公开(公告)号：CN1357925A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01140707.7

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田村太久夫 ,  尾形洁 ,  高原洋一 ,  堀越和彦 ,  山口裕功 ,  大仓理 ,  阿部广伸 ,  斋藤雅和 ,  木村嘉伸 ,  糸贺敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管,通过对非晶硅膜多次照射激光,实现由多个晶粒构成,通过抑制邻接晶粒的边界部分中突起的发生,成为至少2个以上的晶粒集合体,在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇结晶;可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。

公开(公告)号：CN100399172C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200410095694.8

申请日：2002-10-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 本乡干雄 ,  宇都幸雄 ,  野本峰生 ,  中田俊彦 ,  波多野睦子 ,  山口伸也 ,  大仓理

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/334 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786

Abstract: 利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN1310335C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN02102827.3

申请日：2002-01-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 堀越和彦 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  中原美和子 ,  大仓理 ,  折付良二 ,  中野泰 ,  芝健夫

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1881617A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610094384.3

申请日：2002-02-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边英夫 ,  下村繁雄 ,  大仓理 ,  栗田雅章 ,  木村泰一 ,  中村孝雄

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78621

Abstract: 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：绝缘基体；形成在上述基体上的半导体层，包括沟道区、源区和漏区；形成在上述沟道区、源区和漏区上的绝缘膜；和形成在上述绝缘膜上的栅电极，其中，在上述沟道区和上述源区之间、或者在上述沟道区和上述漏区之间至少形成有一个LDD区；并且上述绝缘膜在上述沟道区上具有第一厚度，在上述LDD区上具有第二厚度，在上述源区或漏区上具有第三厚度，且上述第一厚度大于上述第二厚度，上述第二厚度大于上述第三厚度。

公开(公告)号：CN1197169C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01140707.7

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田村太久夫 ,  尾形洁 ,  高原洋一 ,  堀越和彦 ,  山口裕功 ,  大仓理 ,  阿部广伸 ,  斋藤雅和 ,  木村嘉伸 ,  糸贺敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管，通过对非晶硅膜多次照射激光，实现由多个晶粒构成，通过抑制邻接晶粒粒的边界部分中突起的发生，成为至少2个以上的晶粒集合体，在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇晶；可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。

公开(公告)号：CN1467694A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03149155.3

申请日：2003-02-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池广 ,  本乡干雄 ,  波多野睦子 ,  大仓理

IPC: G09G3/00 ,  G09G3/20 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种有源矩阵型显示装置。向构成显示装置的有源矩阵基板(101)的像素部的非晶硅膜(104)选择性地照射激光束(208)来使多晶硅膜(105)改性。然后，在改性的多晶硅膜(105)上形成薄膜晶体管等像素电路。这样，可非常经济地实现包括带有高性能的薄膜晶体管电路的有源矩阵基板的显示装置。

公开(公告)号：CN1276470C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02106426.1

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 武田一男 ,  斋藤雅和 ,  高嵜幸男 ,  阿部广伸 ,  大仓理 ,  木村嘉伸 ,  芝健夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有500nm或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅TFT液晶显示器。

公开(公告)号：CN1185533C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN02119005.4

申请日：2002-02-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边英夫 ,  下村繁雄 ,  大仓理 ,  栗田雅章 ,  木村泰一 ,  中村孝雄

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 薄膜晶体管形成在构成显示装置的绝缘基体上。每个薄膜晶体管包括一由多晶硅制成的半导体层，该半导体层由沟道区，排列在该沟道区两侧并掺有高浓度杂质的漏极和源区，及至少排列在漏极区和沟道区之间或源区与沟道区之间并掺有低浓度杂质的LDD区组成，该薄膜晶体管还包括一形成在半导体层上表面上的绝缘膜，且其薄膜厚度随其伸入沟道区，LDD区，漏极和源区而以阶梯状方式顺次减小，此外，该薄膜晶体管还包括一贯穿绝缘膜而形成在沟道区上的栅电极。具有这一结构的显示装置能增大数值孔径，并能抑制薄膜晶体管周边台阶部分的大小。

公开(公告)号：CN1409378A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02106426.1

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 武田一男 ,  斋藤雅和 ,  高嵜幸男 ,  阿部广伸 ,  大仓理 ,  木村嘉伸 ,  芝健夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有500nm或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅TFT液晶显示器。