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公开(公告)号：CN104184478B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410386730.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03M3/02
Abstract: 本发明提供的是一种互补共源共栅反相器及增量Sigma‑Delta模数转换电路。由二阶ΣΔ调制器(101)、降采样滤波器(102)、时钟信号产生电路(103)和低压‑高压转换器(104)构成，二阶ΣΔ调制器(101)中的带复位端的开关电容积分器中包括互补共源共栅反相器，所述互补共源共栅反相器包括第一PMOS1管和第一NMOS1管，在第一PMOS1管和第一NMOS1管之间串联第二NMOS2管和第二PMOS2管，第二NMOS2管在上，第二NMOS2管的栅端接电源电压VDD，第二PMOS2管在下，第二PMOS2管栅端接地GND。本发明的ADC具有极低的功耗和可在低电源电压下工作的特点，适用于便携式仪器和测量等领域中。
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公开(公告)号：CN102624397A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210077500.6
申请日：2012-03-22
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03M3/02
Abstract: 本发明属于MEMS惯性器件领域，具体涉及一种电容式微加速度计数字输出的全差分数字加速度计接口电路系统。本发明包括驱动信号产生部、全差分电荷积分器、全差分后级放大器、全差分前置补偿器、相关双采样与采样保持电路、全差分电学积分器、1位动态比较器、1位数模转换器和1位静电力反馈，本发明提高了加速度计系统线性度，有效降低了模数转换的量化噪声，抑制了零点漂移，减小了开关电荷注入和衬底噪声产生的共模干扰，提高了电源抑制比，减小了谐波失真。
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公开(公告)号：CN104660929A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510032730.4
申请日：2015-01-22
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及一种采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器。本发明采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器，包括光电传感器、电荷积分器、相关双采样或数字相关双采样装置、模数转换器，所述电荷积分器的输出信号经过电压积分器或数字累加器得到积分电压数字值。与电荷积分型CMOS图像传感器相比，本发明利用电荷积分电压在积分时间内所围成的面积来表征光强大小，不再受最大可容纳电荷量的限制，避免了高光条件下由于电荷积分饱和造成的信息损失。
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公开(公告)号：CN102624397B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210077500.6
申请日：2012-03-22
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03M3/02
Abstract: 本发明属于MEMS惯性器件领域，具体涉及一种电容式微加速度计数字输出的全差分数字加速度计接口电路系统。本发明包括驱动信号产生部、全差分电荷积分器、全差分后级放大器、全差分前置补偿器、相关双采样与采样保持电路、全差分电学积分器、1位动态比较器、1位数模转换器和1位静电力反馈，本发明提高了加速度计系统线性度，有效降低了模数转换的量化噪声，抑制了零点漂移，减小了开关电荷注入和衬底噪声产生的共模干扰，提高了电源抑制比，减小了谐波失真。
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公开(公告)号：CN104184478A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410386730.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03M3/02
Abstract: 本发明提供的是一种互补共源共栅反相器及增量Sigma-Delta模数转换电路。由二阶ΣΔ调制器(101)、降采样滤波器(102)、时钟信号产生电路(103)和低压-高压转换器(104)构成，二阶ΣΔ调制器(101)中的带复位端的开关电容积分器中包括互补共源共栅反相器，所述互补共源共栅反相器包括第一PMOS1管和第一NMOS1管，在第一PMOS1管和第一NMOS1管之间串联第二NMOS2管和第二PMOS2管，第二NMOS2管在上，第二NMOS2管的栅端接电源电压VDD，第二PMOS2管在下，第二PMOS2管栅端接地GND。本发明的ADC具有极低的功耗和可在低电源电压下工作的特点，适用于便携式仪器和测量等领域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101546767A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910071964.4
申请日：2009-05-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/07 , H01L29/74 , H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的是一种可降低通态功耗的自关断晶闸管，其内部结构为：一个PNPN型半导体主晶闸管，高掺杂P型层(1)经金属层(1M)引出阳极，在高掺杂P型层(1)上依次为低掺杂N型基区层(2)和P型基区层(3)，在P型基区层(3)上为高掺杂N型层(4)经金属层(4M)引出阴极，同时在P型基区层(3)经金属层(3M)引出门极；一个PNP型半导体晶体管，高掺杂P型层(1)经金属层(1M)引出发射极，在高掺杂P型层(1)上依次为低掺杂N型基区层(2)和P型基区层(3)，在P型基区层(3)上为高掺杂P型层(5)经金属层(5M)引出集电极。PNPN型主晶闸管和PNP型晶体管部分由N－区隔离。该晶闸管结构具有较低的导通电阻，从而达到提高晶闸管的通态电流的目的。
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公开(公告)号：CN104660929B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510032730.4
申请日：2015-01-22
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及一种采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器。本发明采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器，包括光电传感器、电荷积分器、相关双采样或数字相关双采样装置、模数转换器，所述电荷积分器的输出信号经过电压积分器或数字累加器得到积分电压数字值。与电荷积分型CMOS图像传感器相比，本发明利用电荷积分电压在积分时间内所围成的面积来表征光强大小，不再受最大可容纳电荷量的限制，避免了高光条件下由于电荷积分饱和造成的信息损失。
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公开(公告)号：CN104243867B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410489838.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及一种高像素高帧率的CMOS图像传感器及图像采集方法，包括依次连接的像素阵列部(101)、增量ΣΔADC阵列部(102)、数字相关双采样部(103)和缓冲存储器部(104)，还包括行译码单元部(105)，行译码单元部(105)的信号输出端接像素阵列部(101)的控制端，还包括列读出控制电路(106)，列读出控制电路(106)的信号输出端接缓冲存储器部的控制端，增量ΣΔADC阵列部(102)接有电压缓冲器(107)和时钟延迟与驱动电路(108)。
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公开(公告)号：CN104243867A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410489838.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及一种高像素高帧率的CMOS图像传感器及图像采集方法，包括依次连接的像素阵列部(101)、增量ΣΔADC阵列部(102)、数字相关双采样部(103)和缓冲存储器部(104)，还包括行译码单元部(105)，行译码单元部(105)的信号输出端接像素阵列部(101)的控制端，还包括列读出控制电路(106)，列读出控制电路(106)的信号输出端接缓冲存储器部的控制端，增量ΣΔADC阵列部(102)接有电压缓冲器(107)和时钟延迟与驱动电路(108)。
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公开(公告)号：CN102087312A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010561875.0
申请日：2010-11-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: G01R19/175
Abstract: 本发明提供的是一种信号自动控制峰值检测器。包括PD电路(11)、峰值甄别电路(14)、ADC(12)、后端处理器(13)；输入信号一路经PD电路(11)后输出峰值电压到ADC(12)模拟电压输入端，输入信号另一路经微分电路(41)接到比较器(42)负端，与零电压进行比较，输出脉冲控制ADC(12)以及后端处理器(13)产生复位信号给PD电路(11)和ADC(12)；ADC(12)在转化完成后由EOC端输出高电平控制处理器(13)读取数据。本发明实现了输入信号自动触发控制，使其适用于波形宽度较大、ADC转化速度快的应用场合，消除了对高速ADC的限制，减少系统采集信号的死时间。
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