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公开(公告)号：CN120030958A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510119111.2
申请日：2025-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括具有光波导的光中介层；多个芯片堆叠件，设置在所述光中介层上方，所述多个芯片堆叠件中的每个都包括第一光子IC芯片和位于所述第一光子IC晶圆上方的存储芯片；以及分别与所述多个芯片堆叠件相邻设置的多个第一激光源芯片，其中，所述光中介层中的光波导被配置为光学互连结构，以通过所述第一光子IC芯片与所述存储芯片耦合。本公开的实施例还提供了一种制造集成电路(IC)结构的方法。
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公开(公告)号：CN113594176B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202011441786.2
申请日：2020-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，通过在不同且独立的工艺过程中制造字线的部分来形成存储器阵列，从而允许首先形成的部分在之后的工艺过程中用作结构支撑，否则将对结构造成不期望的损坏。
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公开(公告)号：CN113675213B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110367074.9
申请日：2021-04-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：字线，沿第一方向延伸；数据存储层，位于字线的侧壁上；沟道层，位于数据存储层的侧壁上；背栅隔离件，位于沟道层的侧壁上；以及位线，具有第一主区域和第一延伸区域，第一主区域接触沟道层，第一延伸区域通过背栅隔离件与沟道层分离，位线沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。本申请的实施例提供了三维存储器件和方法。
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公开(公告)号：CN113517301B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202110701405.8
申请日：2021-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 存储器阵列器件包括位于半导体衬底上方的晶体管的堆叠件，该堆叠件的第一晶体管设置在该堆叠件的第二晶体管上方。第一晶体管包括沿着第一字线的第一存储器膜以及沿着源极线和位线的第一沟道区域，第一存储器膜设置在第一沟道区域和第一字线之间。第二晶体管包括沿着第二字线的第二存储器膜以及沿着源极线和位线的第二沟道区域，第二存储器膜设置在第二沟道区域和第二字线之间。存储器阵列器件包括电连接至第一字线的第一阶梯通孔和电连接至第二字线的第二阶梯通孔，第二阶梯通孔和第一阶梯通孔具有不同的宽度。本发明的实施例还涉及存储器阵列器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN113497044B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110690774.1
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 铁电隧道结(FTJ)存储器器件包括：位于衬底上方的底部电极；位于底部电极上面的顶部电极；以及位于底部电极和顶部电极之间的铁电隧道结存储器元件。该铁电隧道结存储器元件包括至少一个铁电材料层和至少一个隧穿介电层。本发明的实施例还涉及铁电隧道结存储器器件的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113394232B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202110126850.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 形成存储器件的方法，包括：在衬底上方依次形成第一层堆叠件和第二层堆叠件，第一层堆叠件和第二层堆叠件具有相同的层状结构，层状结构包括介电材料，介电材料上方的沟道材料，以及沟道材料上方的源极/漏极材料；形成贯穿第一层堆叠件和第二层堆叠件的开口；通过用第一介电材料替换由开口所暴露的源极/漏极材料的部分，形成内部间隔件；用铁电材料做开口的侧壁的衬里；通过用导电材料填充开口以形成栅电极；形成穿过第一层堆叠件和第二层堆叠件的凹槽，凹槽从第二层堆叠件的侧壁朝向栅电极延伸；以及用第二介电材料填充凹槽。根据本申请的实施例，还提供了存储器件。
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公开(公告)号：CN113540115B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110318852.5
申请日：2021-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 形成三维(3D)存储器件的方法包括：在衬底上方形成层堆叠件，该层堆叠件包括第一介电材料与第二介电材料的交替层；形成延伸穿过层堆叠件的沟槽；将第二介电材料替换成导电材料以形成字线(WL)；用铁电材料内衬沟槽的侧壁和底部；用第三介电材料填充沟槽；形成垂直延伸穿过第三介电材料的位线(BL)和源极线(SL)；去除第三介电材料的一部分，以在第三介电材料中的BL和SL之间形成开口；沿开口的侧壁形成沟道材料；并用第四介电材料填充开口。本申请的实施例还涉及三维(3D)存储器件。
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公开(公告)号：CN113540151A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110720940.8
申请日：2021-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 本文公开了存储器器件和形成存储器器件的方法。存储器器件包括：电阻存储器阵列，包括第一电阻存储器单元；阶梯接触结构，与电阻存储器阵列相邻；以及金属间介电层，位于阶梯接触结构上方。存储器器件还包括：第一二极管和第二二极管，位于金属间介电层上方。存储器器件还包括：第一导电通孔，将第一二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第一电阻器；以及第二导电通孔，将第二二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第二电阻器。
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公开(公告)号：CN113497044A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110690774.1
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509
Abstract: 铁电隧道结(FTJ)存储器器件包括：位于衬底上方的底部电极；位于底部电极上面的顶部电极；以及位于底部电极和顶部电极之间的铁电隧道结存储器元件。该铁电隧道结存储器元件包括至少一个铁电材料层和至少一个隧穿介电层。本发明的实施例还涉及铁电隧道结存储器器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN113421885A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110693104.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/1159 , H01L27/11592 , H01L29/78 , H01L29/51
Abstract: 一种存储器器件、一种晶体管及其制作方法，存储器器件包括铁电(FE)结构及顶部电极层，铁电结构包括介电层、设置在介电层上的铁电层及设置在铁电层上的界面金属层，其中界面金属层包含钨(W)、钼(Mo)、钌(Ru)、氮化钽(TaN)、或它们的组合以诱发铁电层具有正交晶相；顶部电极层设置在界面金属层上。
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