公开(公告)号：CN100536153C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200610164118.3

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·J·拉塞尔 ,  J·W·阿基森 ,  J·P·甘比诺 ,  R·K·莱迪

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  G02B6/42 ,  G02B6/10

CPC classification number: G01J1/04 ,  G01J1/0407 ,  G01J1/0422 ,  G01J1/0488

Abstract: 一种像素传感结构及其形成方法。所述结构包括(a)半导体衬底和(b)在所述半导体衬底上的光收集区域。所述结构还包括在所述光收集区域的顶部上的漏斗状光导管。所述漏斗状光导管包括(i)在所述光收集区域的的顶部上的底部柱状部分，以及(ii)具有锥形形状且在所述底部柱状部分的顶部上并与所述底部柱状部分直接物理接触的漏斗状部分，其中所述漏斗状部分的截面具有凸面形状。所述结构还包括在所述漏斗状光导管的顶部上的滤色区域。

公开(公告)号：CN100375266C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200510000214.X

申请日：2005-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·P·甘比诺 ,  A·K·斯坦珀

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02167 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成刚性互连结构的方法及其装置，包括以下步骤：提供下金属布线层，该下金属布线层具有位于下低k介质中的第一金属布线；在下金属布线层上淀积上低k介质；蚀刻上低k介质的至少一部分，以提供到达第一金属布线的至少一个过孔；在上低k介质的至少一个过孔中形成刚性介质侧壁隔离层；以及在上低k介质的至少一部分中形成第二金属布线。刚性介质侧壁隔离层可以包括SiCH、SiC、SiNH、SiN或SiO2。可选地，互连结构的过孔区可以使用机械刚性介质来加强，机械刚性介质包括SiO2、SiCOH或掺杂硅酸盐玻璃。

公开(公告)号：CN101088165A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200580044500.4

申请日：2005-12-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·W·阿基森 ,  J·P·甘比诺 ,  M·D·贾菲 ,  R·K·莱迪 ,  R·J·拉斯尔 ,  A·K·斯坦珀

IPC: H01L29/04

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种图像传感器(20)及制造方法，其中该传感器包括铜(Cu)金属化级(135a，135b)，允许结合较薄的级间介质叠层(130a－130c)以导致象素阵列(100)显示增加的光敏感性。图像传感器包括具有最小厚度的阻挡金属层(132a，132b)的结构，阻挡金属层经过传感器阵列中的每个象素的光路，或者具有从每个象素的光路选择除去的阻挡金属层的一部分(50)，从而最小化反射率。即，通过进行各种阻挡或单掩模方法，在阵列中的每个象素的光路的位置完全除去阻挡金属层的一部分。在另一个实施例中，可以通过自对准沉积在Cu金属化上形成阻挡金属层(142)。

公开(公告)号：CN1510735A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310115498.8

申请日：2003-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·H·道本斯佩克 ,  J·P·甘比诺 ,  W·T·莫特西夫

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166

Abstract: 一种熔丝结构的形成方法，其中熔丝上的钝化材料具有可控的基本上均匀的厚度，在形成C4冶金结构之后提供熔丝。也公开了由该方法形成的用于熔丝的激光熔丝消除工艺。

公开(公告)号：CN1113402C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98122391.5

申请日：1998-12-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·B·布龙纳 ,  J·P·甘比诺 ,  C·J·拉登斯 ,  J·A·曼德尔曼 ,  W·R·通蒂

IPC: H01L21/3215 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/28035 ,  H01L21/82345

Abstract: 一种提供双功函数掺杂的方法通过至少各栅结构的一个侧壁，将具有各结构上的自对准绝缘层的所选数目的各栅结构掺杂为第一导电类型，从而提供栅结构阵列，由此使某些所说栅结构掺杂成第一导电类型，而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。另外，提供一种栅结构阵列，使各栅结构含有于其上部的自对准的绝缘层，其中某些所说栅结构掺杂成第一导电类型，而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。

公开(公告)号：CN103227619B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310022416.9

申请日：2013-01-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·W·阿基森 ,  P·坎德拉 ,  T·J·邓巴 ,  J·P·甘比诺 ,  M·D·贾菲 ,  A·K·斯塔珀 ,  R·L·沃尔夫

IPC: H03H9/64

CPC classification number: H03H9/13 ,  G06F17/5081 ,  H01L41/08 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02543 ,  H03H9/64 ,  H03H9/6403 ,  H03H9/6413 ,  H03H2003/0071 ,  H03H2009/02299 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本文中公开了可切换和/或可调谐滤波器、制造方法和设计结构。形成所述滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括在所述压电基底上形成具有多个指状物的固定电极。该方法还包括在所述压电基底之上形成具有多个指状物的可动电极。该方法还包括形成与所述可动电极的所述多个指状物中的一个或多个指状物对准的致动器。

公开(公告)号：CN104040684A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380004855.5

申请日：2013-01-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·C·库尼 ,  J·P·甘比诺 ,  何忠祥 ,  T·C·李 ,  刘小虎

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造后段制程(BEOL)布线结构的方法、BEOL布线结构(10)、以及用于BEOL布线结构的设计结构。可以通过在电介质层(18)中形成第一接线(44、45)并且在无氧环境中对第一接线退火而制造BEOL布线。在对第一接线退火之后，形成与第一接线竖直对准的第二接线(60、61)。形成包括诸如聚酰亚胺的有机材料的最终钝化层(74)，其覆盖第二接线的整个侧壁。

公开(公告)号：CN103367680A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310098776.7

申请日：2013-03-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·埃利斯-莫纳甘 ,  J·P·甘比诺 ,  K·D·彼得森 ,  J·H·兰基

IPC: H01M2/20 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M10/425 ,  H01M2/22 ,  H01M2/26 ,  H01M4/0473 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/058 ,  H01M2220/30 ,  H01M2300/0068 ,  Y10T29/49108

Abstract: 本发明涉及与CMOS器件集成的三维固态电池。提供了一种固态电池结构，具有在衬底中形成的多个电池元。所述多个电池元包括覆盖在第一绝缘层之上的第一集流器层和覆盖在所述第一集流器层之上的第一电极层。所述电池结构还包括覆盖在构图的第二电极层之上的第二集流器层。所述构图的第二电极层覆盖在所述衬底之上，并形成所述电池元的多个子阵列。所述电池结构还包括覆盖在所述第二集流器层之上的第二绝缘层。所述第二绝缘层基本上横向围绕第一接触衬垫和第二接触衬垫。所述第一接触衬垫电连接至所述第一集流器层，并且所述第二接触衬垫电连接至所述第二集流器层。所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫通过至少两个电线与位于所述衬底上的电路电连通。

公开(公告)号：CN100479132C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200710001597.1

申请日：2007-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯腾 ,  T·J·多尔顿 ,  E·E·叶舒 ,  A·K·斯坦珀 ,  J·P·甘比诺 ,  S·L·兰 ,  A·K·津达金迪

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L28/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明旨在具有电容器电极的集成电路梳形电容器，该电容器电极与在相同的金属布线级中并且以相同的间距形成的其它互连和过孔接触相比，在相邻电容器电极之间具有增加的电容。本发明通过使用至多一个附加非必需的光掩膜获得了电容器，其将电容公差最小化并保持寄生电极-衬底电容耦合的对称，而没有对在相同布线级中形成的其它互连和过孔接触产生不利影响。

公开(公告)号：CN100405585C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200480021522.4

申请日：2004-07-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·H·道本斯佩克 ,  J·P·甘比诺 ,  S·E·卢斯 ,  T·J·麦克德维特 ,  W·T·莫特西夫 ,  M·J·波略特 ,  J·C·罗宾斯

IPC: H01L23/28

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于集成电路(IC)的低K介质材料的裂纹停止(28)，用于防止由切割操作期间沿IC芯片外边缘形成的碎裂和破裂引起的对IC芯片有源区的损坏，所述IC在IC芯片上形成，所述IC芯片利用在低K介质材料中的不会形成自钝化氧化物层的金属互连例如铜或银互连。潮湿阻挡或边缘密封(12)被形成为位于沿IC芯片有源区外边缘的金属叠层。裂纹停止通过位于IC芯片外围上的潮湿阻挡/边缘密封外侧的至少一个沟槽或凹槽形成。