公开(公告)号：CN100521188C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200710071667.0

申请日：2007-01-19

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  赵春晖 ,  曹菲

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用的集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法。它包括基片和在基片上设置的Zr粘附层、阻挡层、Zr缓冲层，阻挡层设置在Zr粘附层和Zr缓冲层之间，Zr缓冲层设置在最上面。本发明大大改善了Cu抗电迁徙能力、阻挡层的性能、层间粘附性以及降低接触电阻等方面，而且制备工艺无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用。

公开(公告)号：CN103579306B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310556342.7

申请日：2013-11-11

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  胡海帆 ,  曹菲 ,  刘云涛

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种分裂栅型功率MOS器件，特别设计器件元胞中有源区中包含P柱。该版图中P柱位于每个独立台面结构中心，且为与台面边界平行的六边形柱体，被有源区中深沟槽包围。在不增加工艺难度的基础上，保证器件的击穿电压，改善器件导通电阻，提高器件的工作可靠性。

公开(公告)号：CN103500760B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201310454462.6

申请日：2013-09-29

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  贺晓雯 ,  曹菲 ,  邵雷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种体硅MOSFET结构。该结构包括：p+层（2）和n-层（3）；其中，所述p+层（2）和所述n-层（3）直接接触，n-层使用宽禁带的6H-SiC材料。该结构提高了体硅结构的抗辐照能力。相对于SOI技术而言，该结构改善了自加热效应，消除了总剂量效应，降低了成本。

公开(公告)号：CN102931237B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210381165.9

申请日：2012-10-10

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  单婵 ,  曹菲 ,  邵雷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供的是一种垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。本发明本提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直非对称环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直非对称环栅MOSFET的制造方法。

公开(公告)号：CN103579306A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310556342.7

申请日：2013-11-11

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  胡海帆 ,  曹菲 ,  刘云涛

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明公开了一种分裂栅型功率MOS器件，特别设计器件元胞中有源区中包含P柱。该版图中P柱位于每个独立台面结构中心，且为与台面边界平行的六边形柱体，被有源区中深沟槽包围。在不增加工艺难度的基础上，保证器件的击穿电压，改善器件导通电阻，提高器件的工作可靠性。

公开(公告)号：CN103515444A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310457114.4

申请日：2013-09-24

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  张越 ,  曹菲 ,  胡海帆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供了一种槽栅功率MOS器件，该器件包括：P体区和源极金属，其中，所述源极金属和所述P体区直接接触形成肖特基。通过上述结构，降低了器件内部寄生双极晶体管的作用。在保证本发明器件的基本电学特性与现有技术中的MOS器件相当的前提下，该结构可以有效的降低单粒子烧毁效应的发生。

公开(公告)号：CN102148256B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110067484.8

申请日：2011-03-21

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  兰昊 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208)，介质层(203)的K值是按一定规律分布的，即K值按照从源极到漏极方向越来越小。本发明通过用K值按照一定规律分布的介质层代替原来的侧氧结构，在不牺牲器件耐压的前提下，降低漏-源导通电阻。本发明与常规MOSFET工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN102931237A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210381165.9

申请日：2012-10-10

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  单婵 ,  曹菲 ,  邵雷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供的是一种垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。本发明本提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直非对称环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直非对称环栅MOSFET的制造方法。

公开(公告)号：CN102931127A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210381906.3

申请日：2012-10-10

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  李天琦 ,  曹菲 ,  刘云涛

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明的目的在于提供抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法，包括在半导体衬底上通过刻蚀形成沟槽；在沟槽中淀积一定厚度的牺牲层；刻蚀去除沟槽底部的牺牲层；在沟槽中淀积填充二氧化硅；通过湿法腐蚀选择去除牺牲层，形成空气间隙层。本发明可提供一种降低制造成本、提高器件及电路可靠性，解决了由于辐射所引起泄漏电流增大问题的一种抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法。

公开(公告)号：CN102915947A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210379409.X

申请日：2012-10-09

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  杨晓亮 ,  曹菲 ,  邵磊 ,  刘云涛

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明涉及有源像素传感器领域，特别涉及一种将图像传感器中的部分耗尽（PD）型和全耗尽（FD）型MOS器件在同一绝缘体上硅（SOI）基底实现的SOI结构生成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成半绝缘多晶硅层：在半绝缘多晶硅层上刻蚀出沟槽；在刻蚀后的半绝缘多晶硅薄膜层上得到第二氧化层；刻蚀出一个贯穿至多晶硅衬底的窗口；形成顶层多晶硅层。本发明方法在实现了有源像素传感器中的部分耗尽（PD）型MOS管和全耗尽型（FD）型MOS管在同一SOI基底上制作，提高图像传感器热稳定性和抗辐射性能的同时，降低了工艺的复杂程度。