公开(公告)号：CN111481777A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010371109.1

申请日：2020-05-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李岳峰 ,  周瑾 ,  陆立群 ,  梁定康 ,  高斐 ,  童祎

IPC: A61M5/42 ,  A61B5/00 ,  G06T7/00

Abstract: 本发明是一种基于忆阻器计算的非接触式静脉显像虚拟现实眼镜，包括近红外图像采集子系统、图像处理子系统、控制电机子系统、虚拟现实眼镜显像子系统，所述近红外图像采集子系统、所述图像处理子系统、所述控制电机子系统和所述虚拟现实眼镜显像子系统依次连接。本发明公开了一种非接触式静脉显像虚拟现实眼镜，将红外图像处理技术结合视觉信息进行图像分析并通过动态传感技术、图像增强技术逐步实现自动化静脉显像功能。提高了医护人员寻找静脉的效率，大大缩短了医护静脉注射的时间，减少患者的痛苦以及医患纠纷，还可形成静脉数据模板辅助个人信息比对。

公开(公告)号：CN110444660A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910746756.3

申请日：2019-08-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 童祎 ,  高斐 ,  陆立群 ,  周瑾 ,  李岳峰 ,  郭宇锋 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种具有类脑特性的忆阻器件及其制备方法，该忆阻器件设置于衬底上，该忆阻器件包括保护层、上导电电极、中间功能层、下导电电极，保护层与所述上导电电极的形状、尺寸一一匹配，所述中间功能层、下导电电极与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述中间功能层为二元氧化物，所述保护层为惰性材料，所述上导电电极通过掩膜板的开孔溅射在所述中间功能层的顶部，所述下导电电极的顶部、底部分别与所述中间功能层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，具有类似人脑选择性记忆的特性，具有广阔的应用前景。本发明忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，适合在产业上推广使用。

公开(公告)号：CN109935686A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910129393.9

申请日：2019-02-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 童祎 ,  高斐 ,  渠开放 ,  张缪城 ,  郭宇锋 ,  万相 ,  连晓娟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种具有双脉冲易化特性的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括位于中部的阻变层，以及分别设置在所述阻变层顶部、底部的顶电极、底电极，所述顶电极和底电极均与外部电源电连接，所述底电极、阻变层与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的Mxene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述Mxene材料膜的顶部，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可实现突触功能的仿生，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。

公开(公告)号：CN109920909A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910129631.6

申请日：2019-02-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 沈心怡 ,  刘鑫伟 ,  高斐 ,  张缪城 ,  童祎 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种基于二维MXene材料的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且所述阻变层、底电极与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的MXene材料膜，所述顶电极对称设置在所述MXene材料膜的顶部两端，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，阻态更稳定，可用于多值存储，具有广阔的应用前景；此外，本发明的提供的忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。

公开(公告)号：CN109962162A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201910129396.2

申请日：2019-02-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 童祎 ,  高斐 ,  渠开放 ,  沈心怡 ,  郭宇锋 ,  万相 ,  连晓娟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种基于过渡金属碳化物的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且阻变层、底电极与衬底的形状、尺寸一一匹配；阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的过渡金属碳化物膜，顶电极通过掩膜板的开孔溅射在过渡金属碳化物膜的顶部，底电极的顶部、底部分别与介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可有效模拟突触权重的变化，实现模拟突触可塑性的功能，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低。

公开(公告)号：CN211351070U

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202020001081.8

申请日：2020-01-02

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 罗宇豪 ,  施明旻 ,  方月彤 ,  肖建 ,  高斐

IPC: H01R13/502 ,  H01R13/52 ,  H01R13/627 ,  H01R13/629 ,  H01R13/62

Abstract: 本实用新型公开了一种电子工程分布式节电装置，包括节电装置本体，节电装置本体的侧壁上开设有接线插槽，节电装置本体的外侧壁上固定连接有筒体，接线插槽内插接有匹配的接线插头，接线插头远离接线插槽槽底的一侧固定连接有导线，导线上固定套接有与筒体端部沿边相抵触的封盖，筒体端部的沿边上固定连接有插杆，封盖上开设有与插杆匹配的插槽，节电装置本体的外侧壁上开设有圆形槽，圆形槽的槽底固定连接有磁块，圆形槽内插接有匹配的铁柱，铁柱固定连接与筒体相匹配的防尘盖，防尘盖连接有环形橡胶塞。本实用新型提供的一种电子工程分布式节电装置，能够解决现有技术中节电装置的端口不与接电线相连时易集聚灰尘，从而影响后续接电线连接的问题。