公开(公告)号：CN1197169C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01140707.7

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田村太久夫 ,  尾形洁 ,  高原洋一 ,  堀越和彦 ,  山口裕功 ,  大仓理 ,  阿部广伸 ,  斋藤雅和 ,  木村嘉伸 ,  糸贺敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管，通过对非晶硅膜多次照射激光，实现由多个晶粒构成，通过抑制邻接晶粒粒的边界部分中突起的发生，成为至少2个以上的晶粒集合体，在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇晶；可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。

公开(公告)号：CN1357925A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01140707.7

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田村太久夫 ,  尾形洁 ,  高原洋一 ,  堀越和彦 ,  山口裕功 ,  大仓理 ,  阿部广伸 ,  斋藤雅和 ,  木村嘉伸 ,  糸贺敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管,通过对非晶硅膜多次照射激光,实现由多个晶粒构成,通过抑制邻接晶粒的边界部分中突起的发生,成为至少2个以上的晶粒集合体,在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇结晶;可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。

公开(公告)号：CN1276470C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02106426.1

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 武田一男 ,  斋藤雅和 ,  高嵜幸男 ,  阿部广伸 ,  大仓理 ,  木村嘉伸 ,  芝健夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有500nm或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅TFT液晶显示器。

公开(公告)号：CN1409378A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02106426.1

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 武田一男 ,  斋藤雅和 ,  高嵜幸男 ,  阿部广伸 ,  大仓理 ,  木村嘉伸 ,  芝健夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有500nm或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅TFT液晶显示器。