-
公开(公告)号：CN110554455B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910772550.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , G02B1/00 , G02F1/355 , C03C25/42 , C03C25/223 , C03C25/106
Abstract: 本发明涉及一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法。所述制备方法为：采用钼酸或者钨酸钠/钾盐溶液对光纤进行浸润处理后再低压高温条件下将高质量的单层或者少层过渡金属硫族化合物直接沉积到光纤中心空气孔道内壁或者光子晶体光纤包层空气孔及纤芯空气孔道内壁上。光纤材质为石英或者石英聚合物。结合过渡金属硫族化合物优异的光学、电学性能与光纤光子结构的特点，实现二维TMDC材料与光纤的多功能集成。该方法具有成本低，制备方法简单，生长周期短，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
-
公开(公告)号：CN109883347B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910194330.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种基于光学三倍频的测量二维材料应变张量的装置及方法。所述装置包括脉冲激光光源、反射镜、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品、滤光片、第二偏振片和光谱仪。本发明实现了对二维材料应变张量的测量，具有测量速度快、简单有效、不破坏被测样品的特点。本发明首次实现了不受二维材料体系(能带结构、晶体对称性等)限制的应变张量测量，对与应变工程精准调控二维材料性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
-
公开(公告)号：CN109883347A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910194330.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种基于光学三倍频的测量二维材料应变张量的装置及方法。所述装置包括脉冲激光光源、反射镜、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品、滤光片、第二偏振片和光谱仪。本发明实现了对二维材料应变张量的测量，具有测量速度快、简单有效、不破坏被测样品的特点。本发明首次实现了不受二维材料体系(能带结构、晶体对称性等)限制的应变张量测量，对与应变工程精准调控二维材料性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109883346A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910193734.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明公开了一种测量二维材料三阶非线性光弹张量的装置和方法。所述装置包括超快激光光源、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品及应变施加装置、反射镜、第二偏振片、滤光片和光谱仪。本发明首次实现了对二维材料三阶非线性光弹张量的测量，对于发展不受二维材料体系限制的、基于光学三倍频的测量二维材料中应变的方法提供先决条件，为应变工程精准调控二维材料的光学、电学和光电子学性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
-
公开(公告)号：CN109883346B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910193734.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明公开了一种测量二维材料三阶非线性光弹张量的装置和方法。所述装置包括超快激光光源、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品及应变施加装置、反射镜、第二偏振片、滤光片和光谱仪。本发明首次实现了对二维材料三阶非线性光弹张量的测量，对于发展不受二维材料体系限制的、基于光学三倍频的测量二维材料中应变的方法提供先决条件，为应变工程精准调控二维材料的光学、电学和光电子学性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
-
公开(公告)号：CN110568546B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910772548.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , C23C16/30 , C03C25/223 , C03C25/106 , C03C25/42
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105‑180℃、550‑650℃和780‑850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低，制备方法简单，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
-
公开(公告)号：CN110568546A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910772548.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , C23C16/30 , C03C25/223 , C03C25/106 , C03C25/42
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105-180℃、550-650℃和780-850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低，制备方法简单，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
-
公开(公告)号：CN110554455A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910772550.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , G02B1/00 , G02F1/355 , C03C25/42 , C03C25/223 , C03C25/106
Abstract: 本发明涉及一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法。所述制备方法为：采用钼酸或者钨酸钠/钾盐溶液对光纤进行浸润处理后再低压高温条件下将高质量的单层或者少层过渡金属硫族化合物直接沉积到光纤中心空气孔道内壁或者光子晶体光纤包层空气孔及纤芯空气孔道内壁上。光纤材质为石英或者石英聚合物。结合过渡金属硫族化合物优异的光学、电学性能与光纤光子结构的特点，实现二维TMDC材料与光纤的多功能集成。该方法具有成本低，制备方法简单，生长周期短，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.021 seconds)
