公开(公告)号：CN100508212C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200580025979.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中山达峰 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  葛原正明 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其能够抑制电流崩塌且还能够防止电介质击穿电压和增益降低，从而可以进行高电压操作并实现理想的高输出。在基板(101)上，形成有：由第一GaN基半导体制成的缓冲层(102)、由第二GaN基半导体制成的载流子迁移层(103)和由第三GaN基半导体制成的载流子提供层(104)。通过去除部分第一绝缘膜(107)和部分载流子提供层(104)，制成凹陷结构(108)。接下来，淀积栅绝缘膜(109)，并且随后形成栅电极(110)，从而填充凹陷部分(108)并覆盖在残留有第一绝缘膜(107)的区域上，由此它在漏电极侧上的部分长于它在源电极侧上的部分。使用这样的凹陷结构提供了能够进行高电压操作的高输出半导体器件。

公开(公告)号：CN100544024C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200580023067.6

申请日：2005-07-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  葛原正明 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/423 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作工艺，其具有高的势垒高度、低的漏电流性能和低电阻，并且热稳定。该氮化物半导体肖特基电极具有分层结构，该分层结构包括与氮化物半导体接触的铜(Cu)层和在铜(Cu)的上层上形成的第一电极材料。下述金属材料被用于第一电极材料，该金属材料具有比铜(Cu)的热膨胀系数低的热膨胀系数，并且在400℃或更高的温度下与铜(Cu)发生固相反应。

公开(公告)号：CN101002332A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580025979.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中山达峰 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  葛原正明 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其能够抑制电流崩塌且还能够防止电介质击穿电压和增益降低，从而可以进行高电压操作并实现理想的高输出。在基板(101)上，形成有：由第一GaN基半导体制成的缓冲层(102)、由第二GaN基半导体制成的载流子迁移层(103)和由第三GaN基半导体制成的载流子提供层(104)。通过去除部分第一绝缘膜(107)和部分载流子提供层(104)，制成凹陷结构(108)。接下来，淀积栅绝缘膜(109)，并且随后形成栅电极(110)，从而填充凹陷部分(108)并覆盖在残留有第一绝缘膜(107)的区域上，由此它在漏电极侧上的部分长于它在源电极侧上的部分。使用这样的凹陷结构提供了能够进行高电压操作的高输出半导体器件。

公开(公告)号：CN1981381A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200580023067.6

申请日：2005-07-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  葛原正明 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/423 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作工艺，其具有高的势垒高度、低的漏电流性能和低电阻，并且热稳定。该氮化物半导体肖特基电极具有分层结构，该分层结构包括与氮化物半导体接触的铜(Cu)层和在铜(Cu)的上层上形成的第一电极材料。下述金属材料被用于第一电极材料，该金属材料具有比铜(Cu)的热膨胀系数低的热膨胀系数，并且在400℃或更高的温度下与铜(Cu)发生固相反应。