公开(公告)号：CN101026193A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610130951.6

申请日：2006-10-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安田直树 ,  西川幸江 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明的非易失性半导体存储装置实现了增大存储单元的耦合比并降低漏电流。与本发明的实例有关的非易失性半导体存储装置，包括：在半导体衬底内配置的源、漏扩散层；在源、漏扩散层之间的沟道之上配置的第一绝缘膜(T－ox.)；在第一绝缘膜(T－ox.)之上配置的、含有叠置的多个第一导电层的浮置栅电极(FG)；在浮置栅电极(FG)之上配置的第二绝缘膜(IPD)；以及在第二绝缘膜(IPD)之上配置的控制栅电极(CG)。在将多个第一导电层之中的除了最上层之外的一个第一导电层作为基准层的情况下，基准层的功函数大于等于4.0eV，基准层之上的包括基准层在内的多个第一导电层的功函数φw1、φw2、…、φwn随着朝向第二绝缘膜(IPD)依次增大。

公开(公告)号：CN1713384A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200410090965.0

申请日：2004-11-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 水岛一郎 ,  甲斐彻哉 ,  小泽良夫 ,  村冈浩一 ,  中村新一

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8229

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/512

Abstract: 将改善了漏泄电流的高介电常数绝缘膜作为电极间绝缘膜使用的半导体器件，具备：在半导体衬底上形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成的第1栅电极；在上述第1栅电极的上方形成的第2栅电极；以及在上述第1栅电极与第2栅电极之间形成的结晶化了的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN101515599B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910007879.1

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井野恒洋 ,  安田直树 ,  村冈浩一 ,  藤木润 ,  菊地祥子 ,  有吉惠子

IPC: H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。

公开(公告)号：CN101546783B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910130660.0

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新宫昌生 ,  菊地祥子 ,  高岛章 ,  井野恒洋 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在半导体器件中，侧壁由SiO2、SiN或SiON构成，并且顶部绝缘膜或栅极绝缘膜由包括Al、Si和金属元素M的氧化物构成，使得数量比Si/M被设置为不小于在包括金属元素M和Al的复合氧化物中的SiO2组分处于固溶度极限的情况下的数量比Si/M、并且被设置为不大于在介电常数等于Al2O3的介电常数的情况下的数量比Si/M，并且使得数量比Al/M被设置为不小于在由于Al元素而抑制了所述金属元素M的氧化物的结晶的情况下的数量比Al/M、并且被设置为不大于在由于金属元素M而抑制了Al2O3的结晶的情况下的数量比Al/M。

公开(公告)号：CN101399290B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810149776.4

申请日：2008-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中崎靖 ,  村冈浩一 ,  安田直树 ,  菊地祥子

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种能够电地写、擦除、读和保持数据的MONOS型非易失性半导体存储器器件，该存储器器件包括：源/漏区域；在沟道区上形成的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上形成的第一电荷俘获层；形成于第一电荷俘获层上，并且具有比第一栅绝缘层更大的膜厚度的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上形成的控制电极。第一电荷俘获层包括包含Al和O作为主要元素的绝缘膜，该绝缘膜具有由间隙O原子和置换Al原子的四价阳离子原子的复合物形成的缺陷对或由氧空位和置换O原子的N原子的复合物形成的缺陷对，所述绝缘膜还具有位于距离Al2O3的价带最大值2eV-6eV的范围内的电子未占据能级。

公开(公告)号：CN101154688B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200710162018.1

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/4234 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 以往的MONOS是在SiN中蓄积电荷的结构，但是电荷蓄积量不充分，无法取得大的阈值电压变化幅度，在向HfO2、ZrO2、TiO2中导入La系元素的技术中，难以实现基于掺杂剂的导入的电荷高密度化。一种非易失性半导体存储器，具有将介电常数比氮化硅膜充分高的Ti氧化物、Zr氧化物、Hf氧化物等金属氧化物作为母材材料，为了使其中产生电子出入成为可能的捕获能级，适量添加价数为大2价(VI价)以上的高价数物质的结构的电荷蓄积层。

公开(公告)号：CN101399290A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810149776.4

申请日：2008-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中崎靖 ,  村冈浩一 ,  安田直树 ,  菊地祥子

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种能够电地写、擦除、读和保持数据的MONOS型非易失性半导体存储器器件，该存储器器件包括：源/漏区域；在沟道区上形成的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上形成的第一电荷俘获层；形成于第一电荷俘获层上，并且具有比第一栅绝缘层更大的膜厚度的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上形成的控制电极。第一电荷俘获层包括包含Al和O作为主要元素的绝缘膜，该绝缘膜具有由间隙O原子和置换Al原子的四价阳离子原子的复合物形成的缺陷对或由氧空位和置换O原子的N原子的复合物形成的缺陷对，所述绝缘膜还具有位于距离Al2O3的价带最大值2eV－6eV的范围内的电子未占据能级。

公开(公告)号：CN101276843A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810096687.8

申请日：2008-01-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边浩志 ,  松下大介 ,  村冈浩一 ,  中崎靖 ,  加藤弘一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有隧道绝缘膜的半导体存储装置及其制造方法，即使薄膜化也不会使重复进行写入/擦除时的耐性(耐久特性)恶化。该半导体存储装置包括：半导体衬底(2)；在半导体衬底上形成的第一绝缘膜(6)，该第一绝缘膜包括具有第一氮氧化硅层(8b)、氮化硅层(8a)以及第二氮氧化硅层(8c)的叠层结构的氮氧化硅膜(8)、以及形成在所述氮氧化硅膜上的富硅氧化硅膜(10)；形成在第一绝缘膜上的电荷蓄积层(12)；形成在电荷蓄积层上的第二绝缘膜(14)；和形成在第二绝缘膜上的控制栅极(16)。

公开(公告)号：CN1819261A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006810.3

申请日：2006-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松下大介 ,  村冈浩一 ,  中崎靖 ,  加藤弘一 ,  清水敬

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/318 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 根据本发明的一方面，公开了一种半导体装置，其包含半导体衬底；和形成在该半导体衬底上的、P－沟道MOS晶体管的栅绝缘膜。所述栅绝缘膜具有氧化物薄膜(SiO2)，和包含硼原子和氮原子的防扩散薄膜(BN)。

公开(公告)号：CN1819117A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006929.0

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村冈浩一

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28255 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体层上形成用于栅绝缘体的第一材料，该半导体层包含具有变成氧化物所需的第一氧化物－生成生吉布斯自由能的半导体材料，所述第一材料包含具有变成氧化物所需的第二氧化物－生成吉布斯自由能并且当被氧化或者被氮化时变成绝缘性的元素；以及在所述第一氧化物－生成吉布斯自由能等于或高于所述第二氧化物－生成吉布斯自由能的温度范围内、在包含氢原子、或重氢原子以及氧原子的气氛中对所述第一材料进行退火。