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公开(公告)号：CN115021080B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210702420.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法，属于半导体激光器芯片制作工艺。本发明在镀p型电极前通过刻蚀将脊型区隔为注入区和窗口区，形成电学隔离。然后使用时在窗口区施加反向偏压，注入区施加正常工作时的正向偏压，形成非吸收窗口。本发明解决了现有技术无法适用于GaN基材料的缺点，不仅能有效提高端面的禁带宽度，减小端面对激射波长的吸收，提高激光器的可靠性和寿命，而且与激光器制备工艺兼容，制备工艺简单，成本极低。
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公开(公告)号：CN115064937B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210644192.4
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种微曲面DBR及其制备方法和应用，属于纳米尺度的微结构制造工艺。本发明微曲面DBR的结构是在铺置纳米小球的衬底上交替生长高折射率材料和低折射率材料形成，所述高折射率材料和低折射率材料交替叠加构成堆垛结构，通过纳米小球的诱导，堆垛结构最外面的轮廓呈弧形球冠。本发明可以通过改变高折射率材料和低折射率材料或者纳米小球的尺寸，方便地调节曲面DBR凸起的高度和半径，针对不同波长微腔实现光场限制，且该微曲面DBR的制备方法简单，不需要光刻工艺，适用范围广阔，可以用作VCSEL的上下腔面反射镜，实现具有超小模式体积和较高品质因子的光学微腔。
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公开(公告)号：CN115064937A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210644192.4
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种微曲面DBR及其制备方法和应用，属于纳米尺度的微结构制造工艺。本发明微曲面DBR的结构是在铺置纳米小球的衬底上交替生长高折射率材料和低折射率材料形成，所述高折射率材料和低折射率材料交替叠加构成堆垛结构，通过纳米小球的诱导，堆垛结构最外面的轮廓呈弧形球冠。本发明可以通过改变高折射率材料和低折射率材料或者纳米小球的尺寸，方便地调节曲面DBR凸起的高度和半径，针对不同波长微腔实现光场限制，且该微曲面DBR的制备方法简单，不需要光刻工艺，适用范围广阔，可以用作VCSEL的上下腔面反射镜，实现具有超小模式体积和较高品质因子的光学微腔。
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公开(公告)号：CN115021080A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210702420.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法，属于半导体激光器芯片制作工艺。本发明在镀p型电极前通过刻蚀将脊型区隔为注入区和窗口区，形成电学隔离。然后使用时在窗口区施加反向偏压，注入区施加正常工作时的正向偏压，形成非吸收窗口。本发明解决了现有技术无法适用于GaN基材料的缺点，不仅能有效提高端面的禁带宽度，减小端面对激射波长的吸收，提高激光器的可靠性和寿命，而且与激光器制备工艺兼容，制备工艺简单，成本极低。
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