公开(公告)号：CN1214116A

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN96180218.9

申请日：1996-03-15

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东京电子株式会社

Inventor： 武田一男 ,  石田英嗣 ,  平岩笃 ,  但马武 ,  渡濑进一郎

IPC: G01B11/30 ,  G01N21/88

Abstract: 一种通过检测晶体内缺陷的散射光进行测量的方法,可以测量试样整个表面上的缺陷尺寸和以小于波长的分辨率测量缺陷的深度。用对试样的侵入深度相差3倍以上的两种波长对试样进行扫描和照射,根据不同波长分别测量来自内部缺陷的散射光,根据长波长的散射光强度导出缺陷尺寸,根据其散射光强度之比导出缺陷深度,并在基片面内分布上显示深度和尺寸。而且,对于根据上述宽区域测量检测的特定缺陷位置,移动摄影机位置进行扫描,用两种波长观察缺陷的形态,从该缺陷的两波长散射光图像数据可同样地导出缺陷的深度和尺寸。根据本发明,可以进行试样整个表面的缺陷尺寸和深度检测,也可以一个缺陷为单位进行尺寸和深度检测。

公开(公告)号：CN1574196A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310124570.3

申请日：2003-12-30

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立显示器

Inventor： 佐藤健史 ,  武田一男 ,  斋藤雅和 ,  后藤順 ,  大仓理

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种用并不昂贵的装置以高吞吐量制造高性能有源矩阵衬底的方法，和使用所述有源矩阵衬底的图象显示设备。在导轨上沿着短轴方向X和长轴方向Y移动的平台上携带有玻璃衬底，其形成有无定形硅半导体膜。通过用沿着激光束的长轴方向Y具有周期性的相移掩模将脉冲激光束强度调制成线束形，同时沿着在玻璃衬底上形成的无定形硅半导体膜的调制方向任意地移动激光束进行曝光从而对膜进行结晶，可以获得多晶化的大晶粒硅膜。图象显示设备可以结合具有有源元件，例如用所述硅膜形成的薄膜晶体管的有源矩阵衬底。

公开(公告)号：CN1276470C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02106426.1

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 武田一男 ,  斋藤雅和 ,  高嵜幸男 ,  阿部广伸 ,  大仓理 ,  木村嘉伸 ,  芝健夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有500nm或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅TFT液晶显示器。

公开(公告)号：CN1409378A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02106426.1

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 武田一男 ,  斋藤雅和 ,  高嵜幸男 ,  阿部广伸 ,  大仓理 ,  木村嘉伸 ,  芝健夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有500nm或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅TFT液晶显示器。