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公开(公告)号：CN100537822C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610089048.X
申请日：2006-07-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种金属基带上连续生长的多层立方织构氧化物隔离层，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜。一种连续生长多层立方织构氧化物隔离层的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr-Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，满足外延生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN101117704A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610089047.5
申请日：2006-07-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种生长立方织构钇稳定二氧化锆膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10－4Pa。将衬底加热至600－850℃，再充氩气至腔体气压1×10－1Pa－8×10－1Pa。以Zr－Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10－3－3.5×10－2Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa－5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得钇稳定二氧化锆膜。所制得的钇稳定二氧化锆隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN101050518A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200610072920.X
申请日：2006-04-03
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种在立方织构金属基底上制备CeO2缓冲层的方法，包括以下步骤：(1)将具有立方织构的Ni或Ni合金金属带材基底清洗干净，干燥；(2)在温度为500℃～780℃、Ar/H2混合气体中，以金属Ce作为靶材，对Ni或Ni合金基底进行反应溅射，溅射预沉积5～30分钟，其中，Ar/H2的体积比是50/10～80/10，气压为5～80Pa；(3)然后在温度为500℃～780℃、Ar/O2混合气体中，以金属Ce作为靶材，再对Ni或Ni合金基底进行反应溅射，溅射沉积25～150分钟，其中，Ar/O2的体积比是50/2～80/1，气压为5～80Pa，即得到了CeO2缓冲层。该两步沉积的方法不仅有效抑制了NiO的生成，也保证了CeO2取向的完整性。
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公开(公告)号：CN100557073C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610089047.5
申请日：2006-07-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种生长立方织构钇稳定二氧化锆膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa。将衬底加热至600-850℃，再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa。以Zr-Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-3.5×10-2Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得钇稳定二氧化锆膜。所制得的钇稳定二氧化锆隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN100497727C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510093034.0
申请日：2005-08-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种多功能真空连续镀膜装置，由真空镀膜室、泵抽及真空测量系统、气路及控制系统和控制各单元装置电源开关的电控系统组成，所述的气路及控制系统的各气路接入真空镀膜室，所述真空镀膜室内布控有电子枪、热蒸发电极和磁控溅射靶，还配有基带卷绕系统，该基带卷绕系统由分置在真空镀膜室两侧的放带室、收带室构成。它还配有机架台，真空镀膜室及基带卷绕系统固定在其上，泵抽系统安置在其内；机架台两侧有用于活性固定放带、收带室的小支架台。真空室内装有样品、电子枪、热蒸发舟和磁控溅射靶挡板。在电子枪与热蒸发舟之间、热蒸发舟与热蒸发舟之间均设有挡板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101295560A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710098620.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜、超导层YBCO。一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr－Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈；(9)磁控溅射沉积YBCO涂层；(10)得到金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，并在其上外延生长YBCO涂层。本发明的每层膜的生长均采用磁控溅射方法，降低成本。
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公开(公告)号：CN100365839C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200310121357.7
申请日：2003-12-15
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L39/24
Abstract: 一种多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法。隔离层结构包括种子层，阻挡层和帽子层。它主要为在立方织构金属镍表面，通过氧化外延生长立方织构氧化镍种子层，再在其上生长钇稳定二氧化锆(YSZ)阻挡层和二氧化铈CeO2帽子层。这种双轴取向隔离层结构用于高温超导涂层导体，可使YBCO涂层沿双轴取向生长，具有良好的超导电性，获得超导临界电流密度Jc＞4×105A/cm2。该方法包括：将具有高度立方织构的金属镍片进行清洁处理；在高温炉中恒温、氧化；采用真空沉积方法进行二氧化锆生长、CeO2生长、YBCO生长；进行YBCO退火而制成。该方法成本低，适宜大规模长带生产，制备手段易连续化。
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公开(公告)号：CN1309661C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200310101681.2
申请日：2003-10-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法。它主要为采用一种简单的操作手段，在立方织构金属镍表面，通过氧化外延生长立方织构氧化镍隔离层。其方法是将具有高度立方织构金属镍片经清洁处理，将其置于1100-1250℃高温炉中，空气环境氧化3-30分钟。在立方织构金属镍表面获得具有高度立方织构的氧化镍层。它主要用于高温超导涂层导体隔离层。
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公开(公告)号：CN1766177A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200410083618.5
申请日：2004-10-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C25F3/22
Abstract: 一种涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法。该方法可以减小涂层超导体镍基带表面的粗糙度。该方法包括：(1)以磷酸与丙三醇的体积比为95－105∶0.1－0.5，配制电化学抛光液，其中，磷酸的浓度为85％；(2)以步骤(1)配制的电化学抛光液作为电解液，以涂层超导体镍基带作为阳极材料，不锈钢作为阴极材料，浸没在电化学抛光液中，接通电源，在5～10V电压，0.3～1A电流中进行抛光，时间控制在10～60分钟；(3)抛光后，将涂层超导体镍基片清洗、吹干。该工艺处理后的镍基带表面粗糙度大约为十几纳米，能够满足涂层超导体制备的要求。
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公开(公告)号：CN101295560B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200710098620.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜、超导层YBCO。一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr-Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈；(9)磁控溅射沉积YBCO涂层；(10)得到金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，并在其上外延生长YBCO涂层。本发明的每层膜的生长均采用磁控溅射方法，降低成本。
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