公开(公告)号：CN110277447B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN201810920822.X

申请日：2018-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志平 ,  陈昭成 ,  林志忠 ,  杨棋帏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了包括在栅极结构的不同部分具有不同轮廓的栅极结构的半导体器件结构。在一些实例中，半导体器件包括鳍结构，位于衬底上；源极/漏极结构，位于鳍结构上；以及栅极结构，位于鳍结构上方并沿着鳍结构的侧壁。源极/漏极结构邻近栅极结构。栅极结构具有顶部和底部，顶部具有第一侧壁轮廓，底部具有不同于第一侧壁轮廓的第二侧壁轮廓。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的具有期望轮廓的栅极结构。

公开(公告)号：CN110277447A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201810920822.X

申请日：2018-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志平 ,  陈昭成 ,  林志忠 ,  杨棋帏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了包括在栅极结构的不同部分具有不同轮廓的栅极结构的半导体器件结构。在一些实例中，半导体器件包括鳍结构，位于衬底上；源极/漏极结构，位于鳍结构上；以及栅极结构，位于鳍结构上方并沿着鳍结构的侧壁。源极/漏极结构邻近栅极结构。栅极结构具有顶部和底部，顶部具有第一侧壁轮廓，底部具有不同于第一侧壁轮廓的第二侧壁轮廓。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的具有期望轮廓的栅极结构。