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公开(公告)号：CN103618212B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310665266.3
申请日：2013-12-10
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻，挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，实现光刻图形。最后，根据负性光敏性热固化涂层胶的性质，通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。
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公开(公告)号：CN101383480B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710121505.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
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公开(公告)号：CN101383480A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121505.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
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公开(公告)号：CN101257080A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810101681.5
申请日：2008-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外，这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。
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公开(公告)号：CN1779900A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009840.0
申请日：2004-11-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜，GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜，将GaN外延片通过特定的焊接材料和工艺焊接在Si片等其他热导性和电导性良好的支撑材料上，保证GaN外延层和承载衬底具有好的电和热接触，同时又有相当的机械强度和耐温能力。利用由外向内的扫描方式及热衬底、加入激光阈值偏置等措施，从蓝宝石一侧使用对蓝宝石透明而GaN强烈吸收的脉冲激光扫描外延片，实现GaN外延层和蓝宝石衬底的大面积均匀分离。发明尤其有利于完整剥离大面积薄层外延膜，通常为2inch的GaN基外延片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119787084A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411963419.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/02315 , H01S5/024 , H01S5/0237 , H01S5/02355
Abstract: 本发明公开一种垂直腔面发射激光器的封装方法及装置，属于半导体激光器芯片封装工艺领域。本发明在VCSEL芯片的顶部额外加装封装散热罩，采用封装散热罩、支撑连接块和底部热沉部件将VCSEL芯片上、下包围，本发明将器件顶部的散热模式由低效向空气进行热辐射调整为经由高热导率固体材料进行热传导。与现有技术相比，本发明可以有效地增加热源中心附近介质的导热能力，显著降低了顶部DBR材料对热量的阻隔效应。此外本发明还利用通孔内的倒角结构和二维透明导热材料进一步增加顶部热流的横向分量，提高VCSEL芯片热量向顶部两侧流动的效率。
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公开(公告)号：CN115021080B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210702420.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法，属于半导体激光器芯片制作工艺。本发明在镀p型电极前通过刻蚀将脊型区隔为注入区和窗口区，形成电学隔离。然后使用时在窗口区施加反向偏压，注入区施加正常工作时的正向偏压，形成非吸收窗口。本发明解决了现有技术无法适用于GaN基材料的缺点，不仅能有效提高端面的禁带宽度，减小端面对激射波长的吸收，提高激光器的可靠性和寿命，而且与激光器制备工艺兼容，制备工艺简单，成本极低。
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公开(公告)号：CN108831969B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201810520302.X
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件，包括上、下电极层，在上、下电极层之间是P型(或N型)半导体层和置于其上的多根N型(或P型)半导体纳米线，半导体纳米线与半导体层的接触面构成PN异质结，且半导体纳米线对上电极层起支撑作用，从而在上、下电极层之间形成一层空气层作为绝缘层。该发光器件避免了传统纳米线电注入结构的不足，极大地简化了器件的制备流程和工艺，可以有效改善其电注入并提高器件的光学性质。
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公开(公告)号：CN108521074A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810488339.9
申请日：2018-05-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种利用不对称分布式布拉格反射镜(DBR)结构实现可调谐单模激光的方法及激光器。在微/纳米柱发光器件的两端制作不对称的结构，使两个DBR反射谱中的低反射区刚好和需要过滤的多模重合，而高反射区和需要单模出射的激光波长重合，从而通过改变激励光源的位置实现对特定波长的挑选和可变的单模激射。本发明填补了同时实现纳米激光器单模激射和在单根微纳米激光器上实现激光波长调控这一领域的空白，能够简单并可重复地在单根微纳米柱激光器上实现激射单模激光并且可调谐。
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公开(公告)号：CN106268906A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610656927.X
申请日：2016-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: B01J27/24
CPC classification number: B01J27/24 , B01J35/004
Abstract: 本发明公开了一种同质外延生长的氮化镓基光催化材料及其制备方法。本发明的氮化镓基光催化材料从下至上依次包括：n型氮化镓基衬底、氮化镓基外延层和金属层；本发明采用n型氮化镓基衬底同质外延生长GaN基光催化材料的方式，解决了异质外延生长由于晶格失配和热失配带来的外延层晶体质量差的问题，省去生长缓冲层等提高异质外延生长晶体质量的步骤；采用n型氮化镓基衬底使得衬底和MOCVD生长的GaN基外延层一起构成PIN异质结构，其内建电场使得光生载流子有效分离，大大提高了材料的催化活性；本发明制备的氮化物光催化材料在光照下对甲基橙等偶氮染料表现出优异的降解活性，显示出其在光催化领域潜在的应用价值，在污水处理方面具有广阔的应用前景。
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