公开(公告)号：CN105529357A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510559557.3

申请日：2015-09-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰 ,  林志忠 ,  陈诗豪 ,  林木沧 ,  张永融

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/1033

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收衬底，衬底具有有源鳍、位于有源鳍上方的氧化物层、位于氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于氧化物层上方和伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而产生第一沟槽；蚀刻第一沟槽中的氧化物层，从而产生位于间隔件部件下方的空腔；在第一沟槽和空腔中沉积介电材料；以及蚀刻第一沟槽以暴露出有源鳍，从而在空腔中留下介电材料的第一部分。本发明的实施例还涉及用于FinFET的方法和结构。

公开(公告)号：CN104051266A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310329355.0

申请日：2013-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志忠 ,  林志翰 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管（finFET）和形成方法。在一个或多个鳍上方形成栅电极。在栅电极的端部中沿着栅电极的基底形成沟槽。可选地，可以使诸如浅沟道隔离件的下面的介电层凹进到沟槽下方，从而减少间隙填充问题。本发明还提供了用于鳍式场效应晶体管的鳍形状及其形成方法。

公开(公告)号：CN101685771B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200910173267.X

申请日：2009-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  陈嘉仁 ,  林益安 ,  林志忠

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32862 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种用以预处理及稳定蚀刻腔室的方法及蚀刻腔室的清洁方法，其中用以蚀刻腔室的清洁方法包含提供一蚀刻腔室；导入一含有一惰性气体的第一气体至蚀刻腔室中持续一第一时间；以及在持续第一时间后，传送一第一晶片进入蚀刻腔室，对第一晶片进行蚀刻工艺。本实施例提供一或多个如下所述的优点：(1)减少工艺腔室中的污染物及杂质；(2)减少头片晶片效应；(3)改进晶片关键尺寸的变化；(4)使长期使用工艺腔室所带来的损害最小化；(5)减少用于清洁的平均时间；(6)减少对晶片批作工艺处理的成本：(7)增加每小时可对晶片作工艺处理的数量。

公开(公告)号：CN101667541B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910168185.6

申请日：2009-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志忠 ,  林益安 ,  陈嘉仁

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法。此方法包含对一基材进行一第一蚀刻工艺来移除在该基材上的多晶硅层及金属层；对该基材使用一稀释的氢氟酸来移除高分子残余物；随后对该基材使用一包含盐酸、过氧化氢及水的清洁溶液；进行一含有稀释盐酸的湿式蚀刻工艺来移除盖层；以及对该基材进行一第二蚀刻工艺来移除高介电常数材料层。本发明能够移除在形成栅极堆叠过程中形成的高分子残余物，并且还易于移除该过程中形成的盖层。

公开(公告)号：CN101673677A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910169153.8

申请日：2009-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉仁 ,  林益安 ,  林日泽 ,  林志忠 ,  林毓超 ,  陈昭成 ,  黄国泰

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636

Abstract: 本发明提供一种半导体制造方法，该方法包括在制造工艺中界定及/或修改栅极结构高度的步骤。上述栅极高度可在制造工艺中一个或以上的阶段，借由蚀刻包含于上述栅极结构中的多晶硅层的一部分而修改(例如降低)。本发明的方法包括于基板上形成一涂层，且该涂层覆盖上述栅极结构。上述涂层经回蚀而露出部分的上述栅极结构。上述栅极结构(例如多晶硅)经回蚀而降低该栅极结构的高度。本发明的制造方法可提供一较大的栅极蚀刻工艺容许度。此外，上述方法使栅极高度根据特定的装置目的而调整，允许在制造工艺中不同的阶段降低栅极高度。

公开(公告)号：CN106206308B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201510226190.3

申请日：2015-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志翰 ,  林志忠 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法。该方法包括在鳍部件的不同部分上方形成第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，鳍部件形成在衬底上，在第一和第二栅极堆叠件之间的间隙中形成第一介电层，去除第一栅极堆叠件以形成第一栅极沟槽，因此第一栅极沟槽暴露鳍部件的部分。该方法也包括去除鳍部件的暴露部分并在第一栅极沟槽中形成隔离部件。

公开(公告)号：CN110277447A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201810920822.X

申请日：2018-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志平 ,  陈昭成 ,  林志忠 ,  杨棋帏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了包括在栅极结构的不同部分具有不同轮廓的栅极结构的半导体器件结构。在一些实例中，半导体器件包括鳍结构，位于衬底上；源极/漏极结构，位于鳍结构上；以及栅极结构，位于鳍结构上方并沿着鳍结构的侧壁。源极/漏极结构邻近栅极结构。栅极结构具有顶部和底部，顶部具有第一侧壁轮廓，底部具有不同于第一侧壁轮廓的第二侧壁轮廓。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的具有期望轮廓的栅极结构。

公开(公告)号：CN106158658B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201510193573.5

申请日：2015-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  程潼文 ,  张哲诚 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 一种制造Fin‑FET器件的方法包括在衬底中形成多个鳍，其中，该衬底包括中心区域和围绕该中心区域的外围区域。栅极材料层沉积在鳍上方，且用蚀刻气体蚀刻栅极材料层以形成栅极，其中，该蚀刻气体以中心区域处的流速与外围区域处的流速的比率在从0.33至3的范围内进行供给。本发明还涉及制造Fin‑FET器件的装置。

公开(公告)号：CN104599970B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410308658.9

申请日：2014-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  陈建颖 ,  林志忠 ,  林志翰 ,  张永融

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886

Abstract: 本发明提供了用于形成半导体器件的机制的实施例。该半导体器件包括衬底。该半导体器件也包括位于衬底上方的第一鳍和第二鳍。该半导体器件还包括分别横跨在第一鳍和第二鳍上方的第一栅电极和第二栅电极。此外，该半导体器件包括位于第一鳍和第一栅电极之间以及位于第二鳍和第二栅电极之间的栅极介电层。而且，该半导体器件包括位于衬底上方的伪栅电极，并且伪栅电极位于第一栅电极和第二栅电极之间。伪栅电极的上部宽于伪栅电极的下部。

公开(公告)号：CN104051266B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201310329355.0

申请日：2013-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志忠 ,  林志翰 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管（finFET）和形成方法。在一个或多个鳍上方形成栅电极。在栅电极的端部中沿着栅电极的基底形成沟槽。可选地，可以使诸如浅沟道隔离件的下面的介电层凹进到沟槽下方，从而减少间隙填充问题。本发明还提供了用于鳍式场效应晶体管的鳍形状及其形成方法。