公开(公告)号：CN214477469U

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202120773269.9

申请日：2021-04-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘宇航 ,  马宏平 ,  卢红亮

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267

Abstract: 本实用新型提供一种具有二维电子气结构的氧化镓基电子器件，所述氧化镓基电子器件包括衬底及位于衬底上的二维电子气结构，所述二维电子气结构包括氧化镓材料层及位于氧化镓材料层上的第二材料层，所述氧化镓材料层包括晶态的氧化镓，所述第二材料层为不同于氧化镓材料层的二元金属氧化物层，所述氧化镓材料层及第二材料层之间形成二维电子气层。本实用新型采用氧化镓材料层和其他二元金属氧化物材料层形成二维电子气结构，可以大幅度提升器件的单位二维电子气密度，提高单位电流密度，提升器件耐压值，且器件的制备工艺可以极大简化，制造成本可以极大降低。

公开(公告)号：CN214705935U

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202120773315.5

申请日：2021-04-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘宇航 ,  马宏平 ,  卢红亮

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/267

Abstract: 本实用新型提供一种基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管。包括衬底、异质结构、栅介质层、源电极、漏电极及栅电极；异质结构包括位于衬底表面的氧化镓层和位于氧化镓层表面的氧化锌层，氧化镓层和氧化锌层的界面处形成二维电子气；栅介质层位于氧化锌层的表面，栅电极位于栅介质层的表面；源电极和漏电极位于氧化镓层的表面，且与氧化镓层欧姆接触。本实用新型利用在原子层沉积氧化锌的过程中对氧化镓层的氧化还原反应所产生的氧空位，在氧化锌/氧化镓异质结界面处形成导电沟道，通过栅极电压对氧空位浓度的调节，实现对场效应晶体管的开关控制，从而为低导通电阻增强型氧化镓二维电子气的耐压电子器件提供新的解决方案。