公开(公告)号：CN106298904A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510276316.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘靖骞 ,  王金延 ,  徐哲 ,  王茂俊 ,  于民 ,  吴文刚 ,  张进城 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件的制备方法，由于在势垒层中插入氮化镓层，使凹槽栅结构的制备可以实现腐蚀自停止于氮化镓插入层，氮化镓层在势垒层中不同的插入位置可以方便地实现不同深度的凹槽腐蚀效果，从而完成在该结构基础上肖特基栅和MOS结构栅阈值电压的调控，而且氮化镓插入层下留有适当厚度的势垒层可以在凹槽刻蚀期间有效保护沟道防止器件性能退化，从而使本方案具有很高的可操作性和可重复性，更利于工业化生产。

公开(公告)号：CN103268857B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310175267.X

申请日：2013-05-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐哲 ,  王金延 ,  刘洋 ,  蔡金宝 ,  刘靖骞 ,  王茂俊 ,  谢冰 ,  吴文刚

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面淀积保护层；在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻待做刻蚀区域图形；去除待做刻蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；将非刻蚀区域的保护层置于腐蚀性溶液中去除。本发明方法基于湿法腐蚀工艺技术，可实现自停止特性，刻蚀区域平整度高、台阶边缘光滑，具有很高的可操作性和可重复性，更利于工业化生产。

公开(公告)号：CN104167362A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410386689.6

申请日：2014-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐哲 ,  王金延 ,  刘靖骞 ,  王茂俊 ,  谢冰 ,  于民 ,  吴文刚

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明提供一种氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域，刻蚀非器件区域；在氮化镓基表面光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；对氮化镓基表面在高温条件下进行氧化处理；将氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；对氮化镓基表面淀积栅绝缘层；光刻源漏区域，刻蚀源漏区域的栅绝缘层并制备欧姆接触；制备栅金属。本发明采用氮化镓盖帽层为掩模，简化了制备工艺，降低了制备成本，凹槽栅结构的制备可以实现自停止，可操作性和可重复性高，制备的氮化镓基增强型器件性能优异，阈值电压为4.4V，最大电流为135mA/mm，更利于工业化生产。

公开(公告)号：CN102915957B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210345336.2

申请日：2012-09-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张波 ,  靳纯艳 ,  方敏 ,  王金延 ,  王茂俊 ,  于民 ,  解冰 ,  吴文刚

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种制作空气桥及电感的方法。其步骤主要包括：在基片上利用光刻胶制作第一牺牲胶层；在第一牺牲胶层上涂敷光刻胶制作第二牺牲胶层，该第二牺牲胶层的长度小于第一牺牲胶层的长度；通过烘烤使牺牲胶层的边角圆滑并固化，形成拱形的空气桥支撑基片；利用电子束蒸发制作种子层；在种子层上电镀金属材料层；采用腐蚀方法去除种子层，采用有机溶剂去除牺牲胶层，形成空气桥。本发明使用光刻胶制作两层牺牲胶层，可以提高空气桥的性能，并能提高工艺效率，减小制作过程中对器件造成的损伤，同时避免使用剧毒试剂，保护环境。

公开(公告)号：CN102544186B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210015141.1

申请日：2012-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 樊超 ,  于民 ,  杨昉东 ,  田大宇 ,  王金延 ,  金玉丰

IPC: H01L31/118 ,  H01L31/18 ,  G01T3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。

公开(公告)号：CN119865152A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411937278.1

申请日：2024-12-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 王金延 ,  刘子恒

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供了一种高频GaN HEMT关断期间栅极误开启保护电路及设计方法，属于新型存储与计算技术领域。本发明电路在GaN HEMT器件的漏极端串联一个无源元件辅助网络，该无源元件辅助网络为一组并联连接的电感器和电容器，用于在GaN HEMT器件关断期间和器件米勒电容CGD组成栅‑漏连接链路到达器件栅极，减小GaN HEMT器件上等效的米勒电容，进而抑制通过米勒电容的电流的幅度，降低GaN HEMT器件栅极电压震荡的幅度。本发明无需在栅极加入任何阻性元件，不会降低GaN HEMT的开关切换速度；也未引入其他半导体器件或电路，不会带来额外的可靠性问题，现有电感器、电容器都可以工作在较大的电压和电流条件下，可以支持本发明技术效果的实现，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN117913134A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311795146.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  汪晨 ,  王金延

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于微电子器件技术领域。本发明的晶体管在p‑GaN栅与漏极之间引入MIS栅组成混合栅，MIS栅的开启电压低于p‑GaN栅的阈值电压，器件开通时，整体阈值电压由p‑GaN栅决定，MIS栅不影响器件正向导通特性；关断时利用MIS栅下方沟道耗尽承压，降低关态p‑GaN栅电容上的分压，缓解p‑GaN层中电荷存储，从而提高器件阈值电压稳定性。同时，关态MIS栅承压可以缓解p‑GaN肖特基栅边缘的高场，有利于降低关态栅漏电，提高器件击穿电压。

公开(公告)号：CN114843225A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110141718.2

申请日：2021-02-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 张斌 ,  王金延 ,  李梦军 ,  陶倩倩 ,  王鑫 ,  汪晨 ,  吴文刚

IPC: H01L21/8252 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。

公开(公告)号：CN114843187A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110141892.7

申请日：2021-02-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 张斌 ,  王金延 ,  李梦军 ,  陶倩倩 ,  王鑫 ,  汪晨 ,  吴文刚 ,  谢勇

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法，属于微电子器件技术领域。该方法采用高温氧化腐蚀方法，湿法刻蚀形成纳米沟道阵列结构。由于湿法刻蚀中没有引入等离子体，因此不会在纳米沟道阵列的侧面产生损伤；同时，在一定的温度范围内，只有AlGaN材料会被氧化，而GaN材料不会被氧化，因此腐蚀能够自停止在GaN表面，保证沟道之间以及器件之间的一致性，本发明适合大规模的商业化生产。

公开(公告)号：CN114813826A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210413955.4

申请日：2022-04-14

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 ,  北京大学

Inventor： 默江辉 ,  吴文刚 ,  王川宝 ,  马杰 ,  王金延 ,  孙绍瑜 ,  张力江 ,  崔玉兴 ,  蔡树军 ,  卜爱民

IPC: G01N25/20 ,  G01N25/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片封装外壳导热特性测试方法和测试模块，属于半导体芯片封装外壳测试技术领域，所述测试方法包括在导热基板的上表面制作金属薄膜电阻；将制作有金属薄膜电阻的导热基板固定装配在待测的封装外壳内、并与待测的封装外壳电连接，组成封装外壳测试模块；将封装外壳测试模块安装到红外测试系统中，对金属薄膜电阻通电模拟半导体芯片的工作状态；测试金属薄膜电阻和封装外壳的表面温度，计算封装外壳的导热特性参数。本发明提供的半导体芯片封装外壳导热特性测试方法，通过简单的方法及工艺即可实现对封装外壳的热特性进行测试，不仅提高了测试的准确率，还降低了测试的成本。