公开(公告)号：CN102044433A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200910196982.5

申请日：2009-10-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  仇志军

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明属微电子领域，涉及一种混合源漏场效应晶体管及其制备方法。该晶体管可以用来作为集成电路的基本单元。本发明提供的晶体管具有混合源漏，源极是由常规的pn结构成，漏极为肖特基结。同时，源极和漏极可以互换，即源极为肖特基结，而漏极是常规的pn结。当源漏互换时，器件所表现出来的电性行为不同。同常规的pn结相比，本发明具有低的寄生电阻和良好的按比例缩小的特性。本发明能缓解若干与纯粹肖特基源漏晶体管有关的潜在问题。而且，本发明混合源漏晶体管源漏结构适合不同电路模块中晶体管的要求，该源漏结构的易互换性能增加电路设计的灵活性。

公开(公告)号：CN102891077B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210365230.9

申请日：2012-09-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张有为 ,  仇志军 ,  陈国平 ,  陆冰睿 ,  刘冉

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水/正丙醇混合溶液作为氧化剂而与金属源反应生成高k栅介质薄膜；所述高k栅介质薄膜为ⅢA族金属氧化物ⅢB族稀土氧化物、ⅣB族过渡金属氧化物中的其中一种以及它们的二元及二元以上的氧化物中的任一种。相较于现有技术，本发明可以显著改善沉积在石墨烯表面的高k栅介质薄膜的均匀性和覆盖率，且在薄膜沉积工艺中不会破坏石墨烯晶体结构，有助于制备高性能的石墨烯器件。

公开(公告)号：CN102891077A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210365230.9

申请日：2012-09-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张有为 ,  仇志军 ,  陈国平 ,  陆冰睿 ,  刘冉

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水/正丙醇混合溶液作为氧化剂而与金属源反应生成高k栅介质薄膜；所述高k栅介质薄膜为ⅢA族金属氧化物ⅢB族稀土氧化物、ⅣB族过渡金属氧化物中的其中一种以及它们的二元及二元以上的氧化物中的任一种。相较于现有技术，本发明可以显著改善沉积在石墨烯表面的高k栅介质薄膜的均匀性和覆盖率，且在薄膜沉积工艺中不会破坏石墨烯晶体结构，有助于制备高性能的石墨烯器件。

公开(公告)号：CN101975794B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010276530.0

申请日：2010-09-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 宗兆翔 ,  刘冉 ,  仇志军 ,  沈臻魁

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种适用于金属性薄膜材料的3omega热导测量方法。该方法基于改进的解析模型，利用3omega测试结构与频率相关的热学响应特性，通过实验拟合手段得到与一组频率相关的热流比值。从该值推导出实验材料的热阻，并最终得到被测样品的热导值。利用本发明的热导测量方法，可以提供快速准确的金属薄膜热导信息，大大扩展了3omega电学测量技术的适用范围。本发明适用于纳米量级薄膜的测量，样品结构简单，避免原有电学测试方法中的复杂工艺结构，因此可作为金属薄膜材料热学参量的快速表征手段，在微电子工业领域中有其应用前景。

公开(公告)号：CN101893596A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010228471.X

申请日：2010-07-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈国平 ,  郭红斌 ,  仇志军 ,  刘冉

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/772

CPC classification number: G01N27/4145

Abstract: 本发明属于分析检测技术领域，具体涉及一种用于农药残留量检测的硅纳米线生物传感器。该传感器以硅纳米线为沟道的具有背栅结构的场效应管FET为转换器，以乙酰胆碱酯酶（或者丁酰胆碱酯酶）为生物敏感元件，实现对农药的高灵敏检测；这里的农药是指有机磷农药和氨基甲酸酯类农药。由于硅纳米线具有比较大的比表面积，对沟道表面电荷的变化响应非常灵敏，因此这种传感器可以对有机磷农药和氨基甲酸酯类农药实行高灵敏检测。另外这种硅纳米线场效应管制备是采用大规模集成电路工艺的，可以大规模批量生产，降低单个传感器的成本。

公开(公告)号：CN108899378A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810628307.4

申请日：2018-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曹高奇 ,  仇志军 ,  丛春晓 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  胡来归 ,  龚海梅

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/112 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明属于是探测器芯片技术领域，具体为一种栅控石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片，在InP衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO2）介质层、石墨烯层、源极金属电极、漏极金属电极以及栅极金属电极；本发明的优点在于：一方面利用栅控界面电场分离光生载流子，并在石墨烯中感应出反型载流子来实现光谱探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，因为InGaAs材料能够吸收1.7µm至紫外波段的光，所以该探测器能够实现紫外至近红外波段的探测；此外，由于石墨烯具有高的迁移率和载流子传输特性，使得该探测器拥有较高的量子增益特性。

公开(公告)号：CN108831951A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810592793.9

申请日：2018-06-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丛春晓 ,  曹高奇 ,  仇志军 ,  单亚兵 ,  汤乃云 ,  王倩倩

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体为一种二硫化钼基可见至近红外InGaAs探测器及其制备方法。本发明探测器结构包括：采用磷化铟作为衬底材料，在衬底上依次生长InP接触层、铟镓砷吸收层、氧化硅介质层；氧化硅介质层中央开方孔，在氧化硅介质层上转移二硫化钼层，二硫化钼层填充氧化硅介质层方孔，与所述铟镓砷吸收层形成肖特基接触，在二硫化钼层与氧化硅介质层接触区域上方生长上金属电极，在所述InP接触层一侧上生长下金属电极。本发明InGaAs探测器能够实现近红外到可见光范围的宽光谱探测。

公开(公告)号：CN104934536A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510300325.6

申请日：2015-06-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  张世理 ,  刘冉

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/05 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种掺有碳纳米管的有机薄膜存储器。该存储器包括：以硅为衬底栅电极，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层作为栅介质层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个金属电极，两个电极具有一定的间距，在两电极之间淀积一层掺有碳纳米管的有机薄膜作为导电通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底（背栅）施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极在零栅压下的电流大小来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。

公开(公告)号：CN101882463B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200910221812.8

申请日：2009-11-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈臻魁 ,  陈志辉 ,  刘冉 ,  仇志军 ,  万海军

IPC: G11C11/22

Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫顽电压，通过施加不同的外电压来极化反转相应台阶厚度的铁电薄膜。可以在单个存储单元中通过组合不同台阶厚度的铁电薄膜来实现多位数据存储功能。采用本发明方法加工的多位存储器件可以极大地提高存储密度，降低生产成本。

公开(公告)号：CN101719517B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910199045.5

申请日：2009-11-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  王鹏飞 ,  仇志军 ,  张卫

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L27/095

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种肖特基隧穿晶体管及其制备方法，该晶体管包括一个半导体衬底、一个源极、一个漏极、一个栅极、一个肖特基结(金属半导体结)和位于所述源极和漏极区域的金属层。所述的肖特基隧穿晶体管用栅极控制反向偏置的肖特基结的带间隧穿电流，该肖特基结一端为源极，另外一端为漏极。本发明提出的肖特基隧穿晶体管制造工艺简单，源极和漏极的形成和栅极自对准。和传统的P-N结隧穿晶体管相比，本发明提出的肖特基隧穿晶体管具有更小的源漏串联电阻以及更好的可缩微性。因而大大提高了半导器件的性能。