-
公开(公告)号：CN106011783A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610532362.4
申请日：2016-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L29/24 , H01L29/78
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/448 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜及其制备方法。该制备层状Bi2O2Se半导体薄膜的方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述层状Bi2O2Se半导体薄膜。该方法经济、简单易行、所得薄膜大面积连续迁移率高，具有广阔应用前景。
-
公开(公告)号：CN103413594B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310349245.0
申请日：2013-08-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种拓扑绝缘体柔性透明导电材料及其制备方法与应用。其制备方法，包括如下步骤：1）将基底进行图案化或功能化修饰；2）将拓扑绝缘体置于气体流向的中部，步骤1）所得基底置于气体流向的下方，向所述反应器中通入载气进行沉积，沉积完毕后停止所述载气的通入，降温至室温，在所述基底表面得到拓扑绝缘体材料。利用该方法所得拓扑绝缘体柔性透明导电薄膜或纳米材料，具有宽波长范围内的高透光性，尤其是近红外区。此外，利用拓扑绝缘体特殊的金属表面态，可提供稳定的导电通道，使之具有高导电性，出色的抗扰动能力和机械性能。这类新型的柔性透明光电原件可用于光电子和纳电子学等领域。
-
公开(公告)号：CN102849732B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210348152.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种实现单层石墨烯非对称共价修饰的方法。该方法包括如下步骤：1)在衬底上制备石墨烯；2)在石墨烯表面进行共价化学修饰，得到单面修饰的石墨烯；3)将PMMA溶液旋涂至单面修饰的石墨烯表面，烘烤PMMA形成聚合物薄膜；然后在氢氟酸水溶液中刻蚀衬底，使石墨烯与衬底分离；4)以PMMA薄膜作为保护性基底，对单面修饰后石墨烯的另一侧进行与步骤2)方法不同的共价化学修饰，实现石墨烯的双面非对称修饰；5)将双面非对称修饰的石墨烯转移至另一衬底表面，除去PMMA薄膜，得到双面非对称修饰的石墨烯。本方法以PMMA薄膜作为操纵媒介，首次实现了单层石墨烯双面非对称共价修饰，适用于任何石墨烯共价修饰方法。
-
公开(公告)号：CN115420653B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110525854.1
申请日：2021-05-14
IPC: G01N13/02 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
-
公开(公告)号：CN118675983A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410836468.8
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄氧化铪/氮化硼复合栅介质的制备方法，属于二维材料集成电子学领域。本发明的氧化铪/氮化硼复合栅介质的制备方法是先制备超平整单晶氮化硼/CuNi(111)晶圆，然后通过原子层沉积的方法直接在单晶六方氮化硼/CuNi(111)晶圆上生长氧化铪薄膜，得到所述氧化铪/氮化硼复合栅介质。本发明的方法能够制备不同厚度的氧化铪/氮化硼晶圆，制备得到的复合栅介质平整，致密均匀，能够集成在二维材料电子器件上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117732280A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211118917.2
申请日：2022-09-13
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯复合体及其制备方法与应用。该复合体依次包括多孔金属衬底层、中间的高分子胶层、石墨烯薄膜层，并具体公开了该复合体的制备方法。相比于直接在目标衬底上生长石墨烯，本发明制备的复合体中石墨烯完整度高，高达99％。本发明制作的石墨烯复合体中高分子胶层不影响后续使用，不涉及高分子胶层去除过程。
-
公开(公告)号：CN116945727A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210417000.6
申请日：2022-04-20
IPC: B32B27/30 , B32B27/28 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B7/12 , B32B37/12 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/10 , C23C16/01 , C23C16/26 , C23C16/56 , C23F1/14
Abstract: 本发明公开了一种叠层石墨烯复合膜，包括有机柔性衬底和多层石墨烯，所述有机柔性衬底与石墨烯之间以及石墨烯相互之间通过特定溶液贴合；本发明还公开了一种将石墨烯薄膜转移至有机柔性衬底制备叠层石墨烯基复合膜的方法。该制作方法避免转移介质污染，避免石墨烯向有机柔性衬底转移过程中，对有机柔性衬底的损伤。该方法效率高、成本低、操作简单。所制得叠层石墨烯基复合膜完整度高(大于95％)、薄膜电阻均匀，并可实现批量制备。
-
公开(公告)号：CN116943458A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210400148.9
申请日：2022-04-15
IPC: B01D71/64 , B01D71/50 , B01D71/36 , B01D71/26 , B01D71/06 , B01D71/02 , B01D69/12 , B01D67/00 , B01D59/10
Abstract: 本发明公开了一种利用金属膜辅助转移石墨烯薄膜的方法及其应用。本发明的方法通过金属膜辅助无需任何有机高分子胶层辅助，可消除残胶影响，转移后石墨烯薄膜完整度高、洁净区域广，并可实现批量制备。本发明方法工艺简单、耗时短，制备的复合膜中石墨烯完整度高，可达90％‑99％。并且制备的石墨烯复合膜无需去除金属膜，可直接应用于氢同位素分离。
-
公开(公告)号：CN114836828B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110138724.2
申请日：2021-02-01
Abstract: 本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。
-
公开(公告)号：CN116623162A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210134962.0
申请日：2022-02-14
Abstract: 本申请提供一种平板式等离子体增强化学气相沉积装置及石墨烯薄膜的制备方法，平板式等离子体增强化学气相沉积装置用于制备石墨烯薄膜，包括放卷仓、收卷仓、内套管、外套管、第一射频板和第二射频板。放卷仓内设置有放卷轮，收卷仓内设置有收卷轮，内套管密封连接放卷仓和收卷仓，外套管设置在内套管的外部，第一射频板和第二射频板平行设置在内套管和外套管之间。通过以上设计，可实现等离子体的激发和加热区域耦合，有效提高等离子体的利用效率并减少污染物对衬底基材的影响。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
198
records
(took 0.02 seconds)
