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公开(公告)号：CN114613880B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210142701.3
申请日：2022-02-16
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法。该二维光电探测器基于MoS2、hBN、BP、WSe2垂直结构，具有光电流放大增益效果和宽谱响应。制备步骤包括：利用PDMS胶带机械剥离特定层数范围内的MoS2、hBN、BP、WSe2；再将剥离好的材料转移到表面沉积SiO2的Si衬底上，旋涂光刻胶，利用激光直写对光刻胶进行图形化；电子束蒸发得到金属电极；对残余光刻胶进行lift‑off；利用原子层沉积Al2O3对器件进行封装，制备得到具有光电流放大效果的宽光谱光电探测器。该光电探测器在抑制暗电流的同时对光电流信号进行放大，探测率高，响应度高，具有宽范围响应。
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公开(公告)号：CN114628596B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210142702.8
申请日：2022-02-16
Abstract: 本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法。本发明方法包括：采用柔性材料作为衬底；在衬底上沉积一层氧化物材料；将二维半导体材料转移至衬底上；在二维材料两端形成金属电极；在整个器件上旋涂一层有机物；在有机物上转移一层二维BN材料；最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料。与现有技术相比，本发明可以实现可擦除的光存储功能，同时，器件可随意弯曲折叠，在弯折后器件的电学性能保持不变，满足在某些光通讯和光存储下的应用需求。
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公开(公告)号：CN114628596A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210142702.8
申请日：2022-02-16
Abstract: 本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法。本发明方法包括：采用柔性材料作为衬底；在衬底上沉积一层氧化物材料；将二维半导体材料转移至衬底上；在二维材料两端形成金属电极；在整个器件上旋涂一层有机物；在有机物上转移一层二维BN材料；最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料。与现有技术相比，本发明可以实现可擦除的光存储功能，同时，器件可随意弯曲折叠，在弯折后器件的电学性能保持不变，满足在某些光通讯和光存储下的应用需求。
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公开(公告)号：CN114613880A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210142701.3
申请日：2022-02-16
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/111
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法。该二维光电探测器基于MoS2、hBN、BP、WSe2垂直结构，具有光电流放大增益效果和宽谱响应。制备步骤包括：利用PDMS胶带机械剥离特定层数范围内的MoS2、hBN、BP、WSe2；再将剥离好的材料转移到表面沉积SiO2的Si衬底上，旋涂光刻胶，利用激光直写对光刻胶进行图形化；电子束蒸发得到金属电极；对残余光刻胶进行lift‑off；利用原子层沉积Al2O3对器件进行封装，制备得到具有光电流放大效果的宽光谱光电探测器。该光电探测器在抑制暗电流的同时对光电流信号进行放大，探测率高，响应度高，具有宽范围响应。
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公开(公告)号：CN108831951A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810592793.9
申请日：2018-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体为一种二硫化钼基可见至近红外InGaAs探测器及其制备方法。本发明探测器结构包括：采用磷化铟作为衬底材料，在衬底上依次生长InP接触层、铟镓砷吸收层、氧化硅介质层；氧化硅介质层中央开方孔，在氧化硅介质层上转移二硫化钼层，二硫化钼层填充氧化硅介质层方孔，与所述铟镓砷吸收层形成肖特基接触，在二硫化钼层与氧化硅介质层接触区域上方生长上金属电极，在所述InP接触层一侧上生长下金属电极。本发明InGaAs探测器能够实现近红外到可见光范围的宽光谱探测。
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