公开(公告)号：CN104465741A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061074.6

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/41775

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。

公开(公告)号：CN104064562A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310322235.8

申请日：2013-07-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  梁濑直子 ,  仲敏行 ,  大野哲也 ,  小野祐

IPC: H01L25/18 ,  H01L29/78 ,  H03K17/567

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/095 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具备了稳定的整流特性的实施方式的半导体装置具备导电性基板；肖特基势垒二极管，具有阳极电极、阴极电极，安装为所述导电性基板和所述阳极电极电连接，所述导电性基板和所述阳极电极相对；场效应晶体管，在表面具有源极电极、漏极电极、以及栅极电极，安装为所述场效应晶体管背面与所述导电性基板相对。而且，源极电极与阴极电极电连接，栅极电极与阳极电极电连接。

公开(公告)号：CN103681884A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310070533.2

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 提供半导体器件及其制造方法。半导体器件具备含有III族元素的第1氮化物半导体层、第2氮化物半导体层、第3氮化物半导体层、绝缘膜、欧姆电极和肖特基电极。第2氮化物半导体层设在第1氮化物半导体层上，带隙大于第1氮化物半导体层。第3氮化物半导体层设在第2氮化物半导体层上。绝缘膜与第3氮化物半导体层相接地设在第3氮化物半导体层上。欧姆电极与第2氮化物半导体层欧姆接触。肖特基电极与第2氮化物半导体层肖特基接触。欧姆电极和肖特基电极之间的第3氮化物半导体层的表面区域，含有与第3氮化物半导体层的构成元素为异种的元素，该元素的浓度高于第3氮化物半导体层的比表面区域还靠第2氮化物半导体层侧的区域。

公开(公告)号：CN103516235A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310071378.6

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西胁达也 ,  吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  新井雅俊

IPC: H02M7/12

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 一种不使用碳化硅等高价半导体材料也能实现反向恢复时间短、高耐压且高可靠性的整流电路。整流电路具备在第1端子及第2端子间串联连接的整流元件及单极场效应晶体管。整流元件具有第1电极及第2电极。在进行直流动作时，当反向偏置时流过整流元件的第1漏电流大于当在场效应晶体管的栅电极及源电极间施加了阈值以下的电压时流过源电极及漏电极的第2漏电流，并且第2漏电流与漏电极及源电极间的电压之间的关系处在场效应晶体管的安全工作区内，在进行交流动作时，当整流元件切换为反向偏置时，在反向偏置的期间内向整流元件的结电容的充电完成，并且充电过程中从整流元件流过场效应晶体管的电流处在场效应晶体管的安全工作区内。

公开(公告)号：CN102694019A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110255497.8

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉 ,  杉山亨

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。

公开(公告)号：CN117727767A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202211675250.6

申请日：2022-12-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 斋藤圭太 ,  富田幸太 ,  西胁达也 ,  齐藤泰伸

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式涉及半导体装置，能够提供一种能降低导通电阻的半导体装置。半导体装置具备：第一电极；半导体部分，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述半导体部分上的第一区域中；第三电极，配置在所述半导体部分上的第二区域中；绝缘构件，配置在所述半导体部分内的所述第一区域和所述第二区域中；第四电极，配置在所述绝缘构件内的所述第一区域和所述第二区域中；第五电极，配置在所述绝缘构件内的所述第一区域和所述第二区域中的、所述第一电极与所述第四电极之间；以及导电构件，配置在所述第二区域中，与所述第三电极、所述第四电极和所述第五电极连接。

公开(公告)号：CN102237402B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110109142.8

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件具备：第一半导体层，其设置在基板上且含有第一导电型的氮化物半导体；第二半导体层，其设置在所述第一半导体层上、且含有具有与所述第一半导体层的表面载流子浓度相同量的表面载流子浓度的第二导电型的氮化物半导体。在所述第二半导体层上设置第三半导体层，其含有比所述第二半导体层的带隙宽度更宽的氮化物半导体。所述氮化物半导体元件进一步具备第一主电极，其与所述第二半导体层电连接；第二主电极，其与所述第一主电极隔开地设置、且与所述第二半导体层电连接；以及具备控制电极，其在所述第一主电极和所述第二主电极之间、隔着绝缘膜设置在贯通所述第三半导体层和所述第二半导体层而到达所述第一半导体层的第一沟槽的内部。

公开(公告)号：CN103022118B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210320351.1

申请日：2012-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的实施方式的氮化物半导体装置，具备基板（1）、第一氮化物半导体层（3）、第二氮化物半导体层（4）以及在第二氮化物半导体层上（4）设置的源电极（5）、漏电极（6）、第一栅电极（9）、肖特基电极（10）和第二栅电极（12）。在第二氮化物半导体层（4）与第一氮化物半导体层（3）之间的界面处，形成二维电子气。第一栅电极（9）是常截止型FET（20）的栅电极，设置在源电极（5）与漏电极（6）之间。肖特基电极（10）设置在第一栅电极（9）与漏电极（6）之间。第二栅电极（12）是常导通型FET（21）的栅电极，设置在肖特基电极（10）与漏电极（6）之间。

公开(公告)号：CN104465740A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410052440.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野哲也 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  仲敏行 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  增子真吾 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。

公开(公告)号：CN104064593A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310731532.8

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/42356

Abstract: 实施方式的半导体装置，具备：第一半导体层，由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，由与上述第一氮化物半导体相比带隙大的第二氮化物半导体构成；源极电极，形成在第二半导体层上；漏极电极，形成在上述第二半导体层上；第一栅极电极，形成在上述源极电极与漏极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第二半导体层进行肖特基接合；第二栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述源极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接；以及第三栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述漏极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接。