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公开(公告)号：CN102560378B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201010614274.1
申请日：2010-12-21
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种提高连续制备YBCO带材临界电流的方法，包括：(1)在连续制备YBCO超导层的设备的真空腔体中，将金属基带固定在引带上；(2)以YBCO为靶材，靶基距为40～60mm；(3)在抽真空前调整激光光路；(4)真空腔体内的真空度优于3×10-4Pa，将金属基带加热750～770℃；并控制纯氧气氛为20-30Pa；(5)先以激光频率为10～20Hz，走带速率为0.1～0.4mm/s，沉积第一层YBCO薄膜，再沉积多层YBCO薄膜，每沉积下一层YBCO薄膜都分别将沉积上一层YBCO薄膜时的金属基带的温度提高10-20℃，再以激光频率为10～40Hz，走带速率为0.1～0.2mm/s沉积下一层YBCO薄膜；(6)进行原位退火，即制成YBCO超导层。本发明采用分层沉积，并在每层间适当提高温度，解决YBCO层随厚度的增加立方织构变差的问题，有效地提高了超导电性能。
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公开(公告)号：CN101736313B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810227328.1
申请日：2008-11-26
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：(1)将锗基片放置在腔体阴极板上；(2)抽腔体真空，随后通入CH4气体，调整腔体气压，平衡3-5分钟；(3)射频电源起辉，调节功率；(4)调整工作气压30～45Pa，CH4气体流量在20～30sccm，调节匹配电容使得反射功率达到最小；(5)沉积14～18分钟后，关闭射频电源；(6)冷却10分钟以后，取出锗(Ge)基片，清理腔体；(7)再次放入锗(Ge)基片，抽腔体真空，射频电源起辉，轰击样品70～90s后，关闭射频电源，继续抽高真空；(8)重复进行二次沉积。该方法沉积速度快、沉积面积大、工艺相对简便。该方法得到的类金刚石膜，对锗(Ge)基片具有良好的增透和保护作用。
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公开(公告)号：CN101736313A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810227328.1
申请日：2008-11-26
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：(1)将锗基片放置在腔体阴极板上；(2)抽腔体真空，随后通入CH4气体，调整腔体气压，平衡3-5分钟；(3)射频电源起辉，调节功率；(4)调整工作气压30～45Pa，CH4气体流量在20～30sccm，调节匹配电容使得反射功率达到最小；(5)沉积14～18分钟后，关闭射频电源；(6)冷却10分钟以后，取出锗(Ge)基片，清理腔体；(7)再次放入锗(Ge)基片，抽腔体真空，射频电源起辉，轰击样品70～90s后，关闭射频电源，继续抽高真空；(8)重复进行二次沉积。该方法沉积速度快、沉积面积大、工艺相对简便。该方法得到的类金刚石膜，对锗(Ge)基片具有良好的增透和保护作用。
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公开(公告)号：CN100497722C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610072920.X
申请日：2006-04-03
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种在立方织构金属基底上制备CeO2缓冲层的方法，包括以下步骤：(1)将具有立方织构的Ni或Ni合金金属带材基底清洗干净，干燥；(2)在温度为500℃～780℃、Ar/H2混合气体中，以金属Ce作为靶材，对Ni或Ni合金基底进行反应溅射，溅射预沉积5～30分钟，其中，Ar/H2的体积比是50/10～80/10，气压为5～80Pa；(3)然后在温度为500℃～780℃、Ar/O2混合气体中，以金属Ce作为靶材，再对Ni或Ni合金基底进行反应溅射，溅射沉积25～150分钟，其中，Ar/O2的体积比是50/2～80/1，气压为5～80Pa，即得到了CeO2缓冲层。该两步沉积的方法不仅有效抑制了NiO的生成，也保证了CeO2取向的完整性。
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公开(公告)号：CN109957756A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711439307.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种铝/氧化铝复合阻氢涂层，该阻氢涂层为形成在金属基体上的组成为x Al‑(1‑x)Al2O3的单层涂层，其中0＜x＜1。所述金属基体材质为奥氏体不锈钢或马氏体不锈钢。该阻氢涂层采用物理气相沉积法制备，优选采用磁控溅射法制备，通过同时溅射铝靶和氧化铝靶而获得所述阻氢涂层。本发明的铝/氧化铝复合阻氢涂层与金属基体的结合为金属‑金属结合，其结合强度高；较金属铝层热膨胀系数更低，降低了与表层氧化铝薄膜之间的热膨胀失配，提高了阻氢涂层的抗冷热冲击性能；在表面氧化铝薄膜破损情况下，可原位生成新的氧化铝膜层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106637082A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510741954.2
申请日：2015-11-04
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: C23C14/185 , C23C14/0036 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C14/5846
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷金属化复合薄膜及其制备方法。该陶瓷金属化复合薄膜由依次施加在陶瓷基体上的TiO(2-x)过渡层、Ti薄膜和Ni薄膜构成，其中0＜x＜2。所述TiO(2-x)过渡层的厚度为20-200nm；所述Ti薄膜的厚度为20-200nm；所述Ni薄膜的厚度为1-10μm。该陶瓷金属化复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)在陶瓷基体上制备TiO(2-x)过渡层；(2)在TiO(2-x)过渡层上沉积Ti薄膜，获得TiO(2-x)/Ti层；(3)在TiO(2-x)/Ti层上沉积Ni薄膜，获得TiO(2-x)/Ti/Ni复合薄膜。本发明的陶瓷金属化复合薄膜采用薄膜金属化法通过气相工艺在陶瓷表面制备几百纳米厚度的金属薄膜，陶瓷尺寸控制精确，拉伸强度较烧结金属粉末法有明显提高。
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公开(公告)号：CN105729934A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410766229.6
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种M/MOx复合阻氢涂层，包括不锈钢基体及施加在其上的M/MOx复合涂层。复合涂层中的过渡层M是Al、zr、Er、Y、Cr、Mn、Fe金属，阻氢涂层MOx则是过渡层金属的氧化物。复合阻氢涂层均采用反应溅射结合负偏压的技术制备，可以是一层、也可以是多层的复合结构。本发明不仅能有效提高涂层与基底之间的结合力，还有利于涂层本身阻氢性能的提高。
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公开(公告)号：CN105655478A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410734035.8
申请日：2014-12-04
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L41/187 , H01L41/47 , H01L41/43 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种A位Pr掺杂BIT(钛酸铋)薄膜及其制备方法。该薄膜的组成分子式为Bi(4-11x/9)PrxTi3O12，x取值0.3-0.9。其制备方法包括：(1)以纯度均为分析纯的Bi2O3、TiO2和Pr6O11为原料制备A位Pr掺杂BIT靶材；(2)将A位Pr掺杂BIT靶材和衬底放入磁控溅射仪溅射腔，靶材与衬底间距为100-120mm，抽至6×10-4pa高真空，预溅射2-5h；(3)加热衬底温度至200℃-300℃，然后向溅射腔内充入氧气和氩气，使工作气压达到4-6Pa，氧气和氩气的流量比为4∶30-6∶30；(4)再次溅射，溅射功率80-100W，溅射时间2-3h，得到薄膜。(5)对薄膜进行快速退火，退火温度650-750℃，退火时间20-30min。本发明通过A位+3/+4价态Pr掺杂改善了薄膜的铁电、漏电流特性，提高了薄膜的剩余极化值、抗疲劳能力，达到了提高铁电存储器存储密度的目的。
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公开(公告)号：CN103898451B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210580850.4
申请日：2012-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C14/28
Abstract: 一种激光束自动移位控制装置及其操作方法，装置包括支撑台，传动系统和透镜架；电机固定在支撑台上，电机的输出轴轴向与支撑台垂直，其下端焊接一“ㄈ”形连接片，该连接片下部平面与支撑台平行；平面上开有控制移位范围的限位槽，滑块通过滑块轴固定在限位槽上；滑块中开有通孔；滑杆穿过通孔，两者为滑动配合；滑杆的轴向平行于支撑台；轴套用螺栓固定在支撑台下方，轴套下部以轴承连接转轴；转轴中间部位与滑杆用紧定螺钉连接，转轴与滑杆非同轴；转轴下端与连杆相连接；定位销的销杆依次穿过透镜夹持器和限位块；定位销固定在连杆末端。该装置配合靶材的自转，可以保证聚焦激光束对靶材表面均匀扫描，实现薄膜的均匀沉积。
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公开(公告)号：CN105220141A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510671646.7
申请日：2015-10-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C24/08
CPC classification number: C23C24/085
Abstract: 本发明属于无机膜制备及应用技术领域，特别涉及一种金属陶瓷多孔层及其制备方法。所述金属陶瓷多孔层，由陶瓷粉体、活性金属粉体和多孔金属构成。其制备步骤包括：将陶瓷粉体与活性金属粉体混合后，均匀分散在溶液中，球磨，将得到的金属陶瓷粉体混合溶液均匀沉积在多孔金属表面，然后通过热处理在多孔金属表面获得金属陶瓷多孔层。本发明采用活性金属粉体，增加了陶瓷粉体之间的连接强度，有利于提高多孔层对多孔基体的结合强度，同时降低其制备温度。
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