公开(公告)号：CN100380591C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN02802932.1

申请日：2002-07-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水敬 ,  山本明人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52

Abstract: 一种制造半导体器件的设备和方法及上述设备中用的清洁方法。该设备包括：保持要处理的晶片的处理室，将生产气体引入处理室的进气管，从处理室将该气体排放到处理室的外部的排气管，成分测量装置，用于测量在处理室中的气体的成分或者从处理室中的气体、要被引入到处理室的气体和从处理室中排放的气体中选择的至少两种气体的成分，浓度测量装置，该浓度测量装置测量在处理室中的气体的每种成分的浓度或者每种成分的浓度。

公开(公告)号：CN1630934A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN02802932.1

申请日：2002-07-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水敬 ,  山本明人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52

Abstract: 一种制造半导体器件的设备和方法及上述设备中用的清洁方法。该设备包括：保持要处理的晶片的处理室，将生产气体引入处理室的进气管，从处理室将该气体排放到处理室的外部的排气管，成分测量装置，用于测量在处理室中的气体的成分或者从处理室中的气体、要被引入到处理室的气体和从处理室中排放的气体中选择的至少两种气体的成分，浓度测量装置，该浓度测量装置测量在处理室中的气体的每种成分的浓度或者每种成分的浓度。

公开(公告)号：CN1819261A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006810.3

申请日：2006-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松下大介 ,  村冈浩一 ,  中崎靖 ,  加藤弘一 ,  清水敬

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/318 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 根据本发明的一方面，公开了一种半导体装置，其包含半导体衬底；和形成在该半导体衬底上的、P－沟道MOS晶体管的栅绝缘膜。所述栅绝缘膜具有氧化物薄膜(SiO2)，和包含硼原子和氮原子的防扩散薄膜(BN)。