-
公开(公告)号：CN107919180B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201711078038.0
申请日：2017-11-04
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 为克服现有技术中制备银纳米线网格电极时退火温度高的问题，本发明提供一种银纳米线网格电极的制备方法，包括：S1、清洗衬底：将衬底分别在三氯乙烯、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，氮气吹干；S2、制备银纳米线乙醇混合液；S3、采用银纳米线乙醇混合液，通过滴涂成膜方法在衬底上制备银纳米线网格，干燥；S4、将聚四氟乙烯板置于银纳米线网格上，在100℃以下的温度下经聚四氟乙烯板对银纳米线网格均匀持续施加14千克以下的压力，持续5～35分钟，形成银纳米线网格电极。本发明提供的方法熔接的银纳米线网格电极所需的温度较低，满足柔性器件对退火温度的需求，可应用于有机发光二极管、薄膜晶体管和太阳能电池等光电器件中。
-
公开(公告)号：CN110369840A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910676145.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种微电子器件封装焊接机，包括：底板；顶板，其设置在所述底板上方；输送带，其可拆卸设置在所述底板上，能够运送微电子器件的底座和封盖；定位架，可旋转支撑在所述底板上，位于所述输送带一侧，能够定位和固定微电子器件的底座；第一伸缩架，其一端可拆卸连接所述顶板；焊接枪，其连接所述第一伸缩架另一端，并与所述定位架同轴设置；第二伸缩架，其一端可拆卸连接所述顶板；封装架，其连接所述第二伸缩架另一端，能够夹持所述微电子器件的封盖，利用输送架将封装底座和封装盖，输送至焊接枪和封装架工位进行封装，无需人力干预，且可同时输送多个待封装件，生产效率高，本发明还公开了一种微电子器件封装焊接机。
-
公开(公告)号：CN108962759B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810775194.0
申请日：2018-07-15
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于一种薄膜晶体管的制备方法。包括清洁衬底，栅极沉积，绝缘层沉积，富氧氧化锌沟道层沉积，低氧氧化锌沟道层沉积，源电极和漏电极沉积。优点是通过双有源层结构、叉指源漏电极的制备，提供富氧、低氧分层制备沟道层来提高器件稳定性与开态电流，在其上制备叉指形状的源、漏电极进一步大幅提高开态电流，且制备工艺简单，为市场上在普遍使用的射频磁控溅射和电子束蒸发，无需更换生产线；原材料为纯氧化锌，成本低廉、绿色环保。在紫外探测、显示驱动等领域都具有应用前景。使纯氧化锌薄膜晶体管在市场上更加具备应用潜力。
-
公开(公告)号：CN109994559A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910249023.9
申请日：2019-03-29
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种半导体氧化膜，所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成，其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓；并且，还含有氢；所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+W)的比例为In：20～50原子％、Ga：8～25原子％、Zn：20～50原子％和W：10～30原子％。本发明提供了一种半导体氧化膜，其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法，其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制，来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。
-
公开(公告)号：CN108517048A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810401751.2
申请日：2018-04-28
Applicant: 吉林建筑大学
CPC classification number: C08J7/06 , C08J7/123 , C08J2367/02 , C08J2379/08 , H01L51/5215
Abstract: 本发明提供了一种银纳米线网格-还原氧化石墨烯复合电极的制备方法，包括以下步骤：在衬底表面沉积银纳米线，得到银纳米线网格；在所述银纳米线网格上表面涂覆氧化石墨烯水溶液，在衬底表面形成银纳米线网格-氧化石墨烯复合薄膜；对所述银纳米线网格-氧化石墨烯复合薄膜进行紫外线照射，得到银纳米线网格-还原氧化石墨烯复合电极。本发明提供的制备方法利用银纳米线表面的等离子体共振效应辅助紫外灯辐照还原氧化石墨烯，得到银纳米线网格-还原氧化石墨烯复合电极，该制备方法步骤简单，成本低，容易操作，且所得复合电极有优异的空气稳定性和较高的导电性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107919180A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711078038.0
申请日：2017-11-04
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 为克服现有技术中制备银纳米线网格电极时退火温度高的问题，本发明提供一种银纳米线网格电极的制备方法，包括：S1、清洗衬底：将衬底分别在三氯乙烯、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，氮气吹干；S2、制备银纳米线乙醇混合液；S3、采用银纳米线乙醇混合液，通过滴涂成膜方法在衬底上制备银纳米线网格，干燥；S4、将聚四氟乙烯板置于银纳米线网格上，在100℃以下的温度下经聚四氟乙烯板对银纳米线网格均匀持续施加14千克以下的压力，持续5～35分钟，形成银纳米线网格电极。本发明提供的方法熔接的银纳米线网格电极所需的温度较低，满足柔性器件对退火温度的需求，可应用于有机发光二极管、薄膜晶体管和太阳能电池等光电器件中。
-
公开(公告)号：CN106075783B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610135701.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: A62C37/00
Abstract: 本发明公开了一种具有电源转换功能的消防控制系统，包括：手动控制盘，其设置于小区消防控制室内，所述手动控制盘内设置有低压电源和手动控制开关；现场消防控制箱，其设置于小区各个单体建筑内，所述现场消防控制箱内设置有消防设备控制电路；电源转换箱，其设置于小区消防控制室内，通过导线分别与手动控制盘和现场消防控制箱连接；所述电源转换箱内设置有电磁线圈和消防设备控制开关，所述电磁线圈与手动控制盘内的低压电源和手动控制开关连接，通过手动控制开关闭合为电磁线圈通入低压电；所述电磁线圈通电后能够使消防设备控制开关闭合，从而将220V电传输到现场消防控制箱。本发明传输导线线径可以用较小的，节省成本，实用性强。
-
公开(公告)号：CN108517048B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810401751.2
申请日：2018-04-28
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明提供了一种银纳米线网格‑还原氧化石墨烯复合电极的制备方法，包括以下步骤：在衬底表面沉积银纳米线，得到银纳米线网格；在所述银纳米线网格上表面涂覆氧化石墨烯水溶液，在衬底表面形成银纳米线网格‑氧化石墨烯复合薄膜；对所述银纳米线网格‑氧化石墨烯复合薄膜进行紫外线照射，得到银纳米线网格‑还原氧化石墨烯复合电极。本发明提供的制备方法利用银纳米线表面的等离子体共振效应辅助紫外灯辐照还原氧化石墨烯，得到银纳米线网格‑还原氧化石墨烯复合电极，该制备方法步骤简单，成本低，容易操作，且所得复合电极有优异的空气稳定性和较高的导电性。
-
公开(公告)号：CN109731265B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201910060780.1
申请日：2019-01-22
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开一种基于气敏传感器的消防用防火喷淋装置，包括：底座，其顶面中心设置有矩形凹槽，所述凹槽一侧壁上设置有齿条；通槽，其为矩形，且设置在所述凹槽底面中心并贯穿所述底座底面；齿轮，其设置在所述凹槽内且与所述齿条啮合，所述齿轮能够沿所述凹槽轴向运动；第一连接臂，其一端通过第一旋转盘可旋转设置在所述齿轮底面中心；第二连接臂，其一端通过第二旋转盘可旋转设置在所述第一连接臂另一端；喷头，其为圆柱形，其顶面通过第三旋转盘可旋转设置在所述第二连接臂另一端，所述喷头底面和周向侧面均匀设置有喷水孔。本发明还提供一种基于气敏传感器的消防用防火喷淋装置的控制方法，实现高效灭火。
-
公开(公告)号：CN110379716A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910670628.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法，包括步骤：1：配置得到蛋白质溶液；步骤2：将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上，待溶剂挥发后，干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜；步骤3：在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩模板，蒸镀铝薄膜，形成栅电极；步骤4：在所述栅电极上覆盖第二掩模板，溅射沉积HfO2绝缘层薄膜；其中，靶溅射功率为140～160W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O2为8.5:1～9.5:1，沉积时间为1.5～2.5h，HfO2绝缘层薄膜厚度为190～210nm；步骤5：在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩模板，溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜；步骤6：在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板，蒸镀源极和漏极后，获得可降解薄膜晶体管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.017 seconds)
