一种针对可视化图表自动生成图例的方法和系统

    公开(公告)号:CN117788632A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311478902.1

    申请日:2023-11-08

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种针对可视化图表自动生成图例的方法和系统,属于可视化领域,通过针对可视化进行几何形状识别和分类,得到不同形状集合,提取代表性图标符号和映射通道;基于提取的代表性图标符号和映射通道,通过图例模型智能体在高维图例空间中搜索可视化图例;基于反馈模型对搜索的可视化图例进行评分。采用本发明中公开的方法,针对一个可视化,根据不同用户偏好,在人机交互的框架下实现用户交互调整和反馈模型的动态更新,进而生成符合评估度量标准的图例,有助于清晰直观地进行数据解读,为图表可视化发展奠定可靠基础。

    一种基于自然语言构建可视化图表的方法及系统

    公开(公告)号:CN116126312A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211724285.4

    申请日:2022-12-30

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于自然语言构建可视化图表的方法及系统,通过属性级模型接受自然语言及数据属性作为输入,并为每个属性预测属性和过滤器;上下文状态机根据上下文和当前句子的预测属性和过滤器决定需要可视化的内容;基于需要可视化的属性和过滤器,通过可视化生成模块构建可视化图表。采用本发明中公开的方法,基于深度学习的方法将模糊化、多元化的自然语言解析为数据属性和过滤条件,进而针对提取的数据属性构建可视化图表回应用户的自然语言,降低数据可视化的门槛,实用性强、具有较强的推广优势。

    一种基于二维材料光纤饱和吸收体的全光纤锁模激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN113540941A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202010300611.3

    申请日:2020-04-16

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料光纤饱和吸收体的全光纤锁模激光器及制备方法,所述激光器至少包括:泵浦光源、波分复用器、单模光纤、增益光纤、色散补偿光纤和偏振控制器。本发明中直接生长的二维材光纤饱和吸收体相比二维材料薄膜涂覆或转移的方法,具有优异的饱和秀特性和可重复性,可实现亚皮秒高质量的脉冲输出。且得益于二维材料的多样性,这种方法可以实现不同波长下的锁模激光输出,可广泛应用于全光纤锁模激光器等领域。

    一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110568546B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201910772548.0

    申请日:2019-08-21

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法,所述方法包括如下步骤:将硫族材料放置于管式炉的第一温区,过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区,光纤置于所述管式炉的第三温区;控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105‑180℃、550‑650℃和780‑850℃,于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低,制备方法简单,过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯,传感和新型光器件领域具有潜在的应用。

    一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110568546A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910772548.0

    申请日:2019-08-21

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法,所述方法包括如下步骤:将硫族材料放置于管式炉的第一温区,过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区,光纤置于所述管式炉的第三温区;控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105-180℃、550-650℃和780-850℃,于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低,制备方法简单,过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯,传感和新型光器件领域具有潜在的应用。

    一种测量一维材料复极化率的装置及方法

    公开(公告)号:CN108982374A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810676430.3

    申请日:2018-06-27

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种测量一维材料复极化率的装置及方法。所述方法分别利用左-(右-)旋椭圆偏振光与一维材料散射光的干涉,在两组结果中复极化率实部(虚部)贡献相反(相同),从而定量测量一维材料的复极化率。所述装置包括光源、第一偏振片、1/4波片、第一保偏镜头、被测一维材料样品、第二保偏镜头、第二偏振片和光谱仪。或者,所述装置包括光源、第一偏振片、1/4波片、分光镜、保偏镜头、被测一维材料样品、第二偏振片、反射镜和光谱仪。本发明首次实现了对一维材料复极化率的测量,具有测量速度快、测量频带广(1.6eV-2.7eV)、不破坏被测样品、操作简单、设备易得等特点。

    一种能够避免打印越界错误的打印控制方法

    公开(公告)号:CN1710598A

    公开(公告)日:2005-12-21

    申请号:CN200510076695.2

    申请日:2005-06-13

    Abstract: 本发明属于打印控制技术领域,具体涉及一种能够避免打印越界错误的打印控制方法。现有打印技术中,在确定页面中段的光栅化顺序主要采用局部调度和多任务的方法。而本发明所述的打印控制方法,采用全局调度,考虑充分重用页面中段的光栅化数据占用的缓存,以达到在有限的打印内存情况下避免打印越界错误的目的。采用本发明所述的方法能避免打印越界错误的发生,减少打印时的页面预光栅化时间,从而大大提高打印的效率。

    金属硫族化合物单晶薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN118223130A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410325437.6

    申请日:2024-03-21

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 刘开辉 刘灿 秦彪

    Abstract: 一种金属硫族化合物单晶薄膜及其制备方法,属于材料领域。金属硫族化合物单晶薄膜包括依次堆叠的多层菱方相或六方相金属硫族化合物单晶晶粒,每层金属硫族化合物单晶晶粒单向取向,且任意相邻的两层金属硫族化合物单晶晶粒的单向取向方向平行。通过上述平行堆叠的多层单向相结构相同的金属硫族化合物单晶晶粒互相配合,使得金属硫族化合物单晶薄膜兼顾有均匀性高、质量高、晶圆级、纯相及可控厚度等优势。

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