公开(公告)号：CN119943178A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411961586.8

申请日：2024-12-30

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 樊嘉杰 ,  田静 ,  左元慧

IPC: G16C20/10 ,  G16C20/70 ,  G06F30/23 ,  G06F30/27 ,  G06N3/006 ,  G06N20/10 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明属于半导制备技术领域，具体为一种半导体薄膜外延生长的优化方法。本发明方法包括：使用有限元法对薄膜化学气相沉积过程进行仿真，得到外延层分布结果；将仿真结果与实验结果进行对比，验证仿真结果的准确性；使用支持向量机建立工艺参数与目标函数之间的关系；使用多目标优化算法对外延生长过程进行优化；其中，工艺参数为生长温度，腔室压强和反应气体总流量；目标函数为外延层生长速率和外延层的变异系数；变异系数等于外延层厚度的标准差与厚度的平均值的比值；多目标优化算法包括多目标粒子群算法和非支配排序遗传算法。本发明可减少实验次数、提高生长效率、降低生产成本。

公开(公告)号：CN117150726A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310934021.X

申请日：2023-07-28

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 樊嘉杰 ,  田静 ,  左元慧 ,  祝曦

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/27 ,  G06F111/10 ,  G06F113/08 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明属于半导制备技术领域，具体为一种半导体薄膜生长反应腔流场和温度场的优化方法。本发明方法包括：利用仿真模拟得到反应腔内的流场与温度场的分布；利用支持向量机建立设计变量与目标函数之间的关系；利用多目标粒子群优化算法对反应器进行优化；在流场中，设计变量为反应腔中反应气体分布即反应腔中各进气口的配气比、进气口的直径和位置，目标函数为流场速度的相对标准偏差；在温度场中，设计变量为加热线圈的位置、螺距以及石墨柱的宽度；目标函数为温度场平均温度和温度的标准差。本发明可提高反应腔内的流场均匀性，以及反应腔的加热效率和其内部的温度均匀性。