公开(公告)号：CN101552039B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910132543.8

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤木润

IPC: G11C16/34 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置的驱动方法。上述非易失性半导体存储装置具有：具有沟道和设置在上述沟道两侧的源/漏区域的半导体层、设置在上述沟道之上的第一绝缘膜、浮动电极、第二绝缘膜、以及栅电极。在上述驱动方法中，为了设为向上述浮动电极注入了第一极性的电荷的状态，向上述半导体层与上述栅电极之间提供将上述第一极性的电荷注入到上述第二绝缘膜中的第一电位差，之后，提供将与上述第一极性相反极性的第二极性的电荷注入到上述第二绝缘膜中的第二电位差，之后，提供将上述第一极性的电荷注入到上述浮动电极中的第三电位差。

公开(公告)号：CN101515599B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910007879.1

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井野恒洋 ,  安田直树 ,  村冈浩一 ,  藤木润 ,  菊地祥子 ,  有吉惠子

IPC: H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。

公开(公告)号：CN101399080B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810168078.9

申请日：2008-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤木润

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483

Abstract: 本发明提供一种用于驱动易失性半导体存储器件的方法。该非易失性半导体存储器件具有在半导体衬底的表面部分中相互间隔开的源极/漏极扩散层，在源极/漏极扩散层之间的沟道上形成并包括电荷存储层的层压绝缘膜，以及在该层压绝缘膜上形成的栅极电极，该非易失性半导体存储器件通过电荷到电荷存储层中的注入来改变其数据存储状态。该方法包括在将电荷注入到电荷存储层中以改变数据存储状态之前：注入具有与要注入的电荷相同的极性的电荷；以及进一步注入具有与所注入电荷相反的极性的电荷。

公开(公告)号：CN101552039A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910132543.8

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤木润

IPC: G11C16/34 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置的驱动方法。上述非易失性半导体存储装置具有：具有沟道和设置在上述沟道两侧的源/漏区域的半导体层、设置在上述沟道之上的第一绝缘膜、浮动电极、第二绝缘膜、以及栅电极。在上述驱动方法中，为了设为向上述浮动电极注入了第一极性的电荷的状态，向上述半导体层与上述栅电极之间提供将上述第一极性的电荷注入到上述第二绝缘膜中的第一电位差，之后，提供将与上述第一极性相反极性的第二极性的电荷注入到上述第二绝缘膜中的第二电位差，之后，提供将上述第一极性的电荷注入到上述浮动电极中的第三电位差。

公开(公告)号：CN101515599A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910007879.1

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井野恒洋 ,  安田直树 ,  村冈浩一 ,  藤木润 ,  菊地祥子 ,  有吉惠子

IPC: H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。

公开(公告)号：CN101399080A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810168078.9

申请日：2008-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤木润

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483

Abstract: 本发明提供一种用于驱动易失性半导体存储器件的方法。该非易失性半导体存储器件具有在半导体衬底的表面部分中相互间隔开的源极/漏极扩散层，在源极/漏极扩散层之间的沟道上形成并包括电荷存储层的层压绝缘膜，以及在该层压绝缘膜上形成的栅极电极，该非易失性半导体存储器件通过电荷到电荷存储层中的注入来改变其数据存储状态。该方法包括在将电荷注入到电荷存储层中以改变数据存储状态之前：注入具有与要注入的电荷相同的极性的电荷；以及进一步注入具有与所注入电荷相反的极性的电荷。