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公开(公告)号：CN101736296A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810225973.X
申请日：2008-11-07
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种在金属基带上连续制备YBCO超导层的方法，包括：(1)在连续制备YBCO超导层的设备的真空腔体中，将带有隔离层的金属基带固定在不锈钢引带上；(2)以YBCO为靶材，靶基距为35～60mm；(3)在抽真空前调整激光光路，使激光聚焦于靶位，并位于金属基带正下方；(4)抽真空至真空腔体内的真空度优于3×10-4Pa，且将金属基带加热至750～820℃；再向真空腔体内通入氧气，并控制纯氧气氛为10～60Pa；(5)使金属基带匀速运动，用脉冲激光沉积方法在带有隔离层的金属基带上制备YBCO薄膜；(6)将制得有YBCO薄膜的金属基带进行原位退火，即在带有隔离层的金属基带上制成YBCO超导层。使用激光法制备的YBCO薄膜不仅有良好的织构和表面形貌，更有高的电性能，沉积速率可达到200nm/min。
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公开(公告)号：CN101736313B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810227328.1
申请日：2008-11-26
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：(1)将锗基片放置在腔体阴极板上；(2)抽腔体真空，随后通入CH4气体，调整腔体气压，平衡3-5分钟；(3)射频电源起辉，调节功率；(4)调整工作气压30～45Pa，CH4气体流量在20～30sccm，调节匹配电容使得反射功率达到最小；(5)沉积14～18分钟后，关闭射频电源；(6)冷却10分钟以后，取出锗(Ge)基片，清理腔体；(7)再次放入锗(Ge)基片，抽腔体真空，射频电源起辉，轰击样品70～90s后，关闭射频电源，继续抽高真空；(8)重复进行二次沉积。该方法沉积速度快、沉积面积大、工艺相对简便。该方法得到的类金刚石膜，对锗(Ge)基片具有良好的增透和保护作用。
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公开(公告)号：CN101736313A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810227328.1
申请日：2008-11-26
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：(1)将锗基片放置在腔体阴极板上；(2)抽腔体真空，随后通入CH4气体，调整腔体气压，平衡3-5分钟；(3)射频电源起辉，调节功率；(4)调整工作气压30～45Pa，CH4气体流量在20～30sccm，调节匹配电容使得反射功率达到最小；(5)沉积14～18分钟后，关闭射频电源；(6)冷却10分钟以后，取出锗(Ge)基片，清理腔体；(7)再次放入锗(Ge)基片，抽腔体真空，射频电源起辉，轰击样品70～90s后，关闭射频电源，继续抽高真空；(8)重复进行二次沉积。该方法沉积速度快、沉积面积大、工艺相对简便。该方法得到的类金刚石膜，对锗(Ge)基片具有良好的增透和保护作用。
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