公开(公告)号：CN101320181B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200810098644.3

申请日：2008-06-03

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 境武志 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  三宅秀和

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。

公开(公告)号：CN102419815A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110294357.1

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 齐藤辉儿 ,  宫泽敏夫 ,  长谷川笃 ,  米仓健史

IPC: G06K9/00 ,  G06K9/20 ,  H01L27/146

CPC classification number: G06F1/1684 ,  G06F21/32 ,  G06K9/00033 ,  G06K2009/00932

Abstract: 本发明提供一种光传感器。该光传感器包括：多个光传感器像素配置成矩阵状而成的光传感器阵列、以及配置在上述光传感器阵列下侧的背光源。上述光传感器阵列包括表面遮光膜(例如，Al膜)，上述表面遮光膜包括：将来自被照体的光入射到上述各光传感器像素的入射孔、以及设于上述入射孔的周围且将上述背光源的照射光向上述被照体照射的通过孔。

公开(公告)号：CN101644862B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200910164457.5

申请日：2009-08-05

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 海东拓生 ,  宫泽敏夫 ,  境武志

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。

公开(公告)号：CN101561581B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910141499.7

申请日：2007-07-04

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 落合孝洋 ,  宫泽敏夫 ,  槙正博 ,  佐佐木亨 ,  森本政辉

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/134363 ,  G02F2001/134345

Abstract: 本发明提供一种半透射型液晶显示装置，包括具有一对基板和夹持在上述一对基板间的液晶层的液晶显示板，上述液晶显示板包括多个各自具有透射部和反射部的子像素，上述多个子像素的各个子像素具有像素电极和对置电极，在该半透射型液晶显示装置中，上述各个子像素内，上述像素电极在上述透射部和上述反射部共用，上述对置电极在上述透射部和上述反射部分别独立，在上述透射部的上述对置电极和上述反射部的上述对置电极之间的间隙中，至少沿着上述间隙延伸的方向的中心部被遮光膜遮光。目的在于提高半透射型液晶显示装置的显示品质。

公开(公告)号：CN101387805B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810215183.3

申请日：2008-09-10

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 大植荣司 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  宫泽敏夫 ,  高品雄一郎

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。

公开(公告)号：CN100485467C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610072054.4

申请日：2006-04-04

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 安田好三 ,  宫泽敏夫 ,  阿部裕行

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09F9/30

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G3/2074 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0857 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明提供一种显示装置，按每个显示像素配置了存储器，使存储器的误动作减少，使功耗降低。该显示装置具有显示板，该显示板包括多个显示像素、将图像数据提供给上述显示像素的图像线、以及将扫描电压施加到上述显示像素的扫描线，所述显示装置的特征在于：上述显示像素包括存储器，存储上述图像数据；像素电极；以及开关部，根据存储在上述存储器中的上述图像数据，选择第1图像电压或与上述第1图像电压不同的第2图像电压施加到上述像素电极。

公开(公告)号：CN100460971C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200710004262.5

申请日：2007-01-19

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 景山宽 ,  松本克巳 ,  宫泽敏夫

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3659 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0857 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明提供一种图像显示装置，该图像显示装置的栅极线和数据线的条数与现有的几乎相等，并且能够降低改写显示图像时的静态存储器的功耗。包含在像素电路中的第1晶体管(15)的漏极电极与用于设置静态存储器的存储状态的输入连接，第2晶体管(18)的漏极电极与用于复位的输入连接，第1晶体管的源极电极与数据线连接，在与栅极线平行的方向配置成一排的多个像素电路中所包含的第1晶体管的栅极电极与多条栅极线的任意一条的栅极线连接，在对上述配置成一排的多个像素电路相邻的配置成一排的多个像素电路中所包含的第2晶体管的栅极电极与上述一条栅极线连接。

公开(公告)号：CN101320163A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810110129.2

申请日：2005-10-28

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 长谷川笃 ,  宫泽敏夫

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/133555

Abstract: 本发明提供了一种液晶显示装置，减少了从反射型区域得到的图像和从透射型区域得到的图像之间的亮度差别。中间隔着液晶相对配置的各基板中的一个基板的液晶一侧的面的像素区域具有像素电极和相对电极，并且该像素区域具有透射型区域和反射型区域，在反射型区域的像素电极和相对电极的间隙比在透射型区域的像素电极和相对电极的间隙设定得大。

公开(公告)号：CN101290751A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810091522.1

申请日：2008-04-15

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 梶原久芳 ,  万场则夫 ,  宫泽敏夫 ,  槙正博

IPC: G09G3/36 ,  H03K19/017

CPC classification number: G09G3/3696 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2310/0289

Abstract: 本发明提供一种显示装置。通过使用了高电阻负载R的输入倒相器Tr1和由2个晶体管Tr2、Tr3串联而成的输出缓冲器，构成倒相电路302。当输入倒相器的电源电压为VDD1、输出缓冲器的电源电压为VDD2、晶体管的阈值电压为Vth时，供给电源电压以满足不等式VDD1＞VDD2+Vth。通过使用高电阻负载R，使上升、下降变得高速，消耗电流减小。

公开(公告)号：CN101251695A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810081205.1

申请日：2008-02-19

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 斋藤辉儿 ,  大和久芳治 ,  安田好三 ,  宫泽敏夫

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02F1/136204 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种显示装置，在平面型显示装置的基板上使用TFT来形成驱动电路的情况下能应对由于静电引起的对驱动电路的破坏、由于噪声而进行的误动作。在有效画面(2)的两侧形成有栅驱动电路(5)，覆盖栅驱动电路(5)形成静电屏蔽导电膜(60)。在制造工序中以及产品完成之后，能通过公共极板(61)、接地线(64)对静电屏蔽导电膜(60)施加恒定电位。