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公开(公告)号：CN108447790A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810314156.5
申请日：2018-04-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/445 , H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法。将Zr(NO3)4·5H2O溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液，然后在200℃退火处理1～2h，得到氧化锆绝缘层薄膜；然后通过磁控溅射镀IGZO，在200℃下退火处理1h，得到有源层；在有源层上通过磁控溅射源/漏电极，得到基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管。本发明通过Zr(NO3)4·5H2O得到含硝酸基ZrO2绝缘层的前驱体溶液，从而降低溶液法制备氧化锆绝缘层薄膜所需的退火温度，结合溅射工艺得到的有源层，从而可以在较低温度下制备氧化物薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN108231905A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711323516.X
申请日：2017-12-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种激光处理非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法。在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极并图形化，然后通过阳极氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层，再采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积非晶氧化物半导体薄膜作为有源层，将所得的器件在能量密度范围为40～70mJ/cm2的266nm全固态激光条件下进行照射，最后利用掩膜法在非晶氧化物半导体薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明的TFT器件利用266nm波长的全固态激光器快速处理，无需长时间热退火处理获得器件性能，有效地节约生产成本。
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公开(公告)号：CN113210158A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110480614.4
申请日：2021-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: B05B12/08
Abstract: 本发明公开了一种印刷制备高均匀器件膜层的压电控制系统及方法，该系统包括：中央控制装置、主压电喷射装置和墨液调节装置，主压电喷射装置、墨液调节装置分别与中央控制装置连接；中央控制装置设有主控制器和压电驱动装置，主控制器用于生成并传输印刷指令进行控制墨液、电喷头的印刷处理，压电驱动装置用于驱动主压电喷射装置；墨液调节装置设有第一分液装置、第二分液装置，第一分液模块、第二分液模块调整溶剂的输送速率并设置总流量维持恒定值。本发明通过第一分液模块、第二分液模块分别改变第一溶剂、第二溶剂输送量进行控制不同时间段内喷射墨滴的溶剂挥发量，使得前后喷射的墨滴呈现沸点梯度差异，进一步提高成膜均匀性的技术效果。
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公开(公告)号：CN107955459B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201711175602.0
申请日：2017-11-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子领域，公开了一种喷墨打印墨水及由其制备金属氧化物薄膜的方法。所述喷墨打印墨水由溶剂乙二醇、0.3～5wt.％的聚丙烯酰胺和0.1～0.6M的八水合氯氧化锆组成。将衬底经预处理后，设定喷墨打印机基板温度为25～30℃，喷头电压30～40V、温度55～65℃，墨滴间距为30～45μm在衬底上进行喷墨打印，打印完成后，将基板升温至40～60℃，静置10～15min，待液膜完全凝胶后，在250～500℃温度下加热处理得到氧化锆薄膜。本发明通过添加含有极性基团的水溶性聚合物聚丙烯酰胺，对金属离子具有螯合作用，并使体系在升温后快速凝胶化，限制溶质溶剂迁移，抑制咖啡环效应。
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公开(公告)号：CN110543056B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910795071.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: G02F1/1524 , G02F1/1523
Abstract: 本发明公开了一种无机全固态电致变色器件及其制备方法；属于光电器件领域。本发明通过溶液法，以氧化镍为原料低温制备了氧化镍离子存储层，再制备氧化锆作为离子导电层，然后通过外加电场，将电解液中的氢离子注入离子存储层中，从而得到包含离子的叠层结构，使得原本不含自由移动工作离子的氧化锆能够作为离子导电层使用。然后在之上旋涂氧化钨电致变色薄膜以及透明电极，从而构成无机全固态电致变色器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111269614A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010206138.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子材料领域，公开了一种减少喷墨打印凝胶薄膜开裂的方法。往乙二醇和去离子水的混合溶剂体系中加入质量分数0.3％～0.5％的聚丙烯酰胺，加热搅拌充分溶解，然后加入摩尔浓度为0.3～0.5M的八水合氯氧化锆，搅拌溶解后陈化，得到金属氧化物溶液；将所得金属氧化物溶液通过喷墨打印成膜，静置待液膜完全凝胶，即得到较少裂纹的金属氧化物薄膜。本发明方法通过在高沸点醇类体系中引入适量的水形成混合溶剂体系，使得体系中水解反应的比例升高，薄膜骨架结构的强度整体提高，在保证打印性较好的前提下显著减少了干燥过程中薄膜的开裂。
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公开(公告)号：CN108396313B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201810078909.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明属于喷墨打印电子器件的技术领域，公开了一种减少喷墨打印薄膜表面裂纹的热处理方法。热处理方法为：(1)溶液的配制：采用溶剂将聚合物和金属氧化物的前驱体配成溶液；所述溶液为添加了聚合物的能够采用溶胶凝胶法成膜的体系；所述聚合物为水溶性聚合物；(2)喷墨打印薄膜：将步骤(1)的溶液喷墨打印成膜，获得凝胶化薄膜；(3)热处理：将凝胶化薄膜于60～80℃干燥15～48h，然后梯度退火，最后高温热处理，获得打印薄膜。本发明的热处理方法减少了喷墨打印薄膜表面裂纹，使得所制备的薄膜表面平整与致密，提高了薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN109266099A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810958604.5
申请日：2018-08-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子材料技术领域，公开了一种氧化锆喷墨打印墨水及制备氧化锆纳米晶薄膜的方法。所述喷墨打印墨水由乙二醇、八水氧氯化锆和聚丙烯酰胺组成。将氧化锆喷墨打印墨水通过喷墨打印制备成液膜，静置，待液膜完全凝胶后，将薄膜置于烘箱在70～80℃下干燥5～10h，然后升温至300～400℃退火处理，得到氧化锆纳米晶薄膜。本发明通过在体系引入聚合物聚丙烯酰胺，使墨水在升温后发生凝胶化反应从而形成凝胶网络，为氧化物前驱体提供反应位点，使其更容易在低温下形成氧化物结构乃至结晶。同时聚合物的热分解能够产生局部高温，进一步促进氧化物的结晶。
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公开(公告)号：CN109037052A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810728808.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/288 , H01L29/51
CPC classification number: H01L21/288 , H01L29/517
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管和印刷电子技术领域，具体涉及一种制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构的方法。所述薄膜由以下步骤制得：(1)将醋酸锆溶于乙二醇中，搅拌老化得到前驱体溶液；所述前驱体溶液中醋酸锆的浓度为0.3～0.6mol/L；(2)在ITO玻璃衬底上旋涂步骤(1)所得的前驱体溶液，然后在300℃退火处理1～2小时，得到氧化锆绝缘层薄膜。再在所得氧化锆绝缘层薄膜上通过磁控溅射镀圆形Al电极，即可得到MIM叠层结构。由于退火中醋酸较容易去除，因此本发明采用醋酸锆作为锆盐可以减少ZrO2薄膜的缺陷态，从而提高绝缘性能；此外制备过程无需真空环境，成本低，操作简便。
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公开(公告)号：CN108777250A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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