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公开(公告)号：CN116087256A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310163195.0
申请日：2023-02-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/2273 , G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种多功能的原位真空等离子体处理在线测试表征系统，其主要包括：原位加热腔体、载物台和等离子体源、外部表征系统、加热电阻丝、真空管道和样品运输小车。本发明将效果优异的等离子处理表面改性技术与原位表征系统结合起来，实现材料处理过程中的实时检测，在反应“原本位置”和反应过程中直接测量温度和气氛，等离子体处理参数等因素对材料的动态影响，直观地获取材料的演化过程信息，包括微观形貌、晶体结构、化学组成和电子结构等，把结构变化和性能呈现相结合，并直观反映处理参数对结构变化的影响，从而使得材料性能往人类需要的地方改进。
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公开(公告)号：CN112877674A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110032701.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 复旦大学
Inventor： 马宏平
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及氧化镓材料的技术领域，具体的更涉及一种含量可精确调控的Sn掺杂Ga2O3膜材料的生长方法，步骤包括：生长n1个周期的Ga2O3薄膜；生长1个周期的SnO2薄膜；生长n2个周期的Ga2O3薄膜。循环这个步骤多次，可得到预定厚度的Sn掺杂Ga2O3薄膜。具体的，Ga2O3和SnO2薄膜生长步骤包括：在反应腔室内通入镓(或锡)前驱体，在衬底的表面进行吸附和反应；惰性气体吹扫；开启射频电源使O2电离产生等离子体，与吸附在衬底表面的镓(或锡)前驱体发生反应，生成Ga2O3(或SnO2)原子层；惰性气体吹扫。惰性气体吹扫。本发明利用ALD沉积Sn掺杂的Ga2O3薄膜，实现Sn元素在Ga2O3薄膜中的原子层级掺杂。
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公开(公告)号：CN112853318A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110024527.8
申请日：2021-01-08
Applicant: 复旦大学
Inventor： 马宏平
IPC: C23C16/455 , C23C14/35 , C23C14/06 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及AlN薄膜领域，尤其涉及一种利用ALD生长籽晶层的高结晶AlN薄膜制备方法。具体的，该一种生长在衬底上的AlN薄膜的制备方法，依次包括：衬底清洗；利用ALD沉积方法生长AlN籽晶层；利用PVD沉积方法在所述AlN籽晶层上生长AlN膜层，得到AlN薄膜。本发明通过将ALD和PVD两种沉积方式相结合的方法，制备出高结晶的AlN薄膜，具体的，先生长籽晶层，然后在其上利用PVD沉积方式进一步快速沉积比较厚的AlN膜层，进而减少了沉积时间，本发明公开的工艺可以高效制备高结晶的AlN薄膜。
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公开(公告)号：CN118073215A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410027344.5
申请日：2024-01-09
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体为一种原位退火多功能测试系统。本发明系统包括石英管式炉、可动样品平台组件、光源、电子束发射枪、电子探测组件、退火气氛源组件、电子信号探测组件、真空泵和数据处理组件；管式炉外侧设置有加热套；管式炉腔体内设置有样品平台，用于放置待表征的样品和用于空白对照单质铂片；管式炉设置光入射口和电子束入射口以及电子探测的出射口，正对样平台上待测样品；退火气氛源组件提供退火气氛；真空泵对管式炉腔体抽真空，数据处理组件收集电子探测组件信号用于数据处理；本发明可在退火过程中实现原位监测，在样品退火的不同时间点对样品进行非破坏性观测和实验，保证样品退火时原位表征的可靠性。
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公开(公告)号：CN116043197A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310074024.0
申请日：2023-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/50 , G01N23/2251 , G01N23/227
Abstract: 本发明提供了一种气相沉积材料生长原位多功能表征系统，包括：气相沉积生长室腔体，待表征的样品位于腔体内部的样品平台上，腔体的壁上设置有数对入射口和出射口；平台联动控制系统，与样品平台相连接，设置在样品平台下方，用于控制样品平台的旋转和水平方向的微移；光源，设置在腔体外部，位置与入射口的位置对应；电子束发射枪，与气相沉积生长室腔体内部相连接，附带有程序控制开关的窗口将其和腔体的内环境隔开，窗口位于腔体的壁上；反应气氛源组件，设置在腔体外部并与腔体内部相连通，用于向腔体中输入反应气体；电子信号探测组件，通过出射口与腔体内部相连接；数据处理组件，与电子信号探测组件连接，用于数据记录与处理。
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公开(公告)号：CN109742012B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201811530397.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种用于改善硅超晶格薄膜光电特性的低温微波退火方法。该方法的具体步骤如下：步骤1，退火前，对微波退火腔预先通入惰性气体，使得腔内为纯净的惰性气氛；步骤2，继续通入惰性气体作为退火气氛，将硅超晶格薄膜放入微波退火腔的中间位置，设定退火功率和退火过程中的最高温度，并设定相应时长的退火时间，开始微波退火；其中：退火过程中的最高温度为300~500℃；步骤3，微波退火结束后，待腔内温度自然冷却，得到改性优化的硅超晶格薄膜。本发明方法可靠性高，可重复性强，其用于制备改性优化的硅超晶格薄膜成品率高，为硅超晶格薄膜的低温退火提供了一种具有指导意义的方法。
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公开(公告)号：CN214477469U
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202120773269.9
申请日：2021-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/24 , H01L29/267
Abstract: 本实用新型提供一种具有二维电子气结构的氧化镓基电子器件，所述氧化镓基电子器件包括衬底及位于衬底上的二维电子气结构，所述二维电子气结构包括氧化镓材料层及位于氧化镓材料层上的第二材料层，所述氧化镓材料层包括晶态的氧化镓，所述第二材料层为不同于氧化镓材料层的二元金属氧化物层，所述氧化镓材料层及第二材料层之间形成二维电子气层。本实用新型采用氧化镓材料层和其他二元金属氧化物材料层形成二维电子气结构，可以大幅度提升器件的单位二维电子气密度，提高单位电流密度，提升器件耐压值，且器件的制备工艺可以极大简化，制造成本可以极大降低。
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公开(公告)号：CN214705935U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202120773315.5
申请日：2021-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/267
Abstract: 本实用新型提供一种基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管。包括衬底、异质结构、栅介质层、源电极、漏电极及栅电极；异质结构包括位于衬底表面的氧化镓层和位于氧化镓层表面的氧化锌层，氧化镓层和氧化锌层的界面处形成二维电子气；栅介质层位于氧化锌层的表面，栅电极位于栅介质层的表面；源电极和漏电极位于氧化镓层的表面，且与氧化镓层欧姆接触。本实用新型利用在原子层沉积氧化锌的过程中对氧化镓层的氧化还原反应所产生的氧空位，在氧化锌/氧化镓异质结界面处形成导电沟道，通过栅极电压对氧空位浓度的调节，实现对场效应晶体管的开关控制，从而为低导通电阻增强型氧化镓二维电子气的耐压电子器件提供新的解决方案。
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