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公开(公告)号：CN1790138A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410095724.5
申请日：2002-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/78621
Abstract: 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：形成在玻璃基体上的半导体层，形成在上述半导体层上的具有硅的绝缘膜，以及形成在上述绝缘膜上的栅极，其中，上述半导体层包括：沟道区、进行了重掺杂的第一区，以及在上述第一区与上述沟道区之间进行了轻掺杂的第二区，上述栅绝缘膜在上述第二区上的膜比在上述沟道区上的膜薄，在上述第一区上的膜比在上述第二区上的膜薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881617A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610094384.3
申请日：2002-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78621
Abstract: 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：绝缘基体；形成在上述基体上的半导体层，包括沟道区、源区和漏区；形成在上述沟道区、源区和漏区上的绝缘膜；和形成在上述绝缘膜上的栅电极，其中，在上述沟道区和上述源区之间、或者在上述沟道区和上述漏区之间至少形成有一个LDD区；并且上述绝缘膜在上述沟道区上具有第一厚度，在上述LDD区上具有第二厚度，在上述源区或漏区上具有第三厚度，且上述第一厚度大于上述第二厚度，上述第二厚度大于上述第三厚度。
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公开(公告)号：CN1185533C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02119005.4
申请日：2002-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78633
Abstract: 薄膜晶体管形成在构成显示装置的绝缘基体上。每个薄膜晶体管包括一由多晶硅制成的半导体层，该半导体层由沟道区，排列在该沟道区两侧并掺有高浓度杂质的漏极和源区，及至少排列在漏极区和沟道区之间或源区与沟道区之间并掺有低浓度杂质的LDD区组成，该薄膜晶体管还包括一形成在半导体层上表面上的绝缘膜，且其薄膜厚度随其伸入沟道区，LDD区，漏极和源区而以阶梯状方式顺次减小，此外，该薄膜晶体管还包括一贯穿绝缘膜而形成在沟道区上的栅电极。具有这一结构的显示装置能增大数值孔径，并能抑制薄膜晶体管周边台阶部分的大小。
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公开(公告)号：CN100523966C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410095724.5
申请日：2002-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/78621
Abstract: 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：形成在玻璃基体上的半导体层，形成在上述半导体层上的具有硅的绝缘膜，以及形成在上述绝缘膜上的栅极，其中，上述半导体层包括：沟道区、进行了重掺杂的第一区，以及在上述第一区与上述沟道区之间进行了轻掺杂的第二区，上述栅绝缘膜在上述第二区上的膜比在上述沟道区上的膜薄，在上述第一区上的膜比在上述第二区上的膜薄。
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公开(公告)号：CN100463225C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610094384.3
申请日：2002-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78621
Abstract: 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：绝缘基体；形成在上述基体上的半导体层，包括沟道区、源区和漏区；形成在上述沟道区、源区和漏区上的绝缘膜；和形成在上述绝缘膜上的栅电极，其中，在上述沟道区和上述源区之间、或者在上述沟道区和上述漏区之间至少形成有一个LDD区；并且上述绝缘膜在上述沟道区上具有第一厚度，在上述LDD区上具有第二厚度，在上述源区或漏区上具有第三厚度，且上述第一厚度大于上述第二厚度，上述第二厚度大于上述第三厚度。
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公开(公告)号：CN1375735A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02119005.4
申请日：2002-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78633
Abstract: 薄膜晶体管形成在构成显示装置的绝缘基体上。每个薄膜晶体管包括一由多晶硅制成的半导体层,该半导体层由沟道区,排列在该沟道区两侧并掺有高浓度杂质的漏极和源区,及至少排列在漏极区和沟道区之间或源区与沟道区之间并掺有低浓度杂质的LDD区组成,该薄膜晶体管还包括一形成在半导体层上表面上的绝缘膜,且其薄膜厚度随其伸入沟道区,LDD区,漏极和源区而以阶梯状方式顺次减小,此外,该薄膜晶体管还包括一贯穿绝缘膜而形成在沟道区上的栅电极。具有这一结构的显示装置能增大数值孔径,并能抑制薄膜晶体管周边台阶部分的大小。
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