申请日：2008-10-15

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  海东拓生 ,  栗谷川武 ,  宫泽敏夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，该显示装置具有用极简单的结构、仅进一步增加一些工序数就实现了降低截止电流的多晶硅薄膜晶体管。该显示装置具有绝缘基板、和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层具有多晶硅层、形成在上述多晶硅层上层的第一非晶硅层、形成在上述第一非晶硅层上层的第二非晶硅层。

公开(公告)号：CN101414638A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810149909.8

申请日：2008-10-15

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  海东拓生 ,  栗谷川武 ,  宫泽敏夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，该显示装置具有用极简单的结构、仅进一步增加一些工序数就实现了降低截止电流的多晶硅薄膜晶体管。该显示装置具有绝缘基板、和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层具有多晶硅层、形成在上述多晶硅层上层的第一非晶硅层、形成在上述第一非晶硅层上层的第二非晶硅层。