公开(公告)号：CN112271252A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011048230.7

申请日：2020-09-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王宇 ,  赵义泽 ,  申达琦 ,  陈欣彤 ,  周律洋 ,  童祎

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于过渡金属碳化物的热感应忆阻器及其制备方法，忆阻器包括由下至上依次层叠的硅衬底、底电极层、阻变层以及顶电极层，所述底电极层与所述顶电极层二者通过所述阻变层实现分隔；所述阻变层的材质为Ti3C2。本发明针对传统忆阻器中所普遍存在的电学特性不稳定、重复性差等问题，创造性将碳化钛作为忆阻器的阻变层材料，借助二维结构Mn+1Xn材料所具有的良好电学特性、铁磁性、抗氧化性及热稳定性等特点，不仅显著地提升了忆阻器成品的稳定性，还推动了类脑忆阻器在接近人体温度情况下模拟神经突触的相关研究。

公开(公告)号：CN111900250A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010720981.2

申请日：2020-07-24

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈欣彤 ,  申达琦 ,  王宇 ,  童祎 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于二维过渡金属材料的忆阻器及其制备方法，忆阻器的结构包括由下至上按序依次层叠设置的硅衬底、底电极层以及顶电极层，在所述底电极层与所述顶电极层二者之间设置有阻变层且二者通过所述阻变层实现分隔；所述阻变层的材质为碳化钒。本发明丰富了二维过渡金属材料忆阻器的种类，对类脑器件模拟神经元以及神经突触的相关研究起到了很大的推动作用。