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公开(公告)号：CN116706164B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310783449.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01M8/04992 , H01M8/04858 , H01M8/04537 , H01M8/1011
Abstract: 本申请公开了直接甲醇燃料电池组的能量转化效率分析方法及系统，方法包括：求解直接甲醇燃料电池组的离子分布方程式，得到局部质子和氧离子分布，基于局部质子和氧离子分布计算阳极电子电流密度；计算直接甲醇燃料电池单体的阳极过电势和阴极过电势，并基于阳极电子电流密度计算直接甲醇燃料电池组的极化特性；基于极化特性确定极化初始条件，并基于极化初始条件确定能量转化效率变量；基于局部质子和氧离子分布构建传质公式，基于传质公式和能量转化效率变量，计算得到能量转化效率。本申请具有分析稳定性以及计算精度高的特点，且占用计算资源少，能够满足直接甲醇燃料电池组设计过程中的能效分析，实现在实际应用过程中的高能量转化效率。
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公开(公告)号：CN117155301A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311104963.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 电荷灵敏放大电路、探测器前端读出电路及方法，涉及CMOS集成电路设计领域。为解决现有技术中，因为结电容的变化对输出脉冲幅度存在影响，通常将半导体探测器工作在耗尽电压状态下，并与电荷灵敏前置放大器进行连接以输出信号，而现有技术中尚未设计出一种适用于SiC中子探测器的前端读出专用集成电路的技术问题，本发明提供的技术方案为：电荷灵敏放大电路，采用单端折叠共源共栅放大器，使电路的噪声更小，输出部分增加了两个源极跟随器避免了因输出管电流过小导致驱动能力差的问题。采用两个跟随器输出，一个输出接反馈电容，另一个输出接零极相消的输入。适用于SIC中子探测器的前端读出电路。
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公开(公告)号：CN115037319A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210293249.0
申请日：2022-03-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供一种侦察、干扰、探测、通信射频一体化集成装置，本发明侦察、干扰、探测、通信一体化设备采用八个共形天线，可以对0.4GHz～4GHz频段内的辐射源信号进行被动探测；通过另外一组八个共形天线，可以对4GHz～18GHz频段内的辐射源信号进行电子侦察与干扰；利用4GHz～18GHz频段内的共形天线，可以将通信模式集成到整体设备上，与干扰模式共用一个链路，可通过程序控制进行切换，即可实现将通信模式集成到一体化设备。
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公开(公告)号：CN114488034A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210066927.X
申请日：2022-01-20
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开了一种被动探测与侦察干扰一体化装置及方法，包括共口径天线、微波射频模块、ADC模块、FPGA模块、DSP模块和DAC模块；共口径天线包括接收天线和发射天线；可以单独实现侦察干扰功能，或者单独实现被动探测功能或者同时实现侦察干扰功能和被动探测功能。本发明将被动探测与侦察干扰功能进行一体化整合，对两个功能进行一体化集成和控制既可以单独分时工作也可以同时工作提高了一体化设备的性能；采用共口径天线的设计，一方面使一体化装置的结构更加高效合理，同时可以满足侦察干扰和被动探测的共同需求，减少天线的使用量，减小体积和冗余部件减轻重量。
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公开(公告)号：CN109669054B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910126799.1
申请日：2019-02-20
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及MEMS惯性器件领域，具体涉及一种高精度全差分电容‑电压转换电路系统。包括驱动信号产生部，全差分电荷放大器，电容补偿阵列；整体转换电路与传感器敏感结构仍然采用具单端连接的输出的方式，通过分时复用实现全差分电路结构；电路采用开关电容结构消除寄生电容的影响，主要信号通路均通过相关双采样技术消除低频噪声和失调，电容补偿阵列可对传感器敏感结构的失调和非线性进行校准。本发明能够有效的抑制寄生电容影响，降低开关电荷注入和衬底噪声产生的共模干扰，减小电路的谐波失真，提高加速度计系统的线性度，抑制零点漂移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110535442A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910881024.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03F1/26 , H03F3/68 , H03G3/30 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种应用于电容式加速度计的可编程增益放大器，属于MEMS惯性器件领域。采用开关电容结构，主要由开关，电容，可变电容阵列，运算放大器组成。通过分时复用、分时输出实现开关电容可编程增益放大器的连续信号输出，并实现全差分电路结构；通过相关双采样技术消除低频噪声和失调；可变电容阵列的n个电容呈指数分布，利用程序控制可变电容阵列来实现2n种不同的电容值，可变电容阵列选择采样电容而不是反馈电容，避免对放大器性能的影响。本发明可以实现2n种可调增益，大大提高了电路精度，能够适用于不同的电容式加速度传感器敏感结构，并实现多量程检测。
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公开(公告)号：CN104660929B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510032730.4
申请日：2015-01-22
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及一种采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器。本发明采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器，包括光电传感器、电荷积分器、相关双采样或数字相关双采样装置、模数转换器，所述电荷积分器的输出信号经过电压积分器或数字累加器得到积分电压数字值。与电荷积分型CMOS图像传感器相比，本发明利用电荷积分电压在积分时间内所围成的面积来表征光强大小，不再受最大可容纳电荷量的限制，避免了高光条件下由于电荷积分饱和造成的信息损失。
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公开(公告)号：CN104243867B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410489838.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及一种高像素高帧率的CMOS图像传感器及图像采集方法，包括依次连接的像素阵列部(101)、增量ΣΔADC阵列部(102)、数字相关双采样部(103)和缓冲存储器部(104)，还包括行译码单元部(105)，行译码单元部(105)的信号输出端接像素阵列部(101)的控制端，还包括列读出控制电路(106)，列读出控制电路(106)的信号输出端接缓冲存储器部的控制端，增量ΣΔADC阵列部(102)接有电压缓冲器(107)和时钟延迟与驱动电路(108)。
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公开(公告)号：CN104243867A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410489838.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及一种高像素高帧率的CMOS图像传感器及图像采集方法，包括依次连接的像素阵列部(101)、增量ΣΔADC阵列部(102)、数字相关双采样部(103)和缓冲存储器部(104)，还包括行译码单元部(105)，行译码单元部(105)的信号输出端接像素阵列部(101)的控制端，还包括列读出控制电路(106)，列读出控制电路(106)的信号输出端接缓冲存储器部的控制端，增量ΣΔADC阵列部(102)接有电压缓冲器(107)和时钟延迟与驱动电路(108)。
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公开(公告)号：CN102931092A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210414956.7
申请日：2012-10-26
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种自对准SOI FD MOSFET形成方法。包括对硅薄膜层10进行P型掺杂；在硅薄膜层10上生长栅氧层11；在栅氧层11上淀积多晶硅12，氮化硅掩蔽层13；将氮化硅掩蔽层13两侧、埋氧层2之上的材料全刻蚀掉，将两侧埋氧层2刻蚀掉一定厚度；采用横向外延技术在栅区8两侧被刻蚀掉的空处生长外延层9，并对外延层9进行N型轻掺杂；栅区8上再次淀积氮化硅掩蔽层13，再一次刻蚀，使两侧外延生长的半导体层9表面和栅氧层6下表面相平；在栅电极两侧形成栅侧墙7。本发明本提供一种采用自对准和横向外延生长技术，提高器件质量和特性的自对准SOI FD MOSFET形成方法。
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