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公开(公告)号：CN102931127A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210381906.3
申请日：2012-10-10
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明的目的在于提供抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法，包括在半导体衬底上通过刻蚀形成沟槽；在沟槽中淀积一定厚度的牺牲层；刻蚀去除沟槽底部的牺牲层；在沟槽中淀积填充二氧化硅；通过湿法腐蚀选择去除牺牲层，形成空气间隙层。本发明可提供一种降低制造成本、提高器件及电路可靠性，解决了由于辐射所引起泄漏电流增大问题的一种抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法。
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