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公开(公告)号：CN117855251A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410094372.9
申请日：2024-01-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种SiC屏蔽栅MOSFET结构及其制造方法，该结构包括衬底，衬底上方设置有漂移区，漂移区上方设置有P阱，P阱与漂移区之间设有沟槽，沟槽的顶部外围设有N+结构，沟槽包括Gate Poly，Gate Poly下方设置有SGT Poly，衬底用于提供支撑作用；漂移区用于承担耐压；P阱用于形成PN结，起到反向承压作用；N+结构用于形成源极；沟槽用于形成栅极，其中的SGT Poly用于在反向承压时拉平体内电场的分布，以降低漂移区电阻，从而降低芯片的比导通电阻。此外还在沟槽底部和/或侧部设置P+保护层，用于降低电场、对沟槽进行保护。与现有技术相比，本发明能够有效降低芯片的比导通电阻，从而降低芯片成本、提高功率器件电流密度。
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公开(公告)号：CN117087525A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311117295.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: B60Q1/14 , H05B45/00 , H05B45/10 , H05B45/12 , H05B47/155 , H05B47/105 , H05B47/115 , H05B47/11 , H05B47/165 , F21S41/153 , F21S41/25 , F21S41/663 , F21S41/657 , F21Y115/10 , F21W107/10 , F21W102/13
Abstract: 本发明公开了一种基于MiniLED阵列的自适应远近光矩阵车灯系统，其包括：MiniLED阵列矩阵车灯模块，其包括MiniLED阵列、光传导层；所述光传导层用于将所述MiniLED阵列发出的光线均匀投射到车灯的发光面上，以实现均匀的照明效果；光控制系统模块，与所述MiniLED阵列连接，用于分别控制各所述MiniLED阵列中每颗MiniLED的电流，以控制各MiniLED的亮度，进而控制车灯产生的光束的形状以及照射范围。本系统配合自适应调节系统通过传感器检测车辆速度、环境光照和前方车辆情况，并通过自适应算法实现远近光灯模式的自动调节。信息收集及反馈模块实现光效的动态反馈，形成闭环控制系统。本发明提供了一种高效、精确和安全的自适应远近光矩阵车灯系统，为夜间行车提供了更好的照明效果。
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公开(公告)号：CN116451627A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310439588.X
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/337 , G06F30/398 , G06N3/126 , G06F113/18 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F111/06
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET板级封装优化设计方法，包括以下步骤：设计正交试验，其中，设计变量为SiC MOSFET FOPLP中不同结构层的厚度；对SiC MOSFET FOPLP进行有限元仿真，得到寄生电感、热应变和热阻与不同结构层厚度的综合回归方程；基于综合回归方程，建立多目标优化模型，通过求解多目标优化模型，得到不同结构层的最优厚度参数。与现有技术相比，本发明能够对SiC MOSFET FOPLP的结构进行多目标优化设计，同时提升器件的热学、力学和电感性能，并且能够有效减少优化设计所需数据量，具有高效便捷的优点。
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公开(公告)号：CN112417729B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011321629.8
申请日：2020-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/006 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于蚁群算法的SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的适应度函数；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率器件和模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN119943178A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411961586.8
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明属于半导制备技术领域，具体为一种半导体薄膜外延生长的优化方法。本发明方法包括：使用有限元法对薄膜化学气相沉积过程进行仿真，得到外延层分布结果；将仿真结果与实验结果进行对比，验证仿真结果的准确性；使用支持向量机建立工艺参数与目标函数之间的关系；使用多目标优化算法对外延生长过程进行优化；其中，工艺参数为生长温度，腔室压强和反应气体总流量；目标函数为外延层生长速率和外延层的变异系数；变异系数等于外延层厚度的标准差与厚度的平均值的比值；多目标优化算法包括多目标粒子群算法和非支配排序遗传算法。本发明可减少实验次数、提高生长效率、降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118837705A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410960220.2
申请日：2024-07-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种空间辐照环境下SiC MOSFET器件阈值电压在线采集装置；其包括电源模块、样品试验模块、阈值电压监测模块和数据处理模块；其中：阈值电压监测模块，分为两部分，电压信号采集和开关信号控制，电压信号采集部分采集MOSFET器件的栅极、漏极信号，开关信号控制部分控制接入电压信号采集部分的电源连接方式以决定阈值电压的监测。本发明不依赖于控制电路，并且将测试信号与测试电路隔离，进一步保证了阈值电压监测的准确性。本发明信号控制简单，无额外控制电路，可以在辐照等极端环境条件下完成在线阈值电压的监测，并且可以用配备的机械封装进行组装，便于应用。
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公开(公告)号：CN117317258A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311156772.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明属于电催化剂技术领域，具体为一种嵌入式介孔异质催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4及其制备方法。本发明制备方法包括：将含有g‑C3N4粉末与十六烷基三甲基溴化铵的去离子水溶液，混合并超声至均匀，再将含有二水合乙酸锌与异丙氧基钛的乙酸溶液加入前述溶液中，加热静置，得透明溶胶；在烘箱中加热除去多余乙酸；然后转移至坩埚，于马弗炉中以不同升温速率升至一定温度并保持数个小时，制得嵌入式异质结构催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4。本发明制备方法简单易行，重复性好，制备的产物比表面积高，氧还原活性高，产物性质稳定，可用作燃料电池的阴极催化剂。
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公开(公告)号：CN117150726A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310934021.X
申请日：2023-07-28
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/20 , G06F30/27 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明属于半导制备技术领域，具体为一种半导体薄膜生长反应腔流场和温度场的优化方法。本发明方法包括：利用仿真模拟得到反应腔内的流场与温度场的分布；利用支持向量机建立设计变量与目标函数之间的关系；利用多目标粒子群优化算法对反应器进行优化；在流场中，设计变量为反应腔中反应气体分布即反应腔中各进气口的配气比、进气口的直径和位置，目标函数为流场速度的相对标准偏差；在温度场中，设计变量为加热线圈的位置、螺距以及石墨柱的宽度；目标函数为温度场平均温度和温度的标准差。本发明可提高反应腔内的流场均匀性，以及反应腔的加热效率和其内部的温度均匀性。
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公开(公告)号：CN116667682A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310716389.9
申请日：2023-06-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种LCC谐振变换器的ZVS条件优化及自适应死区控制方法，包括：建立LCC谐振变换器的死区时间模型；采样LCC谐振变换器中的谐振电流，并进行预处理；将LCC谐振变换器的开关器件参数以及预处理后谐振电流输入死区时间模型，输出ZVS实现判别结果以及实现ZVS所需最小死区时间预测结果；根据死区时间模型输出结果，相应进行LCC谐振变换器的ZVS条件优化或进行自适应死区控制。与现有技术相比，本发明能够方便、快速、准确地判别LCC谐振变换器中的开关元件能否实现零电压开关、以及预测实现零电压开关所需的最小死区时间，进而优化ZVS条件以及实现自适应死区控制，避免由于设置死区时间不合理而导致的损耗增加、效率降低、EMI加重、变换器性能降低等问题。
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公开(公告)号：CN116643138A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310716372.3
申请日：2023-06-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统及其方法，包括依次连接的电源模块、高温偏置试验电路板、信号监测模块和信号采集模块，其中，电源模块通过外接电源信号向高温偏置试验电路板接入试验应用条件的栅极电压；信号监测模块用于监测实时的栅极、漏极电流信号，并传输给信号采集模块完成最终试验数据的计算整理和存储；高温偏置试验电路板连接有温度控制模块，用于提供试验条件所需温度。与现有技术相比，本发明能够在不中断试验的情况下进行实时的阈值电压在线监测，降低可靠性试验过程中的数据延迟问题，能够同时采集栅极、漏极实时电流信号，保证了采集数据与实际试验过程的同步。
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