公开(公告)号：CN1404160A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02102827.3

申请日：2002-01-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 堀越和彦 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  中原美和子 ,  大仓理 ,  折付良二 ,  中野泰 ,  芝健夫

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1310335C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN02102827.3

申请日：2002-01-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 堀越和彦 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  中原美和子 ,  大仓理 ,  折付良二 ,  中野泰 ,  芝健夫

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。