公开(公告)号：CN117744269A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311773194.4

申请日：2023-12-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  罗润鼎

IPC: G06F30/17 ,  G06F30/27 ,  G06F30/23 ,  G06N3/006 ,  G06F111/10 ,  G06F111/06

Abstract: 本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件结构的优化设计方法，包括：构建SiC功率MOSFET导通电阻的模型；基于理论分析，分别获得击穿电压与特征参数之间关系、导通电阻与特征参数之间关系的模型与公式；根据工艺限制、栅极氧化物临界击穿场强，校准得到的关系模型与公式；通过多目标优化粒子群算法，对击穿电压和导通电阻进行优化；针对特定的需求，筛选获得的对应特征参数、击穿电压和导通电阻；构建TCAD模型验证并校准获得的器件特征结构，以获得器件特征结构的最优结果；结合SiC功率MOSFET器件结构的最优结果和TCAD仿真获得的最优结果，确定出SiC功率MOSFET中最优的器件结构特征参数。与现有技术相比，本发明能够扩大应用范围、降低设计成本和设计时间，同时提高设计准确性。

公开(公告)号：CN118837705A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410960220.2

申请日：2024-07-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 罗涛 ,  侯欣蓝 ,  罗润鼎 ,  项载满 ,  王学良 ,  樊嘉杰

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04 ,  G01R1/20 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种空间辐照环境下SiC MOSFET器件阈值电压在线采集装置；其包括电源模块、样品试验模块、阈值电压监测模块和数据处理模块；其中：阈值电压监测模块，分为两部分，电压信号采集和开关信号控制，电压信号采集部分采集MOSFET器件的栅极、漏极信号，开关信号控制部分控制接入电压信号采集部分的电源连接方式以决定阈值电压的监测。本发明不依赖于控制电路，并且将测试信号与测试电路隔离，进一步保证了阈值电压监测的准确性。本发明信号控制简单，无额外控制电路，可以在辐照等极端环境条件下完成在线阈值电压的监测，并且可以用配备的机械封装进行组装，便于应用。