公开(公告)号：CN103367405A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210321805.7

申请日：2012-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有吉惠子 ,  铃木拓马 ,  河野洋志 ,  四户孝

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7889 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，半导体装置包括第一、第二、第三和第四半导体区、控制电极、浮动电极和绝缘膜。第一区包含碳化硅。第二区设置在第一区上且包含碳化硅。第三区设置在第二区上且包含碳化硅。第四区设置在第三区上且包含碳化硅。控制电极设置在第四区、第三区和第二区中所形成的沟槽中。浮动电极设置在控制电极与沟槽的底表面之间。绝缘膜设置在沟槽与控制电极之间、沟槽与浮动电极之间以及控制电极与浮动电极之间。

公开(公告)号：CN101515599B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910007879.1

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井野恒洋 ,  安田直树 ,  村冈浩一 ,  藤木润 ,  菊地祥子 ,  有吉惠子

IPC: H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。

公开(公告)号：CN105981176A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480057180.5

申请日：2014-09-16

Applicant: 株式会社东芝 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  富士电机株式会社

Inventor： 有吉惠子 ,  清水达雄 ,  四户孝 ,  先崎纯寿 ,  原田信介 ,  小岛贵仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一电极、第二电极、控制电极和绝缘膜。第一半导体区域是第一导电型的并且包含SiC。第二半导体区域设置在第一半导体区域上并且具有第一表面。第二半导体区域是第二导电型的并且包含SiC。第三半导体区域设置在第二半导体区域上、是第一导电型的并且包含SiC。第一电极电连接到第一半导体区域。第二电极电连接到第三半导体区域。控制电极设置在第二半导体区域上。绝缘膜设置在第二半导体区域与控制电极之间。绝缘膜接触第一表面以及控制电极并且包含氮。氮的浓度分布的峰值的位置远离第一表面至少2nm但小于10nm，峰值的半峰宽为至少10nm但小于20nm。

公开(公告)号：CN101515600A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910008226.5

申请日：2009-02-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有吉惠子 ,  高岛章 ,  菊地祥子 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513

Abstract: 提供一种非易失性存储元件及其制造方法。该非易失性存储元件包括：半导体区；相互隔开地设置在所述半导体区中的源区和漏区；设置在源区与漏区之间的半导体区上的隧道绝缘膜；设置在所述隧道绝缘膜上的电荷存储层；设置在所述电荷存储层上的阻挡绝缘膜；以及设置在所述阻挡绝缘膜上的控制栅电极。所述电荷存储层包括含有从包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属的组中选择的至少一种材料、并且被全部或者部分地晶化的氧化物、氮化物或氧氮化物。所述阻挡绝缘膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。

公开(公告)号：CN105981176B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201480057180.5

申请日：2014-09-16

Applicant: 株式会社东芝 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  富士电机株式会社

Inventor： 有吉惠子 ,  清水达雄 ,  四户孝 ,  先崎纯寿 ,  原田信介 ,  小岛贵仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一电极、第二电极、控制电极和绝缘膜。第一半导体区域是第一导电型的并且包含SiC。第二半导体区域设置在第一半导体区域上并且具有第一表面。第二半导体区域是第二导电型的并且包含SiC。第三半导体区域设置在第二半导体区域上、是第一导电型的并且包含SiC。第一电极电连接到第一半导体区域。第二电极电连接到第三半导体区域。控制电极设置在第二半导体区域上。绝缘膜设置在第二半导体区域与控制电极之间。绝缘膜接触第一表面以及控制电极并且包含氮。氮的浓度分布的峰值的位置远离第一表面至少2nm但小于10nm，峰值的半峰宽为至少10nm但小于20nm。

公开(公告)号：CN101515600B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910008226.5

申请日：2009-02-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有吉惠子 ,  高岛章 ,  菊地祥子 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513

Abstract: 提供一种非易失性存储元件及其制造方法。该非易失性存储元件包括：半导体区；相互隔开地设置在所述半导体区中的源区和漏区；设置在源区与漏区之间的半导体区上的隧道绝缘膜；设置在所述隧道绝缘膜上的电荷存储层；设置在所述电荷存储层上的阻挡绝缘膜；以及设置在所述阻挡绝缘膜上的控制栅电极。所述电荷存储层包括含有从包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属的组中选择的至少一种材料、并且被全部或者部分地晶化的氧化物、氮化物或氧氮化物。所述阻挡绝缘膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。

公开(公告)号：CN101515599A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910007879.1

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井野恒洋 ,  安田直树 ,  村冈浩一 ,  藤木润 ,  菊地祥子 ,  有吉惠子

IPC: H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。