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公开(公告)号：CN108831951A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810592793.9
申请日：2018-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体为一种二硫化钼基可见至近红外InGaAs探测器及其制备方法。本发明探测器结构包括：采用磷化铟作为衬底材料，在衬底上依次生长InP接触层、铟镓砷吸收层、氧化硅介质层；氧化硅介质层中央开方孔，在氧化硅介质层上转移二硫化钼层，二硫化钼层填充氧化硅介质层方孔，与所述铟镓砷吸收层形成肖特基接触，在二硫化钼层与氧化硅介质层接触区域上方生长上金属电极，在所述InP接触层一侧上生长下金属电极。本发明InGaAs探测器能够实现近红外到可见光范围的宽光谱探测。
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