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公开(公告)号：CN110137350A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910352427.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种用于实现阻态连续变化的阵列忆阻器，阵列忆阻器自下而上依次包括：底电极、阻变层和顶电极，底电极、阻变层和顶电极构成层状结构，所述底电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的底电极条构成，顶电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的顶电极条构成，顶电极条与底电极条相互垂直，且二者之间间隔一定距离；阻变层位于顶电极条和底电极条交叉位置的空隙中，阻变层的厚度为顶电极条底部和底电极条顶部之间的距离；顶电极和阻变层之间设置有过渡金属碳化物MXene材料。在阻变层和顶电极之间加入过渡金属碳化物有助于忆阻器两端在加正向电压时规范和促进阻变层中导电细丝的生长，赋予器件阻值缓变的类脑特性。
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公开(公告)号：CN119559990A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411607055.9
申请日：2024-11-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器阵列的故障测试方法及系统，涉及集成电路技术领域，包括对相变存储器阵列中多种故障模式进行分析，提取出每种故障模式的充要条件，所述充要条件为阵列中某一单元或多个单元的失效特征；根据所述充要条件推导出适用于相变存储器阵列故障测试的测试序列；构建基于所述测试序列的故障检测电路，并将其嵌入到相变存储器阵列中；使用所述故障检测电路对相变存储器阵列进行故障测试，判断阵列中各存储单元的健康状态，完成故障测试。本发明算法能够检测出传统检测电路无法识别的PCRAM特有故障，从而大幅提升了故障覆盖率。
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公开(公告)号：CN111192957A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010139009.6
申请日：2020-03-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种易失性与非易失性共存的忆阻器件及制备方法及备选制备方法，所述忆阻器件设置在衬底上，所述忆阻器件从上之下依次为保护层、上导电电极、中间功能层和下导电电极，所述保护层和上导电电极的形状和尺寸一一匹配，所述中间功能层和下导电电极的形状和尺寸一一匹配，所述中间功能层包括介质层和敷设在介质层上方的MXene材料膜，所述上导电电极通过掩膜板的开孔溅射在MXene材料膜的顶部，所述下导电电极的顶部、底部分别与中间功能层、衬底相接触，具有模拟生物突触的基本功能，对于低功耗系统的实现具有重要意义，制备方法简单高效、材料成本低、功耗低。
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公开(公告)号：CN109962162A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910129396.2
申请日：2019-02-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于过渡金属碳化物的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且阻变层、底电极与衬底的形状、尺寸一一匹配；阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的过渡金属碳化物膜，顶电极通过掩膜板的开孔溅射在过渡金属碳化物膜的顶部，底电极的顶部、底部分别与介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可有效模拟突触权重的变化，实现模拟突触可塑性的功能，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119780684A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510289283.4
申请日：2025-03-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/3183 , G01R31/3185
Abstract: 本发明公开了一种基于专用链诊断向量的扫描链故障定位方法及系统，该方法首先通过链测试确定待测的功能电路扫描链中存在的故障类型，然后针对每一位触发器生成对应的专用链诊断向量，其中，该触发器及其下游触发器对应位置，根据所述故障类型设置为故障值；调整功能电路输入值，使得该触发器的上一位触发器捕获到故障值的相反值；最后利用所述专用链诊断向量进行扫描链故障测试，得到发生故障的触发器位置。本发明通过生成针对每一位扫描触发器的专用链诊断向量，并结合电路逻辑分析，能够更加准确地定位扫描链中的故障位置。
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公开(公告)号：CN112885762B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110137602.1
申请日：2021-02-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种具有翻转芯片功能的类脑计算芯片接合装置，包括行车架、连接臂、伸缩驱动臂、吸附翻转组件以及定位组件，其中，所述行车架的行车端与连接臂固定相连，所述连接臂的另一端固定有伸缩驱动臂，所述伸缩驱动臂的伸缩端设置有吸附翻转组件，所述吸附翻转组件能够将类脑计算芯片吸附后放置在定位组件上，所述定位组件用于对类脑计算芯片进行调整定位，以便再由吸附翻转组件将定位后的类脑计算芯片吸附至芯片接合台上进行接合。
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公开(公告)号：CN109935686A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910129393.9
申请日：2019-02-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种具有双脉冲易化特性的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括位于中部的阻变层，以及分别设置在所述阻变层顶部、底部的顶电极、底电极，所述顶电极和底电极均与外部电源电连接，所述底电极、阻变层与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的Mxene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述Mxene材料膜的顶部，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可实现突触功能的仿生，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。
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公开(公告)号：CN109920909A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910129631.6
申请日：2019-02-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于二维MXene材料的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且所述阻变层、底电极与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的MXene材料膜，所述顶电极对称设置在所述MXene材料膜的顶部两端，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，阻态更稳定，可用于多值存储，具有广阔的应用前景；此外，本发明的提供的忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。
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公开(公告)号：CN109560195A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811365078.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。
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