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公开(公告)号：CN104711541A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310675873.8
申请日：2013-12-11
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种氧化锆和氧化铝梯度复合涂层及其制备方法，包括多层由不同质量百分比的氧化锆和氧化铝组成的复合层，所述的氧化锆和氧化铝组成的复合层布设在钢基底上。该复合涂层可采用金属有机物化学气相沉积法或反应磁控共溅射方法制备。本发明的氧化锆/氧化铝复合梯度涂层结合了氧化锆和氧化铝的阻氢渗透特性，同时通过调节复合涂层中氧化锆和氧化铝组成比例，可以改变复合涂层的热膨胀系数，改善复合涂层与基体之间的热物理匹配性能，从而改善复合涂层的热循环使用性能。
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公开(公告)号：CN103910380A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210591794.4
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种新型NKBT水基溶胶、由其制备的二元铁电压电薄膜及制造方法。具体包括：以冰醋酸和去离子水作为溶剂，乙酸盐和硝酸盐作为原料，异丙醇、乙酰丙酮作为稳定剂，甲酰胺作为鳌合剂和干燥剂，配置(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3溶胶；接着利用快速热处理炉，经过逐层干燥、热解和退火过程制备(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3薄膜。本发明制得的薄膜为随机取向的多晶薄膜，薄膜表面光滑致密，与采用常规溶胶-凝胶方法制的薄膜相比，具有更低的漏电流和更好的铁电压电特性。
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公开(公告)号：CN105601270A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201511001331.8
申请日：2015-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/465 , C04B35/50 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/50 , C04B35/62222 , C04B2235/3201
Abstract: 本发明属于微电子新材料制备技术领域，特别涉及一种钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜的水基制备方法。本发明钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜使用水基溶胶凝胶方法制备，以去离子水作为溶剂，前驱体溶液浓度为0.05M～0.1M，在每次旋转涂覆后，都对经过干燥、热解的薄膜进行快速退火，退火气氛为空气，退火温度为600℃～800℃，退火时间为1分钟～4分钟。本发明制备的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜结晶性能良好、表面致密均匀、界面清晰，明显地提高了钛酸铋钠薄膜的压电特性。
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公开(公告)号：CN103910527B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210591594.9
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/515 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种β-FeSe超导陶瓷及两步烧结制备方法。该方法的具体步骤为：以铁粉和硒粉作为原料，通过两步烧结的方法制备β-FeSe陶瓷。其中Se粉的量较化学计量比过量5-15mol％；第一步烧结的温度为410-700℃，时间为10-20小时；第二步烧结的温度为700-800℃，时间为20-40小时。该方法制得的陶瓷为随机取向，陶瓷致密，表面光滑，与采用常规一步烧结方法制得陶瓷相比，具有更高的体密度和更好的超导特性。
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公开(公告)号：CN103910527A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210591594.9
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/515 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种β-FeSe超导陶瓷及两步烧结制备方法。该方法的具体步骤为：以铁粉和硒粉作为原料，通过两步烧结的方法制备β-FeSe陶瓷。其中Se粉的量较化学计量比过量5-15mol％；第一步烧结的温度为410-700℃，时间为10-20小时；第二步烧结的温度为700-800℃，时间为20-40小时。该方法制得的陶瓷为随机取向，陶瓷致密，表面光滑，与采用常规一步烧结方法制得陶瓷相比，具有更高的体密度和更好的超导特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105655478A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410734035.8
申请日：2014-12-04
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L41/187 , H01L41/47 , H01L41/43 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种A位Pr掺杂BIT(钛酸铋)薄膜及其制备方法。该薄膜的组成分子式为Bi(4-11x/9)PrxTi3O12，x取值0.3-0.9。其制备方法包括：(1)以纯度均为分析纯的Bi2O3、TiO2和Pr6O11为原料制备A位Pr掺杂BIT靶材；(2)将A位Pr掺杂BIT靶材和衬底放入磁控溅射仪溅射腔，靶材与衬底间距为100-120mm，抽至6×10-4pa高真空，预溅射2-5h；(3)加热衬底温度至200℃-300℃，然后向溅射腔内充入氧气和氩气，使工作气压达到4-6Pa，氧气和氩气的流量比为4∶30-6∶30；(4)再次溅射，溅射功率80-100W，溅射时间2-3h，得到薄膜。(5)对薄膜进行快速退火，退火温度650-750℃，退火时间20-30min。本发明通过A位+3/+4价态Pr掺杂改善了薄膜的铁电、漏电流特性，提高了薄膜的剩余极化值、抗疲劳能力，达到了提高铁电存储器存储密度的目的。
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公开(公告)号：CN105220141A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510671646.7
申请日：2015-10-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C24/08
CPC classification number: C23C24/085
Abstract: 本发明属于无机膜制备及应用技术领域，特别涉及一种金属陶瓷多孔层及其制备方法。所述金属陶瓷多孔层，由陶瓷粉体、活性金属粉体和多孔金属构成。其制备步骤包括：将陶瓷粉体与活性金属粉体混合后，均匀分散在溶液中，球磨，将得到的金属陶瓷粉体混合溶液均匀沉积在多孔金属表面，然后通过热处理在多孔金属表面获得金属陶瓷多孔层。本发明采用活性金属粉体，增加了陶瓷粉体之间的连接强度，有利于提高多孔层对多孔基体的结合强度，同时降低其制备温度。
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公开(公告)号：CN105385997B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510752290.X
申请日：2015-11-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种Cr2O3薄膜体系及其制备方法，该体系以金属材料为基底，基底上覆有Cr2O3薄膜，或基底上以Cr‑M为过渡层，过渡层上覆有Cr2O3薄膜。制备前，先对基底进行真空加热烘烤和Ar+离子束清洗，以降低基片和薄膜的污染；然后采用共溅射法在基底表面沉积Cr‑M过渡层；最后采用离子束辅助反应溅射的方法在过渡层表面溅射Cr2O3薄膜。此法可有效缓解Cr2O3薄膜和金属基底的应力，避免薄膜开裂和剥落，明显提高膜‑基结合力。本发明从多方面综合保证薄膜质量，大大提高溅射效率。
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公开(公告)号：CN105601270B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201511001331.8
申请日：2015-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/465 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于微电子新材料制备技术领域，特别涉及一种钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜的水基制备方法。本发明钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜使用水基溶胶凝胶方法制备，以去离子水作为溶剂，前驱体溶液浓度为0.05M～0.1M，在每次旋转涂覆后，都对经过干燥、热解的薄膜进行快速退火，退火气氛为空气，退火温度为600℃～800℃，退火时间为1分钟～4分钟。本发明制备的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜结晶性能良好、表面致密均匀、界面清晰，明显地提高了钛酸铋钠薄膜的压电特性。
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公开(公告)号：CN105734524A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410763795.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种金属有机化学气相沉积方法及装置，实现长金属管件内表面薄膜沉积，有利于降低金属管件内表面镀膜成本。用于金属管件(5)加热用的电控系统和温控系统；与金属管件(5)两端相连接的导电夹具(3)；在金属管件上包有保温层(4)；与金属管件(5)一端相连的金属有机源导入通路；温控系统连接该端的金属管件(5)所连接的有机源挥发室(8)的温度测试的外表面热电偶(11)；与金属管件(5)另一端相连接的由机械泵(1)、真空计(2)构成的真空抽气系统；用于金属管件腔体真空保持的管件两端绝缘密封件(6)；在机械泵(1)抽真空时，在金属管件(5)腔体内形成真空状态；温控系统连接该端的金属管件(5)所连接的温度测试的外表面热电偶(12)。
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