公开(公告)号：CN1241269C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02130120.4

申请日：2002-08-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  堀越和彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78621

Abstract: 构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。

公开(公告)号：CN1310335C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN02102827.3

申请日：2002-01-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 堀越和彦 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  中原美和子 ,  大仓理 ,  折付良二 ,  中野泰 ,  芝健夫

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1197169C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01140707.7

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田村太久夫 ,  尾形洁 ,  高原洋一 ,  堀越和彦 ,  山口裕功 ,  大仓理 ,  阿部广伸 ,  斋藤雅和 ,  木村嘉伸 ,  糸贺敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管，通过对非晶硅膜多次照射激光，实现由多个晶粒构成，通过抑制邻接晶粒粒的边界部分中突起的发生，成为至少2个以上的晶粒集合体，在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇晶；可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。

公开(公告)号：CN1404160A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02102827.3

申请日：2002-01-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 堀越和彦 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  中原美和子 ,  大仓理 ,  折付良二 ,  中野泰 ,  芝健夫

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1441501A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02130120.4

申请日：2002-08-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  堀越和彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78621

Abstract: 构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。

公开(公告)号：CN1357925A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01140707.7

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田村太久夫 ,  尾形洁 ,  高原洋一 ,  堀越和彦 ,  山口裕功 ,  大仓理 ,  阿部广伸 ,  斋藤雅和 ,  木村嘉伸 ,  糸贺敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管,通过对非晶硅膜多次照射激光,实现由多个晶粒构成,通过抑制邻接晶粒的边界部分中突起的发生,成为至少2个以上的晶粒集合体,在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇结晶;可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。