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公开(公告)号：CN1790138A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410095724.5
申请日：2002-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/78621
Abstract: 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：形成在玻璃基体上的半导体层，形成在上述半导体层上的具有硅的绝缘膜，以及形成在上述绝缘膜上的栅极，其中，上述半导体层包括：沟道区、进行了重掺杂的第一区，以及在上述第一区与上述沟道区之间进行了轻掺杂的第二区，上述栅绝缘膜在上述第二区上的膜比在上述沟道区上的膜薄，在上述第一区上的膜比在上述第二区上的膜薄。
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公开(公告)号：CN1414616A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02154549.9
申请日：2002-10-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/324
Abstract: 利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN100523966C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410095724.5
申请日：2002-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/78621
Abstract: 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：形成在玻璃基体上的半导体层，形成在上述半导体层上的具有硅的绝缘膜，以及形成在上述绝缘膜上的栅极，其中，上述半导体层包括：沟道区、进行了重掺杂的第一区，以及在上述第一区与上述沟道区之间进行了轻掺杂的第二区，上述栅绝缘膜在上述第二区上的膜比在上述沟道区上的膜薄，在上述第一区上的膜比在上述第二区上的膜薄。
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公开(公告)号：CN100463225C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610094384.3
申请日：2002-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78621
Abstract: 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：绝缘基体；形成在上述基体上的半导体层，包括沟道区、源区和漏区；形成在上述沟道区、源区和漏区上的绝缘膜；和形成在上述绝缘膜上的栅电极，其中，在上述沟道区和上述源区之间、或者在上述沟道区和上述漏区之间至少形成有一个LDD区；并且上述绝缘膜在上述沟道区上具有第一厚度，在上述LDD区上具有第二厚度，在上述源区或漏区上具有第三厚度，且上述第一厚度大于上述第二厚度，上述第二厚度大于上述第三厚度。
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公开(公告)号：CN1310199C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN03149155.3
申请日：2003-02-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G09G3/00 , G09G3/20 , H01L29/786
Abstract: 提供一种有源矩阵型显示装置。向构成显示装置的有源矩阵基板(101)的像素部的非晶硅膜(104)选择性地照射激光束(208)来使多晶硅膜(105)改性。然后，在改性的多晶硅膜(105)上形成薄膜晶体管等像素电路。这样，可非常经济地实现包括带有高性能的薄膜晶体管电路的有源矩阵基板的显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1207764C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN02154549.9
申请日：2002-10-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/324 , H01L21/268 , H01L29/786 , H01S3/00
Abstract: 利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1404160A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02102827.3
申请日：2002-01-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78603
Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN100394287C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410095693.3
申请日：2002-10-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
Abstract: 利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1645222A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410095694.8
申请日：2002-10-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786
Abstract: 一种显示装置的制造方法，利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1619401A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410095693.3
申请日：2002-10-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
Abstract: 利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。
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