公开(公告)号：CN101536182A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040960.9

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN101390201A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200680053382.8

申请日：2006-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 井上隆 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  宫本广信 ,  山之口胜己 ,  黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  冈本康宏

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应)。例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分－调制的(组分－梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度。

公开(公告)号：CN101385132A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005112.4

申请日：2007-01-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201

Abstract: 电子供给层(13)与沟道层(12)形成异质结且包含InzAlxGa1－z－xN，其中0≤z＜1，0＜x＜1和0＜x+z＜1。在电子供给层(13)上，与电子供给层(13)接触形成栅电极(17)。在电子供给层(13)和沟道层(12)之间的界面处的Al组分比x1，以及电子供给层(13)和栅电极(17)之间的界面处的Al组分比xa满足以下条件：x1/2≤xa＜x1和x1≤0.3。

公开(公告)号：CN1757120A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200380110067.0

申请日：2003-12-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈本康宏 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  葛原正明

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种电场控制电极(5)，其形成在栅极(2)和漏极(3)之间。包括SiN薄膜(21)和SiO2薄膜(22)的多层薄膜形成在电场控制电极(5)下方。SiN薄膜(21)形成，使得AlGaN电子供应层(13)的表面被SiN薄膜(21)覆盖。

公开(公告)号：CN101971308B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200980108747.6

申请日：2009-03-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  大田一树 ,  井上隆 ,  中山达峰 ,  宫本广信

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其在降低了栅泄漏电流的同时，具有高电子迁移率和具有阈值电压的优良均匀性和再现性，并且还能够应用到增强模式型。该半导体器件顺序层压由晶格驰豫的AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的下部势垒层、由具有压应变的InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层和由AlzGa1-zN(0≤z≤1)构成的接触层，并且在所述InyGa1-yN沟道层与所述AlzGa1-zN接触层的界面附近，产生二维电子气。AlzGa1-zN接触层的一部分形成为栅电极嵌入在凹陷部中，并且插有绝缘膜，其中通过蚀刻所述AlzGa1-zN接触层而去除所述AlzGa1-zN接触层中的一部分直到暴露所述InyGa1-yN沟道层，来形成所述凹陷部，以及在AlzGa1-zN接触层上形成欧姆电极。因此，获得了一种能够以增强模式进行操作的半导体器件，该半导体器件具有阈值电压的优良均匀性和再现性，同时保持低栅泄漏电流和高电子迁移率。

公开(公告)号：CN101385132B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200780005112.4

申请日：2007-01-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201

Abstract: 电子供给层(13)与沟道层(12)形成异质结且包含InzAlxGa1-z-xN，其中0≤z＜1，0＜x＜1和0＜x+z＜1。在电子供给层(13)上，与电子供给层(13)接触形成栅电极(17)。在电子供给层(13)和沟道层(12)之间的界面处的Al组分比x1，以及电子供给层(13)和栅电极(17)之间的界面处的Al组分比xa满足以下条件：x1/2≤xa＜x1和x1≤0.3。

公开(公告)号：CN101416290B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200780012035.5

申请日：2007-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/812 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 公开了一种HJFET？110，其包括：由InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NS×η×t[cm-2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

公开(公告)号：CN100508212C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200580025979.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中山达峰 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  葛原正明 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其能够抑制电流崩塌且还能够防止电介质击穿电压和增益降低，从而可以进行高电压操作并实现理想的高输出。在基板(101)上，形成有：由第一GaN基半导体制成的缓冲层(102)、由第二GaN基半导体制成的载流子迁移层(103)和由第三GaN基半导体制成的载流子提供层(104)。通过去除部分第一绝缘膜(107)和部分载流子提供层(104)，制成凹陷结构(108)。接下来，淀积栅绝缘膜(109)，并且随后形成栅电极(110)，从而填充凹陷部分(108)并覆盖在残留有第一绝缘膜(107)的区域上，由此它在漏电极侧上的部分长于它在源电极侧上的部分。使用这样的凹陷结构提供了能够进行高电压操作的高输出半导体器件。

公开(公告)号：CN101416290A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012035.5

申请日：2007-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/812 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 公开了一种HJFET 110，其包括：由InyGa1－yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1－xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NA×η×t[cm－2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

公开(公告)号：CN100470834C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200380109769.7

申请日：2003-12-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈本康宏 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  葛原正明

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 在栅极电极(2)中形成以帽舌形状伸出于漏极侧上的场电极部分(5)上。在场电极部分(5)下面形成包含SiN膜(21)和SiO2膜(22)的多层膜。形成SiN膜(21)使其覆盖AlGaN电子供给层(13)的表面。