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公开(公告)号：CN115498111A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211188770.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿太阳电池，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层；所述界面修饰层的材料为双(2‑羟乙基)二甲基氯化铵。所述钙钛矿太阳电池中的界面修饰层的材料能够很好地对钙钛矿表面缺陷进行钝化，进而提高太阳电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN114758002A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210670391.2
申请日：2022-06-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于航拍图像的光伏组串位置确定方法及系统，涉及太阳能光伏电站运维及图像处理技术领域，该方法包括：建立光伏电站的样本数据集，并基于样本数据集对改进的U‑Net模型进行训练，得到目标分割模型；将获取的目标光伏电站的航拍图像输入到目标分割模型中，以确定目标光伏电站的光伏组串分割结果图；采用形态学图像处理算法对光伏组串分割结果图进行处理，以确定目标光伏电站中各个光伏组串的位置信息和尺寸信息。本发明能够准确检测出光伏电站中光伏组串的位置信息和尺寸信息，以便于航线规划和光伏电站的数字化和信息化管理。
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公开(公告)号：CN108183169A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711453211.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域，该电池采用经特定规格刻蚀的ITO玻璃作为衬底，钙钛矿材料作为吸收层，使用轻薄可塑性较好的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖膜以及对钙钛矿材料影响不显著的透明AB胶来对钙钛矿电池进行封装，最大程度的保证了密封性，使得钙钛矿电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN105297072B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510702423.2
申请日：2015-10-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种含硒的ZnO光阳极，包括FTO衬底和在FTO衬底表面依次沉积的ZnO:B薄膜、ZnO薄膜和ZnSe薄膜；以含硒的ZnO光阳极组装光电化学电池用于光电化学电解水，提高ZnO光阳极的光电化学性能。本发明利用热蒸发设备在绒面的ZnO:B‑ZnO光阳极上蒸硒原子，降低了光阳极内光生载流子复合速度、提供了PEC性能；利用MOCVD沉积系统和热蒸发沉积系统来制备含硒的ZnO光阳极，制备步骤简单，易操作，可重复性强和易于大面积沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101562215B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200910069034.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
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公开(公告)号：CN103635004A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310677178.5
申请日：2013-12-13
Applicant: 南开大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 一种等离子体中离子种类与数量密度分布的测量方法，在测量装置上进行，测量步骤如下：1）将用于测量等离子体的金属探针置入待测等离子体的真空腔室内并通过真空封接装置将真空腔室密封；2）在真空腔室内通入沉积镀膜气体硅烷和平衡气体氢气；3）采用数字存储示波器记录不同硅烷气体流量情况下所测得的电流、电压信号的时域波形和频域波形；4）通过分析波形的谐波组成和震荡幅度，获得等离子体中的离子种类与数量密度分布。本发明的优点是：该测量方法设施简单，无需频率补偿电路，成本低廉；同时不受反应气体对金属导体表面污染的影响，可分析反应活性较强的气体等离子体，适用范围广。
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公开(公告)号：CN103515484A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310416643.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/35
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02366 , H01L31/022483 , H01L31/074 , H01L31/1884
Abstract: 一种周期性结构的绒面透明导电薄膜，包括玻璃衬底层、起模板作用的第一层ZnO薄膜和起修饰作用的第二层ZnO薄膜并依次形成叠层结构，第一层ZnO薄膜厚度为300-1500nm，第二层ZnO薄膜的厚度为400-1000nm，构成具有散射作用的周期性结构绒面透明导电薄膜；其制备方法：利用水浴方法组装PS微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用PS微球的模板作用，得到具有周期性结构的陷光ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是：制备的ZnO薄膜具有良好的陷光效果，作为前电极用于薄膜太阳电池，对400-1100nm电池所能利用的波长范围内有良好散射作用，可增加入射光在硅基薄膜电池中的光程，提高光利用率。
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公开(公告)号：CN103489942A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310477860.X
申请日：2013-10-14
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02366 , H01L31/022483 , H01L31/074 , H01L31/1884
Abstract: 一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构，包括湿法刻蚀制备金字塔形貌的硅衬底、ZnO种子层和在种子层基础上生长的氧化锌纳米柱或纳米锥，纳米柱或纳米锥的长度范围为200-1500nm，直径为20-200nm；其制备方法是，利用湿法刻蚀制备金字塔形貌，采用溶液浸沾法制备种子层，用水热法进行氧化锌纳米柱或纳米锥的生长制得。本发明的优点是：该陷光结构用于Si衬底太阳电池上，在400-1100nm范围内，长有氧化锌纳米柱的新型陷光结构的平均积分反射为5.1%，长有氧化锌纳米锥的新型陷光结构的平均积分反射率仅为2.5%，与传统的金字塔形貌陷光结构的平均积分反射10.9%相比，积分反射明显降低。
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公开(公告)号：CN101697364B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910071052.7
申请日：2009-10-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，在微晶硅基薄膜太阳电池的制备方法中，在沉积完电池的n层后且下一个电池还没有进入到反应室中时，采用空腔室辉光方式进行反应腔室中含磷区域的处理，然后再沉积新电池的p层材料。本发明的优点和积极效果：本发明在单室内沉积完上一个电池的n层后，在下一个电池进入反应室前，仅采用原位微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池沉积所用的反应气体来进行空腔室辉光的磷污染处理技术，以便降低对随后沉积下一个电池的p层材料特性的影响。这种方法既不增加新的设备改造投资，又不需要引入额外的其它非反应气体，并且可以有效降低磷污染，同时提高电池效率。
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