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发明公开
一种相变存储器阵列的故障测试方法及系统审中-实审

公开(公告)号：CN119559990A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411607055.9

申请日：2024-11-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 连晓娟 , 张云博 , 华辰飞 , 王磊 , 蔡志匡 , 王子轩 , 郭宇锋

IPC: G11C29/10 , G11C29/50

Abstract: 本发明公开了一种相变存储器阵列的故障测试方法及系统，涉及集成电路技术领域，包括对相变存储器阵列中多种故障模式进行分析，提取出每种故障模式的充要条件，所述充要条件为阵列中某一单元或多个单元的失效特征；根据所述充要条件推导出适用于相变存储器阵列故障测试的测试序列；构建基于所述测试序列的故障检测电路，并将其嵌入到相变存储器阵列中；使用所述故障检测电路对相变存储器阵列进行故障测试，判断阵列中各存储单元的健康状态，完成故障测试。本发明算法能够检测出传统检测电路无法识别的PCRAM特有故障，从而大幅提升了故障覆盖率。

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